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技術、加工についてのご質問等、ご相談などお気軽にお問合せ下さい。
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平成24年度西宮市
優良事業所顕彰受賞
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六甲電子株式会社
〒663-8105
兵庫県西宮市中島町8番5号
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新素材対応の専用の新工場オープン
2017/01~
~新素材:SiC,サファイア,LT等~
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● 量産化に伴う処理枚数能力増加
● シリコン工程と完全分離し,受入~出荷までを一環処理
● プロセス短縮によるコスト削減
● 量産開始:2017年3月
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■ 化合物ウエハ専用 新工場
■ パターン付きSiCウエハ薄化加工について
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パターン付きSiCウエハの加工実績例
研削後のウエハ厚みバラツキ実績 (SiC 6インチウエハ)
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単位:um
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※研削後のTV5: 1um≧ となっています。 |
■ SiCウエハ超薄化加工
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サポート付きSiCウエハの加工実績例
研削後のウエハ厚みバラツキ実績 (SiC 4インチウエハ)
※超薄化&超平坦化を達成。
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Backggrinding
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4 inch SiC |
TV5 (um)
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Range |
A
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B
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C
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D
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E
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22.88
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22.4
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22.03
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22.75
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22.31
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0.37 |
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当社独自の手法によりSICウエハの研削→研磨→RCA洗浄を一貫して行えることが我々の強みです。
高速・低ソリ・高面粗度・大口径対応が可能となり、一貫加工にて対応いたします。
ウエハ表面金属不純物12元素(S, Cl, K, Ca, Ti, Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)の分析が可能です。 |
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測定対応インチ:3・4・5・6インチ
測定厚み:300-1400μm |
■ 新装置:
研磨後に微小に残ったスラリーなどのアルカリ成分を自然酸化膜にコーティングされる前に、いかに早りきるかによって、シミやパーティクルのもとになっていました。
従来、人が一枚一枚(バッチのころはバッチごと)にウエハーに対して界面活性剤でスクラブ洗浄を行っていましたが、自動機を導入することにより人による仕上がりの違いをなくし均一かつ高精度なおアーティクルの除去が達成されました。
■加工対応径:4・5・6・8インチ
■量産厚み対応: ~ 100μm
■パターン付ウエハ・ MEMSウエハなどのSOIウエハ
ガラスサポート付きウエハなどにも対応。
手動に比べパーティクルの低減が著しいです。
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加工対象ウエハ:4・5・6・8インチ対応
サファイア・SiCなどシリコン以外でも効果発揮。 |
■ SiCウエハ加工
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一般的なサファイア・SiC加工 |
六甲電子のサファイア・SiC加工 |
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ダイアラッピング |
ポリッシュCMP
(バッチ) |
グラインディング |
ポリッシュCMP |
ランニングコスト |
高(金属定盤+ダイアモンド) |
中
(パッド+スラリー) |
中(ダイアモンドホイール) |
中(パッド+スラリー) |
加工ノウハウ |
高 |
中 |
高 |
高 |
装置コスト |
高 |
中 |
高 |
高 |
加工速度 |
極低 |
低 |
中 |
中 |
備考 |
ワックス固定定盤修正の難易度が高い、工程数が多い |
ワックス固定定盤修正の難易度が高い、工程数が多い |
真空吸着・サファイア専用全自動研削装置 |
ワックスレス方式にて研磨 |
■ SiCウエハ研削加工面粗さ
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150mm SiC ウエハのグラインド 表面粗さ
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評価項目 |
仕上研削 |
ファイン仕上研削 |
表面粗さ |
Ra |
12.4-14.6nm |
2-5nm |
反り |
目視(スケール) |
0.5-0.8mm |
0.2-0.4mm |
※表面粗さ:非接触表面形状測定機 Zygo
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■ SiCウエハ CMP面のAFM測定結果 (6インチ)
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6インチ Si面 研磨面のAFM測定結果 (面内3点)
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中央
Ra:0.711Å
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真中
Ra:0.576Å
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端
Ra:0.632Å
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150mm SiCウエハ
Si面 CMP表面粗さ Ra < 0.1nm
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■ SiCウエハ洗浄後 パーティクル結果 |
150mm SiCウエハ 洗浄後 パーティクル
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洗浄前
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スクラブ洗浄後
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洗浄後
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1.スクラブ洗浄で粗いゴミの除去。
2.RCA洗浄後はパーティクル、汚れも除去。
3.10個≧0.3um |
■ SiCウエハ洗浄後 金属汚染 |
150mm SiCウエハ 洗浄後 金属汚染
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TXRF測定装置
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洗浄後ウエハ TXRF測定結果
<5X1010atoms/cm2
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