背面减薄加工		背面拋光加工		背面减薄和拋光加工
	■4～8英寸 ■带Bump晶圆 ■感压膜・UV膜 ■减薄后在晶圆框架上贴片 （加工例）8英寸减薄到15um		■4～8英寸 ■批量式・单片式拋光装置 ■单・双抛面加工 ■RCA清洗		■4～8英寸 ■批量式・单片式拋光装置 ■单・双镜面精加工 ■GWSS
	再生加工（返抛）		MEMS晶圆加工
	■4～6英寸 ■除膜 ■RCA清洗 ■颗粒・金属污染 ■厚度・外观检查		■4～8英寸 ■减薄&抛光 ■SOI层厚度控制 ■GWSS晶圆 ■Cavity构造晶圆 ■硅穿孔晶圆 ■Half cut dicing wafer

UV照射机		全自动减薄机
UV膜剥离器（包括模切环）		可从一片晶圆开始处理。

		2流体清洗机
		8英吋以下的圆晶，用纯水和空气两种流体进行清洗・漂洗・干燥。

测试片的再生加工
这是一项再利用加工，将客户在晶圆生产过程中使用过的测试用假片(Dummy Wafer)重新生成新的同等质量的晶圆，并可多次使用 。
对应晶圆尺寸 3英寸 4英寸 5英寸 6英寸		除膜
		化学溶液选择
验貨				拋光
厚度・薄膜类型的分类
出货		检查		清洗
		颗粒・金属污染 厚度和外观		RCA清洗

除膜		批量式拋光机
对于各种膜，通过湿刻蚀进行去除膜。		进行批量式镜面拋光。

单片式拋光机		RCA清洗装置
进行单片式镜面拋光。		根据客户要求去除金属污染・颗粒

●　减薄・拋光的一条龙式加工 对传感器和功率器件所需要的晶圆厚度和镜面的加工，主要通过减薄→拋光一条龙式加工工程进行处理和管理。可对应的晶圆尺寸为4～8英寸，拋光精加工厚度（试作-量产）为15-100μm～。除了一条龙式加工以外，我们还会满足其他不同的要求，例如只做减薄（＃8000〜）、只做拋光加工等等。 ●　测试片的再生处理 我们将对客户的各个工序中所需要的测试片进行再生拋光。并响应客户的需求，在例如进行厚度管理・颗粒管理・金属污染管理等。可对应的晶圆尺寸为4～6英寸。 ●　MEMS加工 对各种各样MEMS的特种减薄和拋光的试作加工，我们从一片开始承接，并且批量生产的案子也可以接单。我们对SOI・GWSS晶圆、开孔・cavity构造・硅穿孔・非圆形等晶片有进行过减薄→拋光的一条龙式加工经验。

在工厂车间内清洁的空间进行晶圆加工。此外，我们取得了环境管理体系「ISO14001认证」和质量管理体系「ISO9001认证」并达到了国际标准。 ●　质量方针 本公司把质量保证放在第一位。为了提供最高质量的硅晶圆的厚度精度和拋光面的精度等，我们将对所有产品逐一进行严格地管理。

本公司不仅对硅，对蓝宝石·SiC等难加工材也拥有迄今为止培育发展起来的减薄、抛光、清洗技术，近年还在不遗余力地为提供更新、更有效的加工方法而投入研究开发。对于在这些过程中所完成的产品，我们认为，只有在获得顾客满意的评价时我们的工作才有价值。该评估是根据两公司之间的指数而得出的，我们每天都在努力通过导入最新检验设备来提高客户的满意度。

●　自动光谱干涉式厚度测量机 能对贴有胶膜的晶圆・SOI・贴有支撑基盘的晶圆・树脂/胶膜键合片的硅的厚度（只对应要求测量两片以上的情况）进行测量。

●　自动光谱干涉式厚度测量机 今后在MEMS/传感器晶片的薄片加工时，不对总厚度管理，而是单独对支撑基盘的厚度和单独对活性层的厚度进行管理。

●　电阻率・P/N・厚度分选仪 适用于4、5、6、8英寸

●　电阻率・P/N・厚度分选仪 电阻率测量范围：1.0m～3.0MΩ・cm

Candela CS20晶圆表面检查装置		Candela CS20晶圆表面检查装置
用于检查诸如蓝宝石和SiC之类的透明材料，可以检测各种类型的有缺陷的基板伤痕、污垢、外延层凹坑，阴影线和晶体裂纹等。		测量对应英寸：３・４・５・６英寸 测量厚度：300-1400μm

静电容量晶圆厚度测量机 TME-07		静电容量晶圆厚度测量机 TME-07
这是一种从专用的晶片盒中取出硅晶圆片，对设定点的厚度进行测量的装置。 通过静电容量传感器进行非接触式晶圆厚度测量。		可对应的晶圆厚度为100μm〜1800μm。（取决于晶圆尺寸。） 测量点设置为中心一个点，并用条件配方对十字测量进行设定。

全反射荧光X射线表面分析仪TREX610		微分干涉显微镜
可以对晶圆表面的不纯物12种元素（S, Cl, K, Ca, Ti, Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)进行分析。		对晶圆表面的凹凸可以立体性观察的显微镜。

晶圆表面的颗粒检查装置 TOPCON WM7		晶圆表面的粉尘检查装置　TOPCON WM3
使用0.07um最大检测灵敏度（Si）Violet LD长寿命激光器。 测量对应英寸：４・５・６英寸 测量范围：0.087μ～5.0μ		Wafer Size: 4, 5 and 6 Inch Rages：0.208μ～1.0μ

晶圆表面的粉尘检查装置 LS 6030		目视检查
测量对应英寸：５・６・８英寸 测量范围：0.1μ～5.0μ		使用強光灯对抛光加工面的表面异常进行确认。

●　薄化晶圆 晶圆直径：φ200mm 晶圆厚度：32μm BG: #2000精加工

●　GWSS（硅和玻璃的键合片） 晶圆直径：φ200mm 晶圆厚度 11μm BG: #2000精加工 玻璃:　耐热玻璃

●　GWSS（硅和玻璃的键合片） 晶圆直径：φ200mm 晶圆厚度 4.5μm 抛光精加工 玻璃:　耐热玻璃 背面减薄&抛光 8英寸硅 TV5 (um) 范围 A B C D E 4.15 4.6 4.37 2.21 3.93 2.39 .

●　Cavity构造晶圆 晶圆直径：φ150mm 晶圆厚度：100μm BG: #2000精加工

●　Cavity构造晶圆 上述晶圆抛光至5μm

为了防止薄晶圆形成刀刃，本公司在进行背面减薄（被提供的初期厚度）之前，根据客户要求的精加工厚度（例如100μ或50μ等）进行倒角加工。
由于是NC控制的倒角加工，无需更换砂轮就可以进行任何厚度的加工。

BG之前	倒角加工	BG之后
	※无倒角加工	※形成刀刃
	※带倒角加工	※可根据BG之后的厚度来形成倒角形状。

倒角加工有・无的6英寸100μ晶圆的下落测试的视频 请点击这里 →

●　刀刃防止加工机 加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应

●　刀刃防止加工机 通过NC控制可对加工的成品厚度的形状进行自由更改。

●　背面减薄机 加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应

●　背面减薄机 我们努力通过日常维护来提高产量。

进行SOI・GWSS晶圆以及开孔・cavity构造・硅穿孔・非圆形等的晶圆减薄→抛光等一条龙式加工。

●　单片式背面抛光 加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应

●　单片式背面抛光 薄型MEMS晶圆片也可以在薄化后进行抛光

●　8英寸用单片式抛光 加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应

●　8英寸用单片式抛光 最薄型量产实绩：8英寸85μm

●　自动刷洗装置 与手动操作相比，颗粒减少显著。

●　自动刷洗装置 加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应 即使对于硅以外的蓝宝石·SiC也发挥效果。

●　加工面非接触式胶膜剥离机 加工对象晶圆：5、6英寸对应

●　加工面非接触式胶膜剥离机 抛光后的表面与金属接触时会产生微刮，但本机可以自动剥离而无需接触。

带图案的晶圆背面的RCA清洗视频 请点击这里 →

●　带图案的晶圆RCA清洗 加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应

●　带图案的晶圆RCA清洗 可以进行RCA清洗⇒纯水漂洗⇒干燥，无需翻转到图案的正面。

全自动减薄机		单片式薄膜抛光机
可从一片晶圆开始处理。		高精度地抛光4～8英寸的晶圆，并且可进行抛光面非接触式搬送。 ※由于该机器是本公司的研发机器，因此在进行加工测试・批量生产认证时不予展示，敬请谅解。

静电容量晶圆厚度测量机		静电容量晶圆厚度测量机
这是一种从专用的晶片盒中取出硅晶圆片，对设定点的厚度进行测量的装置。 通过静电容量传感器进行非接触式晶圆厚度测量。		可对应的晶圆厚度为100μm〜1800μm。（取决于晶圆尺寸。） 测量点设置为中心一个点，并用条件配方对十字测量进行设定。

●　自动光谱干涉厚度测量机 能对贴有胶膜的晶圆・SOI・贴有支撑基盘的晶圆・树脂/胶膜键合片的硅的厚度（只对应要求测量两片以上的情况）进行测量。.

●　自动光谱干涉厚度测量机 今后在MEMS/传感器晶片的薄型物加工时，不对总厚度管理，而是单独对支撑基盘的厚度和单独对活性层的厚度进行管理。

另外，由于功率器件是电流纵向流动的器件，在背面要设置电极以形成向表面通电的结构，因此在背面的电极上要蒸镀金属。如果该蒸镀面不均匀，会导致接合物剥离（空气等进入后的温度变化而发生剥离），因此要求使用镜面而不是通常的应力释放的抛光面。在此，我们六甲电子将通过长年累计的抛光技术，来提供满足客户需求的高精度产品。

我们的优势就在于，可以提供减薄→抛光→RCA清洗这一条龙式加工技术。

目视检查		全自动减薄机
接受产品·贴膜后·减薄后对晶圓面状态进行目视检查。		在不改变特性的状態下以高精度和平坦度对4～8英寸的晶圆进行减薄。

单片式拋光机		批量粘贴
根据客户的要求和条件进行抛光。		从平板上剥离抛光后的晶圆。.

批量抛光		批量剥离
将4～8英寸的晶圆抛光至镜面。		从平板上剥离抛光后的晶圆。

RCA清洗		出货前的检查
清洗晶圆，清除抛光后的颗粒・金属污染。		在出货之前将根据客户的要求进行检查后出货。

『客户的需求』
● 如果在下一个工序中对于在带图案/帶膜晶圓的已经薄化・抛光的面上进行某些处理時，会浮现出一些东西，能处理干净吗？
● 因为背面清洗的洁净度有限，所以有的工程被认为无法投入?

※迄今为止，对于背面（抛光面）的颗粒一直是依赖于有机洗净・纯水系的各种清洗，这对提高清洁度是有极限的。此外，去除金属污染所必需的RCA清洗，在这种情况下，由于表面图案/胶膜会发生溶化而无法进行对应。

面对客户的种种问题，我们在和机械制造商携手合作下，构筑了如下所述的『六甲经典的工序流程』。

迄今为止的流程 贴保护膜 背面减薄 单片式 背面抛光 加工面非接触式 胶膜剥离

六甲经典的 工序流程 贴保护膜 防止刀刃加工 背面减薄 单片式 背面抛光 加工面非接触式 胶膜剥离 带图案的晶圆 RCA清洗

→

为了防止薄晶圆形成刀刃，本公司在进行背面减薄（被提供的初期厚度）之前，根据客户要求的精加工厚度（例如100μ或50μ等）进行倒角加工。

由于是NC控制的倒角加工，无需更换砂轮就可以进行任何厚度的加工。

BG之前	倒角加工	BG之后
	※无倒角加工	※形成刀刃
	※带倒角加工	※可根据BG之后的厚度来形成倒角形状。

倒角加工有・无的6英寸100μ晶圆的下落测试的视频 请点击这里 →

●　刀刃防止加工机 加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应

●　刀刃防止加工机 通过NC控制可对加工的成品厚度的形状进行自由更改。

●　背面减薄机 加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应

●　背面减薄机 我们努力通过日常维护来提高产量。

我们对SOI・GWSS晶圆、开孔・cavity构造・硅穿孔・非圆形等晶片有进行过减薄→拋光的一条龙式加工经验。

●　单片式背面抛光 加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应

●　单片式背面抛光 薄型MEMS晶圆片也可以在薄化后进行抛光。

●　8英吋对应的单片式抛光 加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应

●　8英吋对应的单片式抛光 最薄型量产实绩：8英寸85μm

●　自动刷洗装置 与手动操作相比，颗粒减少显著。

●　自动刷洗装置 加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应 即使对于硅以外的蓝宝石·SiC也发挥效果。

●　加工面非接触式胶膜剥离机 加工对象晶圆：5、6英寸对应

●　加工面非接触式胶膜剥离机 抛光后的表面与金属接触时会产生微刮，但本机可以自动剥离而无需接触。

带图案的晶圆背面的RCA清洗视频 请点击这里 →

●　带图案的晶圆RCA清洗 加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应

●　带图案的晶圆RCA清洗 可以进行RCA清洗⇒纯水漂洗⇒干燥，无需翻转到图案的正面。

实施高精度减薄，避免厚度不均。根据产品的条件，从种类丰富的减薄机中选择最适当的减薄机进行加工。 试作晶圆的厚度根据支撑方法/直径尺寸而不同，可以减薄到15μm，量产晶圆虽然根据直径不同而不同，但加工厚度可以达到100μm以下。.

对减薄后在表面上有轻微凸凹的硅片进行抛光。 进行慎重且迅速的抛光，以避免影响表面性能。为了避免变形和刮擦，需要高精度加工。

对于开孔/cavity构造/硅穿孔/非圆形等晶圆、SOI、GWSS晶圆等，采用MEMS（微电子机械系统），可以使用减薄和拋光的一条龙式加工。.

测试片的再生加工
这是一项再利用加工，将客户在晶圆生产过程中使用过的测试用假片(Dummy Wafer)重新生成新的同等质量的晶圆，并可多次使用 。
对应晶圆尺寸 3英寸 4英寸 5英寸 6英寸		除膜
		化学溶液选择
验貨				拋光
厚度・薄膜类型的分类
出货		检查		清洗
		颗粒・金属污染 厚度和外观		RCA清洗

●　电阻率・P/N・厚度分选仪 适用于4、5、6、8英寸

●　电阻率・P/N・厚度分选仪 电阻率测量范围：1.0m～3.0MΩ・cm

膜品种分类		除膜
熟练工可一目了然地在多种多样的膜品种中进行分选。		通过湿蚀刻去除各种制膜。

厚度分类		批量粘贴
在除膜后把晶圆按照厚度分类。		将晶圆平贴在平板上进行批量抛光。

批量式抛光机		批量剥离
进行批量式镜面抛光。		从平板上剥离抛光后的晶圆。

RCA清洗装置		颗粒计数器
金属污染・颗粒的清除。		对抛光的晶圆片上的颗粒进行检查。

出货前的检查		全反射荧光X射线表面分析仪TREX610
在出货之前将根据客户的要求进行检查后出货。		可以对晶圆表面的不纯物12种元素（S、Cl、K、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn）进行分析。

※新工厂（D楼）全景
		※3F 清洗・检查室
		※2F 抛光室
		※1F 减薄室

■ 新工厂的优势
		通过高刚性减薄机获得高质量的「平坦度」「表面粗糙度」和「加工变质层」 ⇒降低工序流程和成本
		降低背面减薄后薄化时的翘曲。 ⇒减薄·抛光的一条龙式加工成为可能。
		通过导入蓝宝石专用清洗装置实现高清净度 （减少金属污染和颗粒）
		在硅晶圆上有量产实绩的刀刃防止加工，将来也可以在蓝宝石薄化晶圆上展开。

■ 关于带图案的SiC晶圆薄化加工

带图案的SiC晶圆的加工实绩例 减薄后的晶圆厚度差异的实绩 ※6英寸晶圆加工实绩

单位：um

※减薄后的TV5≦1um。

减薄后粗糙度比较实绩 ※6英寸晶圆加工实绩
		通过高刚性减薄机的導入，可以改善减薄后的厚度偏差和表面粗糙度。
※与常规减薄机相比，减薄后的粗糙度得到改善。

●　全反射荧光X射线表面分析仪TREX610 可以对晶圆表面的不纯物12种元素（S, Cl, K, Ca, Ti, Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)进行分析。

●　Candela CS20晶圆表面检查装置 测量对应英寸：３・４・５・６英寸 测量厚度：300-1400μm

●　自动刷洗装置 与手动操作相比，颗粒减少显著。

●　自动刷洗装置 加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应 即使对于硅以外的蓝宝石·SiC也发挥效果。

●　自动刷洗装置 与手动操作相比，颗粒减少显著。

●　自动刷洗装置 加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应 即使对于硅以外的蓝宝石·SiC也发挥效果。

■　 蓝宝石晶圆清洗后的颗粒测试结果
150mm 蓝宝石晶圆在清洗后的颗粒测试结果
清洗前		刷洗后		清洗后
1.通过刷洗以清除粗颗粒。 2.RCA清洁后颗粒和污垢也被去除。 3.10个≧0.3um

■　 蓝宝石晶圆的清洗后的金属污染
150mm蓝宝石晶圆 清洗后的金属污染测试
		TXRF测试装置
晶圆清洗后的TXRF测试结果 ＜5Ｘ1010atoms/ｃｍ2

贴膜机		全自动减薄机
经过产品验货后，将感压膜・UV膜贴在晶圆上，检查是否有垃圾混入。.		在不改变特性的状態下以高精度和平坦度对4～8英寸的晶圆进行减薄。

目视检查		单片式拋光机
减薄后检查产品是否有刮痕和崩边，然后将产品送入下一步处理。		根据客户的要求和条件进行抛光。

加工表面非接触式胶膜剥离机		超声波清洗机
抛光后，在不接触加工表面的情况下剥离各种胶膜。		抛光后剥离胶膜，然后用超声波清洗来清除颗粒。

		出货前的检查
		在出货之前将根据客户的要求进行检查后出货。

●　自动光谱干涉式厚度测量机 能对贴有胶膜的晶圆・SOI・贴有支撑基盘的晶圆・树脂/胶膜键合片的硅的厚度（只对应要求测量两片以上的情况）进行测量。

●　自动光谱干涉式厚度测量机 今后在MEMS/传感器晶片的薄片加工时，不对总厚度管理，而是单独对支撑基盘的厚度和单独对活性层的厚度进行管理。

我们将公开每年的加工处理数量和其中的良品率。
以此证明我们在接受客户委托进行产品加工的整个期间，我们的加工质量的可靠性。
背面减薄产品 我们的加工数量及良品率：

↓点击画面，图表放大显示。 背面减薄产品 按厚度分类的良品率： ↓点击画面，图表放大显示。

背面减薄+抛光产品 本公司的加工个数和良品率： ↓点击画面，图表放大显示。

背面减薄+抛光产品 按厚度分类的良品率： ↓点击画面，图表放大显示。

※新工厂（D楼）全景
		※3F 清洗・检查室
		※2F 抛光室
		※1F 减薄室

■ 新工厂的优势
		通过高刚性减薄机获得高质量的「平坦度」「表面粗糙度」和「加工变质层」 ⇒降低工序流程和成本
		降低背面减薄后薄化时的翘曲。 ⇒减薄·抛光的一条龙式加工成为可能。
		通过导入SiC专用清洗装置实现高清净度 （减少金属污染和颗粒）
		在硅晶圆上有量产实绩的刀刃防止加工，将来也可以在SiC薄化晶圆上展开。

■ 关于带图案的SiC晶圆薄化加工

带图案的SiC晶圆的加工实绩例 减薄后的晶圆厚度差异的实绩 ※6英寸晶圆加工实绩

单位：um

※减薄后的TV5≦1um。

减薄后粗糙度比较实绩 ※6英寸晶圆加工实绩
		通过高刚性减薄机的導入，可以改善减薄后的厚度偏差和表面粗糙度。
※与常规减薄机相比，减薄后的粗糙度得到改善。

■ SiC晶圆超薄化加工

GWSS晶圆加工实绩 减薄后的晶圆厚度差异的实绩（4英寸晶圆） ※实现了超薄化和超平坦化。

背面减薄&抛光 4英寸 SiC TV5 (um) 范围 A B C D E 22.88 22.4 22.03 22.75 22.31 0.37

可对应高速·低翘曲·高粗糙度·大直径，并且可对应一条龙式处理加工。

●全反射荧光X射线表面分析仪TREX610 可以对晶圆表面的不纯物12种元素（S, Cl, K, Ca, Ti, Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)进行分析。

●　Candela CS20晶圆表面检查装置 测量对应英寸：３・４・５・６英寸 测量厚度：300-1400μm

●　自动刷洗装置 与手动操作相比，颗粒减少显著。

●　自动刷洗装置 加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应 即使对于硅以外的蓝宝石·SiC也发挥效果。

■　 SiC晶圆片减薄加工面粗糙度
150mm SiC晶圆片的减薄 表面粗糙度

评价项目		精加工减薄	超精加工减薄
表面粗糙度	Ｒａ	12.4-14.6nm	2-5nm
翘曲	目视（比例）	0.5-0.8mm	0.2-0.4mm
※表面粗糙度：非接触表面形状测试机　Zygo

■　 SiC晶圆 抛光面的AFM测试结果（6英寸）
φ6英寸的Si面 抛光面的AMF测试结果（面内3点）
中央 Ra:0.711Å		中间 Ra:0.576Å		端 Ra:0.632Å
150mm SiC晶圆Si面 抛光面的粗糙度 Ra < 0.1nm

■　 SiC晶圆清洗后的颗粒测试结果
150mm SiC晶圆在清洗后的颗粒测试结果
清洗前		刷洗后		清洗后
1.通过刷洗以清除粗颗粒。 2.RCA清洁后颗粒和污垢也被去除。 3.10个≧0.3um

■　 SiC晶圆的清洗后的金属污染
150mmSiC晶圆 清洗后的金属污染测试
		TXRF测试装置
晶圆清洗后的TXRF测试结果 ＜5Ｘ1010atoms/ｃｍ2

●　金刚石研磨装置 3、4、5、6英寸对应。

●　金刚石研磨装置 带SiC膜晶圆的再生膜处理是可能的。

蓝宝石和SiC专用减薄机		蓝宝石和SiC专用减薄机
目标是6英寸的蓝宝石·SiC等难加工材料。		通过NC控制可进行自动加工处理。

蓝宝石和SiC专用减薄机		蓝宝石和SiC专用减薄机
可通过自动传送方式进行全自动加工处理 。		用真空吸附晶圆，不需要贴蜡。

蓝宝石6英寸		蓝宝石6英寸
带图案晶圆・裸片均可加工处理。		用专用的砂轮进行减薄。

SiC 6英寸		SiC 6英寸
带图案晶圆・裸片均可加工处理。.		用专用的砂轮进行减薄。

首先，请允许我对一直以来所有理解和支持我们的各位表示由衷的感谢。 本公司是从1921年，当初代小林胜次郎还服役于海军兵工厂的平面拋光机之时便迈出了第一步。在那之后创建了特殊光学测试设备的制造公司「REX光学研究所」。 那正是日本的半导体产业诞生之时代，1963年公司改组为「有限公司 REX光学仪器制作所」，从此开始了半导体的拋光和加工。1983年，随着REX光学仪器制作所迁入福冈，成立了「六甲电子株式会社」并继承该事业。现在，各种半导体产品已经渗透到我们生活中的每个角落，并成为推动高度信息化社会的重要因素。在这种情况下，我们开始致力于硅晶圆加工、正片（Prime wafer）的镜面拋光加工、双镜面加工、背面減薄等加工，并于1994年展开了晶圆再生事业。以大型拋光机为首，安装了减薄机、研磨机等各种机器，扩大了需要減薄+拋光组合加工和蚀刻处理的硅晶产品的加工和业务。 今后我们也将一如既往地继续努力制作「更快、更廉价、更安全的产品」。此外，我们将致力于积极吸取充满创造性清新风气的技术追求，旨在成为一家比以往任何时候都更能取得客户的信赖和期待的企业，为此，我们全体员工将竭诚努力。我们期待着您的继续不断的指导和鞭策。 代表取缔役社长 小林秀守

六甲电子株式会社 经营理念

我们将怀着自豪的心情，为客户提供能够符合客户需求和期望的服务。

此外，我们将根据客户需求的增长和变化创造新的价值，并创造新的客户。

我们全体员工和我们的家族，将通过由此努力而获得的成果来追求我们的幸福。

公司名称	六甲电子株式会社.
所在地	邮编：663-8105　兵库县西宫市中岛町8-5
电话 传真	81-798-65-4508 81-798-67-5038
成立日期	1983年9月
资本金	3,000万日元
代表人	代表取缔役社长　小林秀守
关联公司	有限公司 REX光学仪器制造所
事业内容	硅晶圆的各种加工 再生处理 拋光加工 減薄加工 MEMS对应的超薄片的減薄和拋光加工 特殊加工 蚀刻加工

1921年3月	初代小林胜次郎在海军工厂和德国技术人员一起迈出了平面拋光的第一步。之后转入日本光学工业株式会社（现在的尼康）从事平面拋光加工。
1932年7月	在东京创立小林光器。 其主要的营业活动是从事光学测量仪器的制作和特殊研磨加工。
1947年3月	战后迁移到兵库县西宫市，作为特殊光学测试仪器的制造商改名为「REX光学研究所」。
1960年4月	开始半导体拋光加工
1963年6月	法人改组。公司更名为「有限公司 REX光学计器制作所」。 开始投入硅晶圆的拋光加工。
1983年9月	成立六甲电子株式会社。继续REX光学的事业内容，将REX光学转移到三菱电机福冈制作所内。
1994年7月	为全面开展晶圆再生事业而建造B楼。开始安装了各种设备，包括工厂整备、大型拋光机、RCA清洗装置等。
2001年5月	取得ISO 14001认证
2005年2月	导入MEMS对应、薄晶圆拋光设备
2005年3月	ISO 9001：2000认证
2012年11月	2012年获得西宫市的优秀企业表彰奖
2017年1月	小林秀守就任代表取缔役社长
2017年1月	SiC、蓝宝石、LT等新材料专用的新工厂竣工。
2018年2月	取得ISO 9001：2015认证、ISO 14001：2015认证

Th制造现场总是伴随着事故或灾害的危险。作为企业，不论是在制造现场、还是在上下班的途中或办公室里工作，确保每一位员工的安全是企业义不容辞的重要的社会责任，为此，我们每月召集一次安全卫生委员会，努力确保员工的安全，对各部门提出的安全隐患，根据『PDCA』原则来制定改善措施和『风险评估』，并划分优先顺序，改善・安全管理者・卫生管理者定期在工厂内巡视，对指出的问题进行改进，持续不解地致力于安全的改善。

此外，根据中小企业厅制定的『BCP（紧急时企业存续计划或事业维持计划）』运用方针，六甲电子也在2011年9月作成，并由安全卫生委员会负责其运用和更新。

安全卫生委员会的实施		风险评估的制定讨论
每个月召开一次安全卫生委员会。		确定风险评估的内容及其重要性的优先顺序，制定对策方案。

工厂内定期巡回检查		确定重点项目
管理人员在工厂内定期进行巡回检查，对5S・·惊吓提案等进行确认。		确定被指则项目中的重点，日后对改进和纠正进行检查。

資格持有者名單		事业持续计划BCP
安全管理者：2名 第一种卫生管理者：4名		根据中小企业厅制定的『BCP（紧急时企业存续计划或事业维持计划）』运用方针，六甲电子也在2011年9月作成。

事故・紧急情况联络方式（内线）		事故紧急联络表
发生事故・紧急情况时首先去哪里？ 每个现场都显示有紧急情况时的内线电话号码和行动步骤。		明确每个工程・现场的紧急情况时的负责人，在每个现场都会进行显示。

紧急避难通道		洗眼器
为了明确火灾、地震等紧急情况时的避难通道，在每个现场都有显示，并以此为基准进行避难训练。		作业时眼睛上配戴有防护用具，为了防止万一药水进入眼内的情况，在每个现场要备有洗眼器，里面的洗眼水要定期检查和更换。

医院的一览表		110和119对应表
每个现场都备有按照病症分类的附近医院的一览表，以便在万一的情况下冷静迅速地采取行动。		在夜班发生事故的情况下，请求110・119的支援时可能会发生慌乱。为此现场准备有应急手册，指导在这种时刻应该如何表达。

停电避难训练		停电避难训练
进行避难训练，以便在万一的情况下能够沉着冷静地采取行动。		在关断各使用机器的电源后，按小组集合，由组长用手电筒引导。

停电避难训练		停电避难训练
换下无尘服后到停车场集合。.		相对于10分钟的目标时间，全体人员在7分46秒内集合完毕。

我们的质量理念是：以客户至上的精神，将客户委托给我们的产品，按照客户的要求进行加工，遵守承诺按时交货，并且永远保持和继续下去。我们全体员工都自觉地意识到，在我们处理的产品的最终形态中，不乏与人命息息相关的部分，为此我们每个人都深感自豪，并将如何继续保持下去作为我们的重要课题。

ISO9001：2015 认证		作业程序手册
我们在2005年3月取得了ISO9001认证，作为质量维护的工具加以运用，通过ISO管理方法的PDCA来促进各部门的目标管理，从而实现我们的企业经营战略。		为了让任何人能进行一定程度的作业，我们制作了作业程序手册，通过程序的运用维持质量的安定。

产品流程图		作业认定表
与作业程序手册一样，产品流程图也让任何人都看了不太会出错，直观且通俗易懂。		通过可视化每个部门成员的工作技能，使每个人能够进行明确的目标设定。

工程检查日志		测量仪器的检查表
列出机器启动时需要确认的项目，填写并检查，以防在机器启动时发生故障。		测量仪器在使用过程中会发生误差，因此要对其进行检查和校准。

各机器的运行次数表		工程清洗内容的检查
关于每台机器的消耗品，根据每台机器的运行次数进行检查和更换。		在每项工程的部位，包括机械在内，都要明确指定清扫内容，定期进行清扫作业。

PH校准检查表		小组活动会议纪要
对抛光机的碱性浓度PH进行检查并校正。		在每个现场工程定期集中，对发现的问题点等进行商讨，作为会议纪要进行记录。

文件清单		确认温度・湿度的记录
对上述各数据等进行归档，对各工程进行整理整顿。.		对机器来说，温度・湿度是重要的管理参数。要不懈地进行记录・管理・确认。

质量管理委员会1		质量管理委员会2
每月召开一次各课的质量管理委员会。		根据客户的需求，主动推进提高本公司产品质量的活动。

六甲电子株式会社在西宫市准工业区的中岛町设立工厂，从事对日常生活起着重要作用的半导体材料的加工；但另一方面，伴随着这些产品的加工，要大量使用能源、资源和化学物质，还要排放出大量的废弃物。
对此，我们每一位成员都能自觉地认识到这些问题，维护和改善健全的环境，思考与地区社会的融合，积极地参与开展环境体系的管理活动。

2011西宫市环境报告书： 「绿色窗帘」活动得到西宫市的认可，并在市政府的环境报告中进行了介绍。

取得ISO认证 ISO14001		资格持有者名单
2001年5月取得ISO14001环境管理体系的认证。.		参加ISO14001内部监察员培训的成员有11名。

西宫市地域温暖化防止活动的推进企业		电力需求监控装置
“被评选为西宫市地域温暖化防止活动的推进企业。”.		为了响应关西电力公司的夏季节电要求，我们导入了电力需求监控装置，设定上限予以合作。

绿色窗帘		绿色窗帘
用绿色窗帘的方法来响应关西电力公司的节电要求。		通过植物的蒸腾作用，可以防止阳光从窗户进入，抑制室内温度的升高，并为周围的环境降温。

苦瓜		苦瓜
收获了500多个苦瓜，令员工们喜出望外。		还送给邻居一起分享。

工业废弃物的存放场所
有关工业废弃物，我们设立了管理负责人，以便对数量和场所进行有效管理。

六甲电子株式会社关于质量的基本理念是，通过事业广泛地为社会服务的同时，谋求事业的繁荣。 为此，本公司的事业在为提高社会福祉作出贡献时，要把「质量・价格·交货期·服务」各项均作为重要的要素，必须尽最大努力做到尽善尽美。 在此，本公司将特别关注质量，将其作为第一考量，在制造满足客户需求的产品的过程中，通过将产品提供给社会，为国家和社会做出贡献的同时，谋求我们事业的繁荣。那就是，「彻底贯彻客户至上的精神」以及「以最好的产品、最高的质量为目标」。

作为六甲电子株式会社的事业活动，精密拋光・减薄加工的半导体材料在日常生活中发挥着重要的作用。特别是硅晶圆的再生事业，是为了回收再利用而进行的加工，对环境保护做出了贡献。另一方面，在这些产品加工中大量使用能源、资源和化学物质，排放出大量的废弃物。六甲电子株式会社为了维持和提高健全的环境，将全体员工共同参与、积极开展环境管理活动定位为最优先的课题。

1.基本方针 ： ・BCP的基本方针 2.BCP的运用体制： ・BCP的制定和运用体制 3.核心业务和复旧目标：有关核心业务的信息： ・与业务持续性相关的各种资源的替代信息 4.财务诊断和预防措施的规划： ・复旧成本的计算和手头资金 ・对预防措施的投资计划（参照地区的防灾地图） 5.紧急状态下的BCP启动 (1)启动流程 (2)避难：避难计划表 (3)情报联络：主要机构的联系方法【金融机构】 ・员工通讯录 ・【基本信息整理用】→ 参照员工名单/紧急通讯录 ・电话/传真号码表【公司内部用】 ・主要客户信息 →请参照以交易公司为别的状况清单 (4)资源 ・核心业务的瓶颈资源 ・【设备/机械/车辆等】→ 请参阅设备台帐 ・核心业务所需要的供应物料信息 ・主要供应商/贸易商信息【按供应物料分类】→ 请参照进货台帐。 ・灾害对应用工具的确认清单

在六星电子，除了制定和运用BCP的目的之外，根据本公司的特点，我们还将以下项目作为在紧急情况下谋求业务持续运营的重要考量。 1.BCP的制定和运用目的： ①对客户 减少对客户生产计划的负面影响。 ②对员工 保护员工及其家庭的安全和雇佣。 ③对地区 为地区的生活和经济做贡献。 。 ④其他 2. 紧急情况下业务连续性的要点： ①公司之间的互助 在灾难发生时与相邻的公司进行互相帮助。 ②商业道德 即使在紧急状态下也不能拖欠送货公司的付款。 ③对地区做贡献 在灾害发生时和邻近地区的居民互相帮助，提供食物等支援。 ④利用公共支援系统 在灾难发生时积极利用市政厅和商工会议所等设置的特别咨询窗口。 ⑤其他 3. BCP以及灾害计划更新时间：每年9月（每年更新一次）

BCP基本方针的规划 平常时 BCP循环连续运用系统的建立 根据新课题进行更新 ①对业务进行理解       ⑤对BCP实行检测和维持更新   ②对BCP的准备和预防措施进行研究   ④让BCP成为一种文化 ③创建BCP 紧急事态发生 紧急时复旧时 BCP的启动

我们的经营理念是，『我們每个人都要怀着自豪的心情为客户提供符合客戶的需求和期望的服务。此外，我們将根据客戶需求的增长和变化来创造新的价值和创造新的客戶。我们全体员工连同我们的家族，都将通过由此努力所获得的成果来追求我们的幸福』。因此，我们将不局限于客户，即使在对待员工、对待地区和社会的情况时，也同样要提供符合要求的服务。服务和贡献、成长和变化，即是本公司作为企业的社会责任CSR活动的理念。

1. 遵守法规 1）遵守法令和规定 2）公平的竞争和交易 3）防止利益冲突 4）禁止行贿受贿、禁止过度的招待和馈赠 5）防止机密情报泄露（信息安全） 6）安全保障贸易管理 2. 尊重人权 3. 健全的工作环境 1）安全的工作环境 2）对健康的重视 3）创造舒适的工作环境 4. 与社会的关系 1）客户满意度 2）社会贡献 3）环境保护 4）对反社会势力的态度

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另外，如有紧急情况，可通过电话联系我们。
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