本公司不仅对硅，对蓝宝石·SiC等难加工材也拥有迄今为止培育发展起来的减薄、抛光、清洗技术，近年还在不遗余力地为提供更新、更有效的加工方法而投入研究开发。对于在这些过程中所完成的产品，我们认为，只有在获得顾客满意的评价时我们的工作才有价值。该评估是根据两公司之间的指数而得出的，我们每天都在努力通过导入最新检验设备来提高客户的满意度。

●　自动光谱干涉式厚度测量机 能对贴有胶膜的晶圆・SOI・贴有支撑基盘的晶圆・树脂/胶膜键合片的硅的厚度（只对应要求测量两片以上的情况）进行测量。

●　自动光谱干涉式厚度测量机 今后在MEMS/传感器晶片的薄片加工时，不对总厚度管理，而是单独对支撑基盘的厚度和单独对活性层的厚度进行管理。

●　电阻率・P/N・厚度分选仪 适用于4、5、6、8英寸

●　电阻率・P/N・厚度分选仪 电阻率测量范围：1.0m～3.0MΩ・cm

Candela CS20晶圆表面检查装置		Candela CS20晶圆表面检查装置
用于检查诸如蓝宝石和SiC之类的透明材料，可以检测各种类型的有缺陷的基板伤痕、污垢、外延层凹坑，阴影线和晶体裂纹等。		测量对应英寸：３・４・５・６英寸 测量厚度：300-1400μm

静电容量晶圆厚度测量机 TME-07		静电容量晶圆厚度测量机 TME-07
这是一种从专用的晶片盒中取出硅晶圆片，对设定点的厚度进行测量的装置。 通过静电容量传感器进行非接触式晶圆厚度测量。		可对应的晶圆厚度为100μm〜1800μm。（取决于晶圆尺寸。） 测量点设置为中心一个点，并用条件配方对十字测量进行设定。

全反射荧光X射线表面分析仪TREX610		微分干涉显微镜
可以对晶圆表面的不纯物12种元素（S, Cl, K, Ca, Ti, Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)进行分析。		对晶圆表面的凹凸可以立体性观察的显微镜。

晶圆表面的颗粒检查装置 TOPCON WM7		晶圆表面的粉尘检查装置　TOPCON WM3
使用0.07um最大检测灵敏度（Si）Violet LD长寿命激光器。 测量对应英寸：４・５・６英寸 测量范围：0.087μ～5.0μ		Wafer Size: 4, 5 and 6 Inch Rages：0.208μ～1.0μ

晶圆表面的粉尘检查装置 LS 6030		目视检查
测量对应英寸：５・６・８英寸 测量范围：0.1μ～5.0μ		使用強光灯对抛光加工面的表面异常进行确认。