SiC:六甲电子株式会社


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六甲电子株式会社

邮编: 663-8105
兵库县西宫市中岛町8-5

6.8吋SiC晶圓的新加工工藝
背面減薄	：	磨削	⇒	CMP(Option)

Epi再生	：	研削	⇒	CMP	⇒	RCA清洗
	⇒	SICA88	⇒	RCA清洗

脫膜再生	：	蝕刻	⇒	RCA清洗
		SICA88（Option)	●	TXRF（Option)	●	ICP-MS（Option)

碳化矽晶圓製造	：	單面研磨	⇒	單面研磨	⇒	單側CMP
	⇒	單側CMP	⇒	RCA清洗	⇒	SICA88
		MEM（Option)	●	Tropel（Option)	●	Zygo（Option)

測量服務	：	MEM（潜傷)	●	Tropel（平整度)	●	TXRF（金屬污染)
	●	ICP-MS（金屬污染)	●	SICA88（刮痕)	●	Zygo（表面粗糙度)

●　大規模生產提高了加工能力

●　矽加工完全獨立，從接收到出貨的整個過程都在公司內部完成。

●　透過縮短流程降低成本

■ 8吋SiC晶圓超薄工藝
		支撐式SiC晶片的加工結果範例　⇒　60um

■ 8吋SiC再加工精度

每加工步驟8吋SiC TTV精度

原廠晶圓

打磨後

拋光後

單位：um	原廠晶圓	打磨後	拋光後
N號	4	4	4
平均的	2.1	2.9	2
σ	0.37	0.22	0.65

每個加工過程均達到 8 吋 SiC SBIR 精度
（Site Size XY 10*10mm Offset XY 0,0)

原廠晶圓

打磨後

拋光後

單位：um	原廠晶圓	打磨後	拋光後
N號	4	4	4
平均的	0.6	1.3	0.7
σ	0.1	0.02	0.06

每個加工過程的SiC SFQR精度為8英寸
（Site Size XY 10*10mm Offset XY 0,0)

原廠晶圓

打磨後

拋光後

單位：um	原廠晶圓	打磨後	拋光後
N號	4	4	4
平均的	0.5	0.6	0.5
σ	0.03	0.03	0.01

8吋SiC，每個加工步驟均採用3pt-Warp精度。

原廠晶圓

打磨後

拋光後

單位：um	原廠晶圓	打磨後	拋光後
N號	4	4	4
平均的	11.1	47.4	13.5
σ	5.1	1.41	8.08

拋光後的 8 英吋 SiC 表面粗糙度 (Sa) 和精度。

晶圓中心

晶圓外周

單位：um	晶圓中心	晶圓外周
N號	4	4
平均的	0.08	0.08
σ	0.01	0.01

■ 8吋SiC：拋光後缺陷檢查。
		表面缺陷圖（SICA88：共聚焦微分乾涉顯微鏡）


		潜傷MAP （Mirelis 电子显微镜【MEM】）




BPD		潜傷

■ 8吋SiC　脫膜再生
		蝕刻　 ⇒　RCA清洗

■6/8 英吋各種測量服務

●　Mirelis 电子显微镜【MEM】
※可以测量 8 英寸 SiC。

※提供合同测试服务。
用作表面（硅表面）潜在缺陷检测设备，用于检查加工损伤和缺陷。

●　SiC晶圆缺陷检测和审查系统【SICA88】
※可以测量 8 英寸 SiC。

※提供合同测试服务。
用于表面（硅侧和碳侧）划痕检测，以及检查凹坑、缺陷等。

●　晶圆平整度测量与分析系统【Tropel】

※提供合同测试服务。
用于加工前后检查平面度。
TTV、NTV、SORI、BOW、WARP 等。

●　表面粗糙度测量仪【Zygo】

※提供合同测试服务。
用于检测加工后的表面粗糙度（非接触式测量）。也可用于研磨和化学机械抛光（CMP）后的粗糙度测量。

●　全内反射X射线荧光分析仪【TXRF】

※提供合同测试服务。
金属污染和全表面扫描测量可行
[S Cl K Ca Ti Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn]

●　电感耦合等离子体质谱仪
【ICP-MS】

※提供合同测试服务。
可以测量金属污染和各种金属。

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