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如果对技术和加工问题需要咨询，请随时与我们联系。
联系人：营业部
TEL: 81-798-65-4508
FAX: 81-798-67-5038
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六甲电子株式会社
邮编: 663-8105
兵库县西宫市中岛町8-5
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开设专门从事新材料的新工厂
从2017年1月启动
～新材料：SiC、蓝宝石、LT等～
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| ●通过批量生产提高处理能力 .
●与硅工艺完全分离，从承接到发货进行连续性处理。
●通过缩短流程来降低成本
●量产开始：2017年3月.
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■ 新工厂的图象
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■ 关于带图案的SiC晶圆薄化加工
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带图案的SiC晶圆的加工实绩例
减薄后的晶圆厚度差异的实绩 ※6英寸晶圆加工实绩
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单位：um  |
| ※减薄后的TV5≦1um。 |
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减薄后粗糙度比较实绩 ※6英寸晶圆加工实绩
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通过高刚性减薄机的導入，可以改善减薄后的厚度偏差和表面粗糙度。 |
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※与常规减薄机相比，减薄后的粗糙度得到改善。
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■ SiC晶圆超薄化加工
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GWSS晶圆加工实绩
减薄后的晶圆厚度差异的实绩（4英寸晶圆）
※实现了超薄化和超平坦化。
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背面减薄&抛光
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| 4英寸 SiC |
TV5 (um)
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范围 |
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A
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B
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C
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D
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E
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22.88
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22.4
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22.03
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22.75
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22.31
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0.37 |
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我们的优势在于，我们可以通过我们独特的方法对SiC晶圆进行一条龙式减薄→抛光→RCA清洗。
可对应高速·低翘曲·高粗糙度·大直径，并且可对应一条龙式处理加工。
可以对晶圆表面的不纯物12种元素（S, Cl, K, Ca, Ti, Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)进行分析。 |
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测量对应英寸：３・４・５・６英寸
测量厚度：300-1400μm |
■ 新装置：
抛光后会微少残留一些碱性成分的抛光液等，在它们形成氧化膜之前，如果不能迅速清洗，将会成为污点和颗粒的根源。
従前是由人工（按批量分批）使用表面活性剂一片一片地对晶圆进行刷洗。由于导入自动清洗装置，消除了人工作业的差异，并且实现了均匀、高精度的颗粒清除。
■加工直径：4･5･6･8英寸
■量产厚度对应：～ 100μm
■SOI晶圆，例如带图案的晶圆·MEMS晶圆等
也对应GWSS晶圆。
与手动操作相比，颗粒减少显著。
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加工对象晶圆：4、5、6、8英寸对应
即使对于硅以外的蓝宝石·SiC也发挥效果。 |
■
SiC晶圆加工
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普通的SiC晶圆的加工 |
六甲电子的SiC加工 |
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金刚石研磨 |
抛光CMP |
减薄 |
抛光CMP |
| 运行成本 |
高 （金属定盘 或 Pad+金刚石抛光液）) |
中 （Pad+抛光液）
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中 （金刚石砂轮） |
中 （Pad+抛光液） |
| 加工经验 |
高
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中
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高
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高 |
| 设备成本 |
高
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中
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高
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高 |
| 加工速度 |
极低
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低
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中
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中 |
| 备注 |
"蜡固定
定盘修正的难易度高
工序多" |
"蜡固定
定盘修正的难易度高
工序多" |
真空吸附方式
全自动抛光装置
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全自动单片式抛光装置
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■
SiC晶圆片减薄加工面粗糙度
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150mm SiC晶圆片的减薄 表面粗糙度
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| 评价项目 |
精加工减薄 |
超精加工减薄 |
| 表面粗糙度 |
Ｒａ |
12.4-14.6nm |
2-5nm |
| 翘曲 |
目视（比例） |
0.5-0.8mm |
0.2-0.4mm |
※表面粗糙度：非接触表面形状测试机 Zygo
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■
SiC晶圆 抛光面的AFM测试结果（6英寸）
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φ6英寸的Si面 抛光面的AMF测试结果（面内3点）
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中央
Ra:0.711Å
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中间
Ra:0.576Å
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端
Ra:0.632Å
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150mm SiC晶圆Si面
抛光面的粗糙度 Ra < 0.1nm
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| ■
SiC晶圆清洗后的颗粒测试结果 |
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150mm
SiC晶圆在清洗后的颗粒测试结果
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清洗前  |
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刷洗后  |
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清洗后  |
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1.通过刷洗以清除粗颗粒。
2.RCA清洁后颗粒和污垢也被去除。
3.10个≧0.3um |
| ■
SiC晶圆的清洗后的金属污染 |
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150mmSiC晶圆
清洗后的金属污染测试
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TXRF测试装置 |
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晶圆清洗后的TXRF测试结果
＜5Ｘ1010atoms/ｃｍ2
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