이 분야에서 경험을 축적해 온 당사 특별한 연삭 연마 기술을 통해 MEMS 가공도 실시하고 있습니다. 또한 단일 웨이퍼
생산부터 대량 생산, 시제품 제작까지 대응 가능합니다.SOI・GWSS 웨이퍼, 관통, 캐비티 구조, 관통전극, 비원형
등 웨이퍼의 연삭 연마에 대해 풍부한 경험을 보유하고 있습니다.
■ MEMS 가공 사례
●박형 웨이퍼
웨이퍼 지름：φ200mm
웨이퍼 두께： 32μm
BG：＃2000 마감
●GWSS (글라스 웨이퍼 서포트 시스템)
웨이퍼 지름：φ200mm
웨이퍼 두께： 11μm
BG：＃2000 마감
글라스：파이렉스
●GWSS (글라스 웨이퍼 서포트 시스템)
웨이퍼 지름：φ200mm
웨이퍼 두께： 4.5μm
연마 마감
글라스：파이렉스
연삭 및 연마
8 인치 실리콘
TV5 (um)
범위
A
B
C
D
E
4.15
4.6
4.37
2.21
3.93
2.39
●캐비티 구조 웨이퍼
웨이퍼 지름：φ150mm
웨이퍼 두께： 100μm
BG：＃2000 마감
●캐비티 구조 웨이퍼
5μm까지 연마
■ 설비 장치
■ TSV
대응 백 그라인딩 & 폴리싱
“TSV 가공에서의 주의점”
① 홀 주변의 면 처짐
→ 연마 시간에 따라 화학물질의 작용으로 홀 주변에 처짐이 발생할 수 있습니다.
② エッジ部のダメージ에지 대미지
TSV 가공 중에 DREI가 사용되므로 웨이퍼의 에지 부분에 침식이 발생할 수 있습니다.
③ 홀 내부의 이물질
→ 미세한 연마 파티클이 홀 내부에 남아 있을 수 있습니다. 당사는 이러한 주의 사항에 대해서 철저한 조치를 취하고 있습니다.
■ 하프
컷 다이싱
초박화 웨이퍼를 다이싱으로 하프 컷하고 이를 백 그라인딩해
칩으로 만듭니다.
■ 나이프
에지 방지 가공
“고객의 니즈”
● 웨이퍼 작동 후 웨이퍼가 파손되거나 끊어지는 현상을 어떻게 방지합니까? 이러한 대미지는 주로 인적 처리나 장치
운반에 의해 발생하며 수율에 영향을 미칩니다. 이 문제를 어떻게 해결합니까?
→
당사는 마감 두께에 대한 다양한 요구 사항을 만족시키는 사전 그라인딩 베벨링을 제공합니다(예: 100μm 또는 50μm).
또한 NC 컨트롤 베벨링을 통해 연마 패드를 교체하지 않고 다양한 두께의 웨이퍼를 가공할 수 있습니다.
BG 전
베벨링
BG 후
※베벨링 가공 안 함
※베벨링 가공 함
※나이프 에지 형성
※다양한 웨이퍼 두께와 양립할 수 있는 적절한 에지 프로파일을
형성하기 위한 베벨링
베벨링 가공을 한 6인치 100μm 웨이퍼와 베벨링 가공을 하지 않은 6인치 100μm 웨이퍼의 낙하
테스트 영상은 여기로→
● 나이프 에지 방지 가공 유닛
웨이퍼 크기：4, 5, 6, 8인치 대응
● 나이프 에지 방지 가공 유닛
NC 컨트롤 시스템을 통해 에지 형상은 두께에 따라 조정할 수 있습니다.
■ 백그라인딩
SOI, 글라스 접합 등 다양한 웨이퍼의 초박 가공부터 일반 양산 박형 웨이퍼(두께: 100~105μm) 까지 양산
수탁 가공 분야에서 수십년의 실적을 쌓아 왔습니다.
고객들로부터 받은 웨이퍼의 수율을 향상시키기 위해 앞으로도 지속적인 노력을 기울일 것입니다.
MEMS 대응：SOI・유리/Si 접합 웨이퍼, 관통 캐비티 구조, 관통전극, 비원형 등 웨이퍼.
● 백사이드 그라인더
웨이퍼 크기：4, 5, 6, 8인치 대응
● 백사이드 그라인더
매일 유지 보수 점검을 실시해 더 높은 수율을 달성.
■ 새로운 기능： 기존 공정에서는 웨이퍼 두께를 인 프로세스 게이지로 측정합니다. 당사는 NCG(non-contact
type gauge)를 사용하여 가공 중에 직접 웨이퍼에 접촉하지 않고 레이저로 두께를 측정해 정해진 두께로 가공합니다.
새로 개발된 공정에서는 캐비티 구조, 홀 웨이퍼 등 MEMS를 포함한 모든 웨이퍼를 측정할 수 있습니다. ■웨이퍼 크기：4, 5, 6, 8인치
■두께：100～150μm
■MEMS 웨이퍼 가공
SOI・GWSS 웨이퍼, 관통, 캐비티 구조, 관통전극, 비원형 등 웨이퍼의 연삭 연마에 대해 풍부한 경험을
보유하고 있습니다.
■ 매엽식
백사이드 연마
연삭 후 웨이퍼 표면에 생긴 미세한 요철 을 연마하는 경면 가공을 실시합니다.
이 공정에서 웨이퍼는 신중하게 연마 가공을 실시해 요철을 제거합니다. 웨이퍼 표면이 변형되거나 긁히지 않도록 정확하고
신속하게 연마합니다.
■매엽식 가공의 장점 ：
●왁스리스 공정이므로 세정이 감소해 더욱 높은 청결도를 달성할 수 있습니다.
●매엽식 공정 장비는 배치 타입에 비해 웨이퍼를 더욱 효과적으로 연마할 수 있으며 연삭 여유가 적습니다.
●매엽식 공정은 더욱 정확히 연마할 수 있으며 평탄도 또한 더 높은 수준을 달성할 수 있습니다.
● 매엽식 백사이드 연마
웨이퍼 크기：4, 5, 6, 8인치 대응
● 매엽식 백사이드 연마
이 장치는 박형 웨이퍼와 MEMS 웨이퍼를 가공할 수 있습니다.
■ 새 장치：8인치
백사이드 연마 장치 ■웨이퍼 크기：4, 5, 6, 8인치
■가장 얇은 박형 실적：8 인치 85μm
● 8인치 백사이드 연마 장치
웨이퍼 크기：4, 5, 6, 8인치 대응
● 8인치 백사이드 연마 장치
가장 얇은 박형 실적：8 인치 85μm
■ 자동
스크럽 세정 장치
■ 새 장치：
연마 후 잔류물이 알칼리성인 경우에는 흠집이나 파티클 발생의 원인이 됩니다. 자연산화막으로 코팅하기 전에 이러한 잔류물을
제거하는 것이 연마 기술의 핵심입니다.
당사의 기존 공정에서는 오퍼레이터가 수동으로 스크러빙을 실시해 웨이퍼를 한장씩 세정합니다. 현재는 인적 오류와 품질의
편차를 줄이기 위해 자동화된 세정 장비를 도입하는 등 품질 안정에 성공했습니다.
■웨이퍼 크기：4, 5, 6, 8인치
■두께：～ 100μm
■패턴 웨이퍼, MEMS 웨이퍼 등 SOI 웨이퍼
글라스 서포트 웨이퍼 등에도 대응 가능 。
● 자동 스크럽 세정 장치
고도의 세정 품질
● 자동 스크럽 세정 장치
웨이퍼 크기：4, 5, 6, 8인치 대응
석영, SiC 웨이퍼에도 효과적.
■ 비접촉식
가공면 테이프 박리
가공 표면에 접촉하지 않고 보호 테이프를 웨이퍼에서 분리합니다.
■웨이퍼 크기：5.6 인치
■테이프 타입：UV 테이프
■특징：
●베르누이 척킹 로보틱 암으로 웨이퍼에 접촉하지 않고 반송합니다.
●UV 조사 공정의 스테이지를 세팅한 후 이 공정을 통해 웨이퍼의 보호 테이프가 자동 제거 됩니다.
● 비접촉식 가공면 테이프 박리기
웨이퍼 크기： 5, 6인치 대응
● 비접촉식 가공면 테이프 박리기
연마 후 표면은 상당히 약합니다. 금속과 접촉하면 표면에 미세한 스크래치가 쉽게 발생합니다. 이 유닛은
웨이퍼 표면에 접촉하지 않고도 테이프를 제거할 수 있습니다.
■ 패턴
웨이퍼 RCA 세정
■가능한 공정
・금속 패턴 웨이퍼의 RCA 세정 (파티클과 금속 오염 세정)
・필름 웨이퍼의 RCA 세정 (파티클과 금속 오염 세정)
・핸들 웨이퍼나 접합 웨이퍼의 백사이드 RCA 세정 (파티클과 금속 오염 세정)
■기본 사양
・표면 접촉이 없는 자동 반송(카세트에서 카세트로)
・동시 더블 채임버 스핀 방식(RCA 세정⇒DIW 헹굼⇒건조)
・1액으로 금속 오염 세정
・4, 5, 6, 8인치 최소 150μm 두께에 대응 (현재 150μm 이하로 조정 중)
・당사에서는 핸들 웨이퍼 처리가 가능합니다.
당사는 이러한 주의 사항에 대해서 철저한 조치를 취하고 있습니다.
