실리콘 웨이퍼 부문에서 양산 실적이 있는 나이프 에지 방지 가공을 SiC
웨이퍼 박막화에도 적용 기대.
■ 패턴
SiC 웨이퍼의 씨닝 가공
패턴 SiC 웨이퍼 가공의 예
연삭 웨이퍼의 두께 변화(SiC 6인치 웨이퍼)
：um
※TV5：1um≧ 연삭 후
연삭 후의 조도 비교(SiC 6인치 웨이퍼)
고강성 그라인더 사용으로 두께
변화/표면조도 향상.
※기존 그라인더로 표면조도 향상.
■ 초박막
SiC 웨이퍼 처리
서포트 SiC 웨이퍼의 가공 샘플 데이터
연삭 웨이퍼의 두께 변화(SiC 4인치 웨이퍼)
※초박막화 & 초평탄화 달성.
Backｇgrinding
4 inch SiC
TV5 (um)
Range
A
B
C
D
E
22.88
22.4
22.03
22.75
22.31
0.37
당사는 독자 개발한 기술을 통해 원스톱 SiC 웨이퍼 가공(웨이퍼 연삭, 연마, RCA 세정)을 제공하고 있는
기업 중 하나입니다.
기존 반도체 툴과 장비를 활용해 SiC 웨이퍼 가공 기술을 개발하는데 성공한 당사의 공정은 SiC 부문에 사용되고
있는 기존 장비에 비해 처리량, 조도, 웨이퍼 사이즈의 유연성에서 뛰어난 실적을 올리고 있습니다.。
● 전반사 형광 X선 표면분석장치 TREX610
측정 가능한 금속: 12 원소（S, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu,
Zn)
● Candela CS20 웨이퍼 표면 검사기
웨이퍼 크기：3, 4, 5, 6인치
두께：300–1400 μm
■ 자동
스크럽 세정 장치
■ 새 장치：
연마 후 잔류물이 알칼리성인 경우에는 흠집이나 파티클 발생의 원인이 됩니다. 자연산화막으로 코팅하기 전에 이러한 잔류물을
제거하는 것이 연마 기술의 핵심입니다.
당사의 기존 공정에서는 오퍼레이터가 수동으로 스크러빙을 실시해 웨이퍼를 한장씩 세정합니다. 현재는 인적 오류와 품질의
편차를 줄이기 위해 자동화된 세정 장비를 도입하는 등 품질 안정에 성공했습니다.
■웨이퍼 크기：4, 5, 6, 8인치
■두께：～ 100μm
■패턴 웨이퍼, MEMS 웨이퍼 등 SOI 웨이퍼
글라스 서포트 웨이퍼 등에도 대응 가능 。
● 자동 스크럽 세정 장치
고도의 세정 품질
● 자동 스크럽 세정 장치
웨이퍼 크기：4, 5, 6, 8인치 대응
석영, SiC 웨이퍼에도 효과적.
■
SiC 웨이퍼 처리
기존 공정
롯코 공정
다이아몬드 랩핑
연마, CMP(배치)
연삭
연마, CMP
운영 비용
높음
(메탈 휠+다이아몬드)
중간
(패드+슬러리)
중간
(다이아몬드 휠)
중간
(패드+슬러리)
요구되는 수준의 가공 기
높음
중간
높음
높음
설비 비용
높음
중간
높음
높음
가공속도
매우 낮음
낮음
중간
중간
비고
"왁스 마운팅
랩핑 테이블 조정의 어려움,
높은 가공수 필요"
"왁스 마운팅
랩핑 테이블 조정의 어려움,
높은 가공수 필요"
"진공 처킹 시스템
자동 사파이어 연삭기"
왁스리스 폴리싱
■
SiC 웨이퍼 연삭 가공 조도
150mm SiC 웨이퍼 연삭 가공면 조도
평가
러프 그라인딩
파이널 그라인딩
조도
Ｒａ
12.4-14.6nm
2-5nm
뒤틀림
육안(스케일)
0.5-0.8mm
0.2-0.4mm
※표면조도：비접촉식 표면조도 측정 설비 Zygo
■
SiC 웨이퍼 CMP 표면 AMF 측정 결과(6인치)
6인치 SiC 표면 연마면 AFM 측정 결과(표면 3점)
중심
Ra:0.711Å
중간
Ra:0.576Å
에지
Ra:0.632Å
150mm SiC 웨이퍼
Si면 CMP 표면조도 Ra<0.1nm
■
SiC 웨이퍼 세정 후 파티클 측정 결과
150mm
SiC 웨이퍼 세정 후 파티클 측정 결과
세정 전
스크럽 세정
RCA 세정
1.스크럽 세정은 큰 사이즈의 파티클 제거에 효과적.
2.RCA 세정 후 파티클과 오염 제거.
3.10pieces≧0.3um
