기술과 가공에 대한 질문, 궁금하신 사항 등 부담을 갖지 마시고 문의해주세요.
담당 : 영업부
TEL: 81-798-65-4508
FAX: 81-798-67-5038
채용에 관한 문의는 아래 버튼을 클릭해주세요.
ROKKO ELECTRONICS Co., Ltd.
Zipp: 663-8105
8-5, Nakajima-cho, Nishinomiya-city, Hyogo, Japan
▼ 취급 업무
당사는 반도체 생산 공정에서 다음과 같은 업무를 취급합니다.
-웨이퍼의 표면과 백사이드의 정밀 연삭 및 연마 가공
-모니터 웨이퍼 재생 연마 가공
-화학적 처리 및 금속 오염, 파티클 관리 RCA 세정
-MEMS 웨이퍼 등 특수 웨이퍼의 각종 가공
■ 주요 가공 내용
백사이드 연삭 가공
백사이드 연마 가공
백사이드 연삭 연마 가공
■4~8 인치
■범프 웨이퍼
■감압형 테이프, UV 테이프
■링 프레임 웨이퍼
■4~8 인치
■배치식/매엽식 연마 장치
■단면/양면 경면 마감
■RCA 세정
■4~8 인치
■배치식/매엽식 연마 장치
■단면/양면 경면 마감
■GWSS
재생연마가공
MEMS 웨이퍼 가공
■4~6 인치
■막 제거
■RCA 세정
■파티클, 금속 오염, 두께, 외관검사
■4~8 인치
■BG&POL
■SOI 웨이퍼 각 레이어 두께 조정
■GWSS
■캐비티 구조, 실리콘관통전극
■하프 컷 다이싱
■ 각 가공별 사용기기와 설명
● UV 조사기
UV 테이프 박리기(다이싱 링 포함)
● 전자동 그라인더
단일 웨이퍼 및 다중 웨이퍼 생산 가능.
● 2류체 세척기
직경 8인치까지의 웨이퍼를 DIW 세정, 헹굼, 공기 건조. 。
모니터 웨이퍼 재생 연마 가공
웨이퍼 공정에서 이미 사용한 모니터 더미 웨이퍼를
신제품과 동등한 품질로 재생해 여러 번 사용 가능하게 하는 재활용 공정입니다. 이 공정을 통해 모니터 웨이퍼의
반복 사용이 가능해지므로 소재 비용을 절감 효과를 기대할 수 있습니다.
웨이퍼 사이즈
3인치
4 인치
5 인치
6 인치
막
제거
약액 선택
입고 검사
연마
두께 및 막 유형 분류
출하
최종
검사
세정
파티클, 금속 오염, 두께, 외관검사
RCA 세정
● 막 제거
웨이퍼의 다양한 막은 화학적 에칭으로 제거합니다.
● 배치식 연마기
배치식 경면 연마를 합니다.
● 매엽식 연마기
매엽식 경면 연마를 합니다.
● RCA 세정장치
웨이퍼의 파티클, 금속 오염 등을 제거합니다.
▼ 롯코의 강점
당사는 고객의 니즈를 만족시키기 위해 연삭 연마의 원스톱 공정을 통해 고정도 앞뒷면 가공이 가능한 정밀 기술을 확립하고
있으며 신속하게 납품하고 있습니다.
지금까지의 경험을 통해 당사는 MEMS 또는 기타 관련 가공을 통해 다양한 연마와 연삭 수요에 대응해 나가고 있습니다.
고객의 다양한 니즈에 맞춰 연삭 연마의 원스톱 가공이 가능하다는 점이 당사의 강점입니다.
■ 가공 품목
연삭 연마의 원스톱 가공
당사는 연삭 연마의 원스톱 가공 공정을 통해 센서 및 전원장치장치를 필요로 하는 얇은 경면 마감
처리를 실시하고 있습니다.
테스트 및 양산 대응 가능한 웨이퍼 사이즈는 4~8인치, 연마 마감 두께 15-100μm~ 입니다.
당사는 원스톱 가공 외에도 연삭 마감(#8000~), 연마 가공 등 특수 가공 의 니즈에 대해서도
대응하고 있습니다.
모니터 웨이퍼 재생 가공
당사는 두께, 파티클, 금속 오염 관리 등 에 대해 고객의 니즈에 맞춘 맞춤식 대응을 실시하고
있습니다.
이 가공에서는 3~6인치 웨이퍼를 재생할 수 있습니다.
MEMS가공
이 분야에서 경험을 축적해 온 당사 특별한 연삭 연마 기술을 통해 MEMS 가공도 실시하고 있습니다.
또한 단일 웨이퍼 생산부터 대량 생산, 시제품 제작까지 대응 가능합니다.
SOI・GWSS 웨이퍼, 관통, 캐비티 구조, 관통전극, 비원형 등 웨이퍼의 연삭 연마에 대해
풍부한 경험을 보유하고 있습니다.
■ 가공 품질
모든 공정은 잘 통제된 환경에서 이루어지고 있습니다.
환경관리시스템(ISO14000) 인증, 품질관리시스템(ISO9001) 인증을 취득해 국제적인 기준을 만족시키고
있습니다.
품질 중시
당사는 품질을 최우선으로 생각합니다. 두께 정확도, 광택 정밀도 등 모든 파라미터를 측정하고
모니터링하여 고객에게 최고의 품질과 서비스를 제공합니다.
▼ 검사 장치
당사는 연삭, 연마, 세정 분야에서 축적해 온 경험을 바탕으로 SiC와 사파이어 가공은 물론이며 Si 웨이퍼 부문의
새로운 기술 개발을 위해 끊임없이 노력하고 있습니다.
또한 고객 만족을 기술 개발과 성공의 토대로 삼고 있는 등 고객 여러분들의 든든한 서포트가 롯코를 성공으로 이끌고
있다고 믿고 있습니다. 이러한 기준을 바탕으로 최첨단 장비와 기술을 도입하고 고객 만족도를 더욱 향상시키기 위해
노력해 나갈 것입니다.
● 비접촉식 가공면 테이프 박리기
테이핑 웨이퍼, SOI 웨이퍼, 접합 웨이퍼, 수지/테이프 접합 웨이퍼의 실리콘(2장 이상인 경우 측정하고
싶은 쪽만)만 두께 측정이 가능합니다.
● 비접촉식 가공면 테이프 박리기
MEMS/센서 웨이퍼를 얇게 가공할 때 총 두께 관리가 아니라 실리콘 레이어, 활성 레이어만 두께 관리가
가능합니다.
■ 새 장치:비저항,
P/N, 두께 소터 장치
● 비저항, P/N, 두께 소터 장치
4, 5, 6, 8인치 대응
● 비저항, P/N, 두께 소터 장치
측정 가능한 저항 범위:1.0m~3.0MΩ・cm
● Candela CS20 웨이퍼 표면 검사기
이것은 투명 재료의 검사용으로 이용되며 다양한 결함 기반 흠, 오염, 에피층, 해칭, 결정 깨짐 등을 검출할
수 있습니다.
● Candela CS20 웨이퍼 표면 검사기
웨이퍼 크기:3, 4, 5, 6인치
두께:300–1400 μm
● 정전용량형 웨이퍼 두께 측정기
이 장치는 카세트로부터 웨이퍼를 꺼내 웨이퍼의 설정된 포인트에서 두께를 측정합니다.
비접촉 캐패시턴스 센서로 측정합니다.
● 정전용량형 웨이퍼 두께 측정기
측정 두께: 100μm~1800μm(웨이퍼 사이즈에 따라 다름).
중심점 측정(기계 구성을 통해 좌표 설정 가능).
● 전반사 형광 X선 표면분석장치 TREX610
측정 가능한 금속: 12 원소(S, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu,
Zn)
이 분야에서 경험을 축적해 온 당사 특별한 연삭 연마 기술을 통해 MEMS 가공도 실시하고 있습니다. 또한 단일 웨이퍼
생산부터 대량 생산, 시제품 제작까지 대응 가능합니다.SOI・GWSS 웨이퍼, 관통, 캐비티 구조, 관통전극, 비원형
등 웨이퍼의 연삭 연마에 대해 풍부한 경험을 보유하고 있습니다.
■ MEMS 가공 사례
●박형 웨이퍼
웨이퍼 지름:φ200mm
웨이퍼 두께: 32μm
BG:#2000 마감
●GWSS (글라스 웨이퍼 서포트 시스템)
웨이퍼 지름:φ200mm
웨이퍼 두께: 11μm
BG:#2000 마감
글라스:파이렉스
●GWSS (글라스 웨이퍼 서포트 시스템)
웨이퍼 지름:φ200mm
웨이퍼 두께: 4.5μm
연마 마감
글라스:파이렉스
연삭 및 연마
8 인치 실리콘
TV5 (um)
범위
A
B
C
D
E
4.15
4.6
4.37
2.21
3.93
2.39
●캐비티 구조 웨이퍼
웨이퍼 지름:φ150mm
웨이퍼 두께: 100μm
BG:#2000 마감
●캐비티 구조 웨이퍼
5μm까지 연마
■ 설비 장치
■ TSV
대응 백 그라인딩 & 폴리싱
“TSV 가공에서의 주의점”
① 홀 주변의 면 처짐
→ 연마 시간에 따라 화학물질의 작용으로 홀 주변에 처짐이 발생할 수 있습니다.
② エッジ部のダメージ에지 대미지
TSV 가공 중에 DREI가 사용되므로 웨이퍼의 에지 부분에 침식이 발생할 수 있습니다.
③ 홀 내부의 이물질
→ 미세한 연마 파티클이 홀 내부에 남아 있을 수 있습니다.
당사는 이러한 주의 사항에 대해서 철저한 조치를 취하고 있습니다.
■ 하프
컷 다이싱
초박화 웨이퍼를 다이싱으로 하프 컷하고 이를 백 그라인딩해
칩으로 만듭니다.
■ 나이프
에지 방지 가공
“고객의 니즈”
● 웨이퍼 작동 후 웨이퍼가 파손되거나 끊어지는 현상을 어떻게 방지합니까? 이러한 대미지는 주로 인적 처리나 장치
운반에 의해 발생하며 수율에 영향을 미칩니다. 이 문제를 어떻게 해결합니까?
→
당사는 마감 두께에 대한 다양한 요구 사항을 만족시키는 사전 그라인딩 베벨링을 제공합니다(예: 100μm 또는 50μm).
또한 NC 컨트롤 베벨링을 통해 연마 패드를 교체하지 않고 다양한 두께의 웨이퍼를 가공할 수 있습니다.
BG 전
베벨링
BG 후
※베벨링 가공 안 함
※베벨링 가공 함
※나이프 에지 형성
※다양한 웨이퍼 두께와 양립할 수 있는 적절한 에지 프로파일을
형성하기 위한 베벨링
베벨링 가공을 한 6인치 100μm 웨이퍼와 베벨링 가공을 하지 않은 6인치 100μm 웨이퍼의 낙하
테스트 영상은 여기로→
● 나이프 에지 방지 가공 유닛
웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치 대응
● 나이프 에지 방지 가공 유닛
NC 컨트롤 시스템을 통해 에지 형상은 두께에 따라 조정할 수 있습니다.
■ 백그라인딩
SOI, 글라스 접합 등 다양한 웨이퍼의 초박 가공부터 일반 양산 박형 웨이퍼(두께: 100~105μm) 까지 양산
수탁 가공 분야에서 수십년의 실적을 쌓아 왔습니다.
고객들로부터 받은 웨이퍼의 수율을 향상시키기 위해 앞으로도 지속적인 노력을 기울일 것입니다.
MEMS 대응:SOI・유리/Si 접합 웨이퍼, 관통 캐비티 구조, 관통전극, 비원형 등 웨이퍼.
● 백사이드 그라인더
웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치 대응
● 백사이드 그라인더
매일 유지 보수 점검을 실시해 더 높은 수율을 달성.
■ 새로운 기능: 기존 공정에서는 웨이퍼 두께를 인 프로세스 게이지로 측정합니다. 당사는 NCG(non-contact
type gauge)를 사용하여 가공 중에 직접 웨이퍼에 접촉하지 않고 레이저로 두께를 측정해 정해진 두께로 가공합니다.
새로 개발된 공정에서는 캐비티 구조, 홀 웨이퍼 등 MEMS를 포함한 모든 웨이퍼를 측정할 수 있습니다.
■웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치
■두께:100~150μm
■MEMS 웨이퍼 가공
SOI・GWSS 웨이퍼, 관통, 캐비티 구조, 관통전극, 비원형 등 웨이퍼의 연삭 연마에 대해 풍부한 경험을
보유하고 있습니다.
■ 매엽식
백사이드 연마
연삭 후 웨이퍼 표면에 생긴 미세한 요철 을 연마하는 경면 가공을 실시합니다.
이 공정에서 웨이퍼는 신중하게 연마 가공을 실시해 요철을 제거합니다. 웨이퍼 표면이 변형되거나 긁히지 않도록 정확하고
신속하게 연마합니다.
■매엽식 가공의 장점 :
●왁스리스 공정이므로 세정이 감소해 더욱 높은 청결도를 달성할 수 있습니다.
●매엽식 공정 장비는 배치 타입에 비해 웨이퍼를 더욱 효과적으로 연마할 수 있으며 연삭 여유가 적습니다.
●매엽식 공정은 더욱 정확히 연마할 수 있으며 평탄도 또한 더 높은 수준을 달성할 수 있습니다.
● 매엽식 백사이드 연마
웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치 대응
● 매엽식 백사이드 연마
이 장치는 박형 웨이퍼와 MEMS 웨이퍼를 가공할 수 있습니다.
■ 새 장치:8인치
백사이드 연마 장치 ■웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치
■가장 얇은 박형 실적:8 인치 85μm
● 8인치 백사이드 연마 장치
웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치 대응
● 8인치 백사이드 연마 장치
가장 얇은 박형 실적:8 인치 85μm
■ 자동
스크럽 세정 장치
■ 새 장치:
연마 후 잔류물이 알칼리성인 경우에는 흠집이나 파티클 발생의 원인이 됩니다. 자연산화막으로 코팅하기 전에 이러한 잔류물을
제거하는 것이 연마 기술의 핵심입니다.
당사의 기존 공정에서는 오퍼레이터가 수동으로 스크러빙을 실시해 웨이퍼를 한장씩 세정합니다. 현재는 인적 오류와 품질의
편차를 줄이기 위해 자동화된 세정 장비를 도입하는 등 품질 안정에 성공했습니다.
■웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치
■두께:~ 100μm
■패턴 웨이퍼, MEMS 웨이퍼 등 SOI 웨이퍼
글라스 서포트 웨이퍼 등에도 대응 가능 。
● 자동 스크럽 세정 장치
고도의 세정 품질
● 자동 스크럽 세정 장치
웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치 대응
석영, SiC 웨이퍼에도 효과적.
■ 비접촉식
가공면 테이프 박리
가공 표면에 접촉하지 않고 보호 테이프를 웨이퍼에서 분리합니다.
■웨이퍼 크기:5.6 인치
■테이프 타입:UV 테이프
■특징:
●베르누이 척킹 로보틱 암으로 웨이퍼에 접촉하지 않고 반송합니다.
●UV 조사 공정의 스테이지를 세팅한 후 이 공정을 통해 웨이퍼의 보호 테이프가 자동 제거 됩니다.
● 비접촉식 가공면 테이프 박리기
웨이퍼 크기: 5, 6인치 대응
● 비접촉식 가공면 테이프 박리기
연마 후 표면은 상당히 약합니다. 금속과 접촉하면 표면에 미세한 스크래치가 쉽게 발생합니다. 이 유닛은
웨이퍼 표면에 접촉하지 않고도 테이프를 제거할 수 있습니다.
■ 패턴
웨이퍼 RCA 세정
■가능한 공정
・금속 패턴 웨이퍼의 RCA 세정 (파티클과 금속 오염 세정)
・필름 웨이퍼의 RCA 세정 (파티클과 금속 오염 세정)
・핸들 웨이퍼나 접합 웨이퍼의 백사이드 RCA 세정 (파티클과 금속 오염 세정)
■기본 사양
・표면 접촉이 없는 자동 반송(카세트에서 카세트로)
・동시 더블 채임버 스핀 방식(RCA 세정⇒DIW 헹굼⇒건조)
・1액으로 금속 오염 세정
・4, 5, 6, 8인치 최소 150μm 두께에 대응 (현재 150μm 이하로 조정 중)
・당사에서는 핸들 웨이퍼 처리가 가능합니다.
이 장치는 카세트로부터 웨이퍼를 꺼내 웨이퍼의 설정된 포인트에서 두께를 측정합니다.
비접촉 캐패시턴스 센서로 측정합니다.
● 정전용량형 웨이퍼 두께 측정기
측정 두께: 100μm~1800μm(웨이퍼 사이즈에 따라 다름).
중심점 측정(기계 구성을 통해 좌표 설정 가능).
● 비접촉식 가공면 테이프 박리기
테이핑 웨이퍼, SOI 웨이퍼, 접합 웨이퍼, 수지/테이프 접합 웨이퍼의 실리콘(2장 이상인 경우 측정하고
싶은 쪽만)만 두께 측정이 가능합니다.
● 비접촉식 가공면 테이프 박리기
MEMS/센서 웨이퍼를 얇게 가공할 때 총 두께 관리가 아니라 실리콘 레이어, 활성 레이어만 두께 관리가
가능합니다.
▼ 파워 디바이스
파워 디바이스에는 다른 유형의 반도체 장치와 달리 고전압 실리콘이 사용됩니다. 그러므로 이 장치는 내열성이 뛰어난
고장력 방지 실리콘으로 만듭니다. 고장력 방지 실리콘은 실리콘 기질 위에 에피택시얼 층을 성장시키는 것으로 형성되며
실리콘 기질은 열복사 성질을 향상시키기 위해 얇게 처리합니다. 당사의 백사이드 연삭 가공은 웨이퍼 박리 공정에서 중요한
역할을 담당합니다.
연삭 후와 연삭 중에 고객 제품의 원래 품질을 보증할 수 있도록 기술과 공정 내용을 개발해 왔습니다. 예를 들면 연삭
표면의 게터링층 성장을 활성화시키는 특수 그라인딩 휠이 사용하는 것입니다.
파워 디바이스에서 전류는 수직방향(상단~하단)으로 흐릅니다. 이러한 특성 때문에 파워 디바이스는 백사이드에 전극을
설치해 표면에 전기를 흘려 보내는 구조입니다. 백사이드 전극은 금속 용착을 통해 형성됩니다. 금속 용착에서 금속층은
균일하게 성장거나 접착면이 벗겨집니다(공기 진입 후 온도 변화로 박리). 따라서 이 공정은 응력 제거 일반 연마면
보다 경면 마감이 요구됩니다. 이러한 기술적 요구사항을 준수하기 위해 당사는 자체 개발한 경면 마감 기술을 통해 고객
기준에 부합하는 제품을 제공하고 있습니다.
원스톱 가공 서비스가 바로 롯코의 강점입니다. (연삭 → 연마 → RCA 클리닝)
■ 설비 장치
● 육안 검사
제품 수입 시, 테이프 부착 후, 연삭 가공 후에 웨이퍼 표면 상태를 육안으로 검사합니다.
● 전자동 그라인더
직경 4~8인치 웨이퍼를 평탄도에 영향을 주지 않고 연마할 수 있습니다.
● 매엽식 연마기
웨이퍼는 고객이 요구하는 두께에 따라 연마합니다.
● 웨이퍼 마운팅
웨이퍼는 세라믹 플레이트에 마운팅합니다.
● 배치식 연마기
직경 4~8인치 웨이퍼를 경면 연마합니다.
● 웨이퍼 분리
웨이퍼는 연마를 한 후 플레이트에서 분리합니다.
● RCA 클리닝
연마를 한 후 웨이퍼의 파티클, 금속 오염 등을 제거합니다.
● 최종 검사
고객의 사양을 기준으로 웨이퍼를 측정하고 검사합니다.
▼ 롯코 프리미엄 프로세스
“고객 니즈의 만족”
● 웨이퍼 작동 후 웨이퍼가 파손되거나 끊어지는 현상을 어떻게 방지합니까?
이러한 대미지는 주로 인적 처리나 장치 운반에 의해 발생하며 수율에 영향을 미칩니다. 이 문제를 어떻게 해결합니까?
“고객의 니즈”
● 박막/연마 공정 후 패턴 또는 필름 웨이퍼 표면에서 얼룩을 어떻게 제거합니까?
● 장비의 세정 능력으로 인해 처리할 수 없는 웨이퍼가 있습니까?
※연마한 백사이드의 기존 세정 공정에서 파티클 세정을 위해 유기 또는 DI 웨이퍼 기반 기술을 사용합니다. 표면에서
금속 오염을 제거하기 위해 RCA 세정이 필요하지만 일반적인 RCA 세정은 패턴 또는 필름 표면을 에칭하고 대미지를
주기 때문에 사용할 수 없습니다.
こ반도체 백 엔드 프로세스에서 고객의 니즈에 부응하기 위해 당사는 장비 업체와의 협업을 통해 ‘롯코 프리미엄 프로세스(Premium
process)’를 개발했습니다.
■ 공정
기존
공정
보호
테이프 부착
백그라인딩
매엽식
백사이드 연마
비접촉식
가공면 테이프 박리
롯코
프리미엄 프로세스
보호
테이프 부착
나이프
에지 방지 가공
백그라인딩
매엽식
백사이드 연마
비접촉식
가공면 테이프 박리
패턴
웨이퍼 RCA 세정
■ 나이프
에지 방지 가공
“고객의 니즈”
● 웨이퍼 작동 후 웨이퍼가 파손되거나 끊어지는 현상을 어떻게 방지합니까? 이러한 대미지는 주로 인적 처리나 장치
운반에 의해 발생하며 수율에 영향을 미칩니다. 이 문제를 어떻게 해결합니까?
→
당사는 마감 두께에 대한 다양한 요구 사항을 만족시키는 사전 그라인딩 베벨링을 제공합니다(예: 100μm 또는 50μm).
또한 NC 컨트롤 베벨링을 통해 연마 패드를 교체하지 않고 다양한 두께의 웨이퍼를 가공할 수 있습니다.
BG 전
베벨링
BG 후
※베벨링 가공 안 함
※베벨링 가공 함
※나이프 에지 형성
※다양한 웨이퍼 두께와 양립할 수 있는 적절한 에지 프로파일을
형성하기 위한 베벨링
베벨링 가공을 한 6인치 100μm 웨이퍼와 베벨링 가공을 하지 않은 6인치 100μm 웨이퍼의 낙하
테스트 영상은 여기로→
● 나이프 에지 방지 가공 유닛
웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치 대응
● 나이프 에지 방지 가공 유닛
NC 컨트롤 시스템을 통해 에지 형상은 두께에 따라 조정할 수 있습니다.
■ 백그라인딩
SOI, 글라스 접합 등 다양한 웨이퍼의 초박 가공부터 일반 양산 박형 웨이퍼(두께: 100~105μm) 까지 양산
수탁 가공 분야에서 수십년의 실적을 쌓아 왔습니다.
고객들로부터 받은 웨이퍼의 수율을 향상시키기 위해 앞으로도 지속적인 노력을 기울일 것입니다.
MEMS 대응:SOI・유리/Si 접합 웨이퍼, 관통 캐비티 구조, 관통전극, 비원형 등 웨이퍼.
● 백사이드 그라인더
웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치 대응
● 백사이드 그라인더
매일 유지 보수 점검을 실시해 더 높은 수율을 달성.
■ 새로운 기능: 기존 공정에서는 웨이퍼 두께를 인 프로세스 게이지로 측정합니다. 당사는 NCG(non-contact
type gauge)를 사용하여 가공 중에 직접 웨이퍼에 접촉하지 않고 레이저로 두께를 측정해 정해진 두께로 가공합니다.
새로 개발된 공정에서는 캐비티 구조, 홀 웨이퍼 등 MEMS를 포함한 모든 웨이퍼를 측정할 수 있습니다.
■웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치
■두께:100~150μm
■MEMS 웨이퍼 가공
SOI・GWSS 웨이퍼, 관통, 캐비티 구조, 관통전극, 비원형 등 웨이퍼의 연삭 연마에 대해 풍부한 경험을
보유하고 있습니다.
■ 매엽식
백사이드 연마
연삭 후 웨이퍼 표면에 생긴 미세한 요철 을 연마하는 경면 가공을 실시합니다.
이 공정에서 웨이퍼는 신중하게 연마 가공을 실시해 요철을 제거합니다. 웨이퍼 표면이 변형되거나 긁히지 않도록 정확하고
신속하게 연마합니다.
■매엽식 가공의 장점 :
●왁스리스 공정이므로 세정이 감소해 더욱 높은 청결도를 달성할 수 있습니다.
●매엽식 공정 장비는 배치 타입에 비해 웨이퍼를 더욱 효과적으로 연마할 수 있으며 연삭 여유가 적습니다.
●매엽식 공정은 더욱 정확히 연마할 수 있으며 평탄도 또한 더 높은 수준을 달성할 수 있습니다.
● 매엽식 백사이드 연마
웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치 대응
● 매엽식 백사이드 연마
이 장치는 박형 웨이퍼와 MEMS 웨이퍼를 가공할 수 있습니다.
■ 새 장치:8인치
백사이드 연마 장치 ■웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치
■가장 얇은 박형 실적:8 인치 85μm
● 8인치 백사이드 연마 장치
웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치 대응
● 8인치 백사이드 연마 장치
가장 얇은 박형 실적:8 인치 85μm
■ 자동
스크럽 세정 장치
■ 새 장치:
연마 후 잔류물이 알칼리성인 경우에는 흠집이나 파티클 발생의 원인이 됩니다. 자연산화막으로 코팅하기 전에 이러한 잔류물을
제거하는 것이 연마 기술의 핵심입니다.
당사의 기존 공정에서는 오퍼레이터가 수동으로 스크러빙을 실시해 웨이퍼를 한장씩 세정합니다. 현재는 인적 오류와 품질의
편차를 줄이기 위해 자동화된 세정 장비를 도입하는 등 품질 안정에 성공했습니다.
■웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치
■두께:~ 100μm
■패턴 웨이퍼, MEMS 웨이퍼 등 SOI 웨이퍼
글라스 서포트 웨이퍼 등에도 대응 가능 。
● 자동 스크럽 세정 장치
고도의 세정 품질
● 자동 스크럽 세정 장치
웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치 대응
석영, SiC 웨이퍼에도 효과적.
■ 비접촉식
가공면 테이프 박리
가공 표면에 접촉하지 않고 보호 테이프를 웨이퍼에서 분리합니다.
■웨이퍼 크기:5.6 인치
■테이프 타입:UV 테이프
■특징:
●베르누이 척킹 로보틱 암으로 웨이퍼에 접촉하지 않고 반송합니다.
●UV 조사 공정의 스테이지를 세팅한 후 이 공정을 통해 웨이퍼의 보호 테이프가 자동 제거 됩니다.
● 비접촉식 가공면 테이프 박리기
웨이퍼 크기: 5, 6인치 대응
● 비접촉식 가공면 테이프 박리기
연마 후 표면은 상당히 약합니다. 금속과 접촉하면 표면에 미세한 스크래치가 쉽게 발생합니다. 이 유닛은
웨이퍼 표면에 접촉하지 않고도 테이프를 제거할 수 있습니다.
■ 패턴
웨이퍼 RCA 세정
■가능한 공정
・금속 패턴 웨이퍼의 RCA 세정 (파티클과 금속 오염 세정)
・필름 웨이퍼의 RCA 세정 (파티클과 금속 오염 세정)
・핸들 웨이퍼나 접합 웨이퍼의 백사이드 RCA 세정 (파티클과 금속 오염 세정)
■기본 사양
・표면 접촉이 없는 자동 반송(카세트에서 카세트로)
・동시 더블 채임버 스핀 방식(RCA 세정⇒DIW 헹굼⇒건조)
・1액으로 금속 오염 세정
・4, 5, 6, 8인치 최소 150μm 두께에 대응 (현재 150μm 이하로 조정 중)
・당사에서는 핸들 웨이퍼 처리가 가능합니다.
연삭과 연마는 반도체의 품질과 특성을 결정하는 핵심 기술입니다.
당사는 신기술을 지속적으로 개발해 공정에 적용함으로써 전체적인 가공 프로세스를 발전시켜 나가고 있습니다.
이러한 노력을 바탕으로 MESM 특수 웨이퍼 연삭 연마 공정에서 중요한 역할을 담당하고 있으며 R&D, 대량
생산 등 각 공정에 대한 고객의 요구에 높은 기술력으로 대응해 나가고 있습니다.
■ 연삭 기술
고정도 연삭에서는 두께 편차를 제거하는 것이 상당히 중요합니다. 이 과정에서
다양한 공정 장비를 이용해 고객의 니즈를 만족시키기 위해 최적의 연삭 결과물을 제공합니다.
당사의 연삭 기술은 시제품 제작 시 최소 15um, 양산 웨이퍼는 100~150μm로 가공 가능합니다.
■ 연마 기술
연삭 후 웨이퍼 표면에 생긴 미세한 요철 을 연마하는 경면 가공을 실시합니다.
이 공정에서 웨이퍼는 신중하게 연마 가공을 실시해 요철을 제거합니다. 웨이퍼 표면이 변형되거나 긁히지 않도록
정확하고 신속하게 연마합니다.
■ MEMS
MEMS(미세전자제어기술, Micro Electronics Mechanical
System) 가공 관통, 캐비티 구조, 관통 전극, 비원형 등 웨이퍼, GWSS 웨이퍼 등의 연삭 연마
가공이 가능합니다.
▼ 모니터 웨이퍼의 재생 연마
모니터 웨이퍼 재생 연마 가공
웨이퍼 공정에서 이미 사용한 모니터 더미 웨이퍼를
신제품과 동등한 품질로 재생해 여러 번 사용 가능하게 하는 재활용 공정입니다. 이 공정을 통해 모니터 웨이퍼의
반복 사용이 가능해지므로 소재 비용을 절감 효과를 기대할 수 있습니다.
웨이퍼 사이즈:
3 인치
4 인치
5 인치
6 인치
막
제거
약액 선택
입고 검사
연마
두께 및 막 유형 분류
출하
최종
검사
세정
파티클, 금속 오염, 두께, 외관검사
RCA 세정
■ 새 장치:비저항, P/N, 두께 소터 장치
● 비저항, P/N, 두께 소터 장치
4, 5, 6, 8인치 대응
● 비저항, P/N, 두께 소터 장치
측정 가능한 저항 범위:1.0m~3.0MΩ・cm
■ 설비 장치
● 막 종류 분류
숙련된 오퍼레이터가 웨이퍼를 막을 종류별로 분류합니다.
● 막 제거
웨이퍼의 다양한 막은 화학적 에칭으로 제거합니다.
● 두께 분류
웨이퍼는 막 제거 후 두께별로 분류합니다.
● 웨이퍼 마운팅
웨이퍼는 세라믹 플레이트에 마운팅합니다.
● 배치식 연마기
배치식 경면 연마를 합니다.
● 웨이퍼 분리
웨이퍼는 연마를 한 후 플레이트에서 분리합니다.
● RCA 세정기
연마 후 웨이퍼의 금속 오염과 파티클 등을 제거하기 위해 세정합니다.
● 파 틱클 카운타
연마한 웨이퍼 표면의 파티클을 검사합니다.
● 최종 검사
고객의 사양을 기준으로 웨이퍼를 측정하고 검사합니다.
● 전반사 형광 X선 표면분석장치 TREX610
측정 가능한 금속: 12 원소(S, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu,
Zn)
신소재 웨이퍼 공정을 위한 전용 공장
신규 오픈
2017년 1월~
~신소재: SiC,사파이어,LT 등 ~
● 양산화 처리 능력 증가
● 실리콘 웨이퍼 공정과 분리, 웨이퍼 수입부터 출하까지 원스톱 처리
● 공정 단축으로 비용 절감
● 2017년 3월부터 양산화 개시
■ 화합물 웨이퍼
전용 신공장
3층 세정/출하 검사
2층 연마실
1층 연삭실
■ 신공장의
강점
고강성 그라인더 사용으로 편평도, 표면조도, 가공변질층의 고품질화 달성
⇒공정 비용 삭감
백 그라인딩 후의 뒤틀림 감소
⇒연삭+연마의 원스톱 공정 가능
사파이어 전용 세정 장비의 도입으로 고품질 세정
(오염+파티클 감소)
실리콘 웨이퍼 부문에서 양산 실적이 있는 나이프 에지 방지 가공을 사파이어
웨이퍼 박막화에도 적용 기대
■ 패턴
SiC 웨이퍼의 씨닝 가공
패턴 SiC 웨이퍼 가공의 예
연삭 웨이퍼의 두께 변화(SiC 6인치 웨이퍼)
:um
※TV5:1um≧ 연삭 후
연삭 후의 조도 비교(SiC 6인치 웨이퍼)
고강성 그라인더 사용으로 두께
변화/표면조도 향상.
※기존 그라인더로 표면조도 향상.
당사는 독자 개발한 기술을 통해 원스 톱 사파이어 웨이퍼 가공(웨이퍼 연삭, 연마, RCA 세정)을 제공하고 있는
기업 중 하나입니다.
기존 반도체 툴과 장비를 활용해 사파이어 웨이퍼 가공 기술을 개발하는데 성공한 당사의 공정은 사파이어 부문에 사용되고
있는 기존 장비에 비해 처리량, 조도, 웨이퍼 사이즈의 유연성에서 뛰어난 실적을 올리고 있습니다.
● 전반사 형광 X선 표면분석장치 TREX610
측정 가능한 금속: 12 원소(S, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu,
Zn)
● Candela CS20 웨이퍼 표면 검사기
웨이퍼 크기:3, 4, 5, 6인치
두께:300–1400 μm
■ 자동
스크럽 세정 장치
■ 새 장치:
연마 후 잔류물이 알칼리성인 경우에는 흠집이나 파티클 발생의 원인이 됩니다. 자연산화막으로 코팅하기 전에 이러한 잔류물을
제거하는 것이 연마 기술의 핵심입니다.
당사의 기존 공정에서는 오퍼레이터가 수동으로 스크러빙을 실시해 웨이퍼를 한장씩 세정합니다. 현재는 인적 오류와 품질의
편차를 줄이기 위해 자동화된 세정 장비를 도입하는 등 품질 안정에 성공했습니다.
■웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치
■두께:~ 100μm
■패턴 웨이퍼, MEMS 웨이퍼 등 SOI 웨이퍼
글라스 서포트 웨이퍼 등에도 대응 가능 。
● 자동 스크럽 세정 장치
고도의 세정 품질
● 자동 스크럽 세정 장치
웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치 대응
석영, SiC 웨이퍼에도 효과적.
■
사파이어 웨이퍼 처리
기존 공정
롯코 공정
다이아몬드 랩핑
연마, CMP(배치)
연삭
연마, CMP
운영 비용
높음
(메탈 휠+다이아몬드)
중간
(패드+슬러리)
중간
(다이아몬드 휠)
중간
(패드+슬러리)
요구되는 수준의 가공 기
높음
중간
높음
높음
설비 비용
높음
중간
높음
높음
가공속도
매우 낮음
낮음
중간
중간
비고
"왁스 마운팅
랩핑 테이블 조정의 어려움,
높은 가공수 필요"
"왁스 마운팅
랩핑 테이블 조정의 어려움,
높은 가공수 필요"
"진공 처킹 시스템
자동 사파이어 연삭기"
왁스리스 폴리싱
■
사파이어 웨이퍼 세정 후 파티클 측정 결과
150mm사파이어
웨이퍼 세정 후 파티클 측정 결과
세정 전
스크럽 세정
RCA 세정
1.스크럽 세정은 큰 사이즈의 파티클 제거에 효과적.
2.RCA 세정 후 파티클과 오염 제거.
3.10pieces≧0.3um
■
사파이어 웨이퍼 세정 후 금속 오염
150mm사파이어 웨이퍼
세정 후 금속 오염
TXRF 측정장치
사파이어 웨이퍼 세정 후 TRFX 측정 결과
<5X1010atoms/cm2
▼ 센서 디바이스
센서 디바이스 공정에서 먼저 웨이퍼 표면에 전기 회로(패턴)가 형성됩니다. 둘째, 백사이드는 얇게 연삭됩니다. 디바이스
패턴이 있는 웨이퍼는 고객의 고부가가치 상품이므로 취급 시에 각별히 주의하고 있습니다. 당사의 공정에서는 엄선된 보호
테이프를 사용하므로 패턴에 손상을 주지 않고 웨이퍼를 가공할 수 있습니다.
파워 디바이스 연삭 가공과 유사하며 연삭 표면의 게터링층 성장을 활성화시키는 특수 그라인딩 휠도 이용 가능합니다.
당사의 강점으로 원스톱 연삭 연마 가공을 통해 우수한 센서 디바이스 가공 기술을 제공할 수 있다는 점을 들 수 있습니다.
원스톱 가공이 바로 롯코의 강점입니다. (연삭 → 연마)
■ 설비 장치
● 웨이퍼 보호 테이프 접착기
수입 검사 후에 압력 센서 또는 UV 테이프가 웨이퍼에 접착됩니다. 테이프가 접착된 웨이퍼는 이 공정에서
부착된 이물질 등을 검사합니다.
● 전자동 그라인더
직경 4~8인치 웨이퍼를 평탄도에 영향을 주지 않고 연마할 수 있습니다.
● 육안 검사
웨이퍼 형상은 이 공정에서 확인할 수 있습니다.
● 매엽식 연마기
웨이퍼는 고객이 요구하는 두께에 따라 연마합니다.
● 비접촉식 가공면 테이프 박리기
가공면에 접촉하지 않고 테이프를 제거합니다.
● 초음파 세정기
테이프를 제거한 후 초음파로 웨이퍼를 세척합니다.
● 최종 검사
고객의 사양을 기준으로 웨이퍼를 측정하고 검사합니다.
● 비접촉식 가공면 테이프 박리기
테이핑 웨이퍼, SOI 웨이퍼, 접합 웨이퍼, 수지/테이프 접합 웨이퍼의 실리콘(2장 이상인 경우 측정하고
싶은 쪽만)만 두께 측정이 가능합니다.
● 비접촉식 가공면 테이프 박리기
MEMS/센서 웨이퍼를 얇게 가공할 때 총 두께 관리가 아니라 실리콘 레이어, 활성 레이어만 두께 관리가
가능합니다.
▼ 신뢰의 경영
당사에서는 수율을 아래와 같이 그래프화해서 공개하고 있습니다.
고객과 계약한 공정 내용의 실제 데이터 공개함으로써 고객의 신뢰를 제고하고 있습니다.
백 그라인딩(처리수량과 수율):
↓ 클릭하시면 큰 이미지가 표시됩니다.
백 그라인딩 제품(두께 기준 수율):
↓ 클릭하시면 큰 이미지가 표시됩니다.
백 그라인딩+연마 제품(처리수량과 수율):
↓ 클릭하시면 큰 이미지가 표시됩니다.
백 그라인딩+연마 제품(두께 기준 수율):
↓ 클릭하시면 큰 이미지가 표시됩니다.
신소재 웨이퍼 공정을 위한 전용 공장
신규 오픈
2017년 1월~
~신소재: SiC,사파이어,LT 등 ~
● 양산화 처리 능력 증가
● 실리콘 웨이퍼 공정과 분리, 웨이퍼 수입부터 출하까지 원스톱 처리
● 공정 단축으로 비용 절감
● 2017년 3월부터 양산화 개시
■ 화합물 웨이퍼
전용 신공장
3층 세정/출하 검사
2층 연마실
1층 연삭실
■ 신공장의
강점
고강성 그라인더 사용으로 편평도, 표면조도, 가공변질층의 고품질화 달성
⇒공정 비용 삭감
백 그라인딩 후의 뒤틀림 감소
⇒연삭+연마의 원스톱 공정 가능
SiC 전용 세정 장비의 도입으로 고품질 세정
(오염+파티클 감소)
실리콘 웨이퍼 부문에서 양산 실적이 있는 나이프 에지 방지 가공을 SiC
웨이퍼 박막화에도 적용 기대.
■ 패턴
SiC 웨이퍼의 씨닝 가공
패턴 SiC 웨이퍼 가공의 예
연삭 웨이퍼의 두께 변화(SiC 6인치 웨이퍼)
:um
※TV5:1um≧ 연삭 후
연삭 후의 조도 비교(SiC 6인치 웨이퍼)
고강성 그라인더 사용으로 두께
변화/표면조도 향상.
※기존 그라인더로 표면조도 향상.
■ 초박막
SiC 웨이퍼 처리
서포트 SiC 웨이퍼의 가공 샘플 데이터
연삭 웨이퍼의 두께 변화(SiC 4인치 웨이퍼)
※초박막화 & 초평탄화 달성.
Backggrinding
4 inch SiC
TV5 (um)
Range
A
B
C
D
E
22.88
22.4
22.03
22.75
22.31
0.37
당사는 독자 개발한 기술을 통해 원스톱 SiC 웨이퍼 가공(웨이퍼 연삭, 연마, RCA 세정)을 제공하고 있는
기업 중 하나입니다.
기존 반도체 툴과 장비를 활용해 SiC 웨이퍼 가공 기술을 개발하는데 성공한 당사의 공정은 SiC 부문에 사용되고
있는 기존 장비에 비해 처리량, 조도, 웨이퍼 사이즈의 유연성에서 뛰어난 실적을 올리고 있습니다.。
● 전반사 형광 X선 표면분석장치 TREX610
측정 가능한 금속: 12 원소(S, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu,
Zn)
● Candela CS20 웨이퍼 표면 검사기
웨이퍼 크기:3, 4, 5, 6인치
두께:300–1400 μm
■ 자동
스크럽 세정 장치
■ 새 장치:
연마 후 잔류물이 알칼리성인 경우에는 흠집이나 파티클 발생의 원인이 됩니다. 자연산화막으로 코팅하기 전에 이러한 잔류물을
제거하는 것이 연마 기술의 핵심입니다.
당사의 기존 공정에서는 오퍼레이터가 수동으로 스크러빙을 실시해 웨이퍼를 한장씩 세정합니다. 현재는 인적 오류와 품질의
편차를 줄이기 위해 자동화된 세정 장비를 도입하는 등 품질 안정에 성공했습니다.
■웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치
■두께:~ 100μm
■패턴 웨이퍼, MEMS 웨이퍼 등 SOI 웨이퍼
글라스 서포트 웨이퍼 등에도 대응 가능 。
● 자동 스크럽 세정 장치
고도의 세정 품질
● 자동 스크럽 세정 장치
웨이퍼 크기:4, 5, 6, 8인치 대응
석영, SiC 웨이퍼에도 효과적.
■
SiC 웨이퍼 처리
기존 공정
롯코 공정
다이아몬드 랩핑
연마, CMP(배치)
연삭
연마, CMP
운영 비용
높음
(메탈 휠+다이아몬드)
중간
(패드+슬러리)
중간
(다이아몬드 휠)
중간
(패드+슬러리)
요구되는 수준의 가공 기
높음
중간
높음
높음
설비 비용
높음
중간
높음
높음
가공속도
매우 낮음
낮음
중간
중간
비고
"왁스 마운팅
랩핑 테이블 조정의 어려움,
높은 가공수 필요"
"왁스 마운팅
랩핑 테이블 조정의 어려움,
높은 가공수 필요"
"진공 처킹 시스템
자동 사파이어 연삭기"
왁스리스 폴리싱
■
SiC 웨이퍼 연삭 가공 조도
150mm SiC 웨이퍼 연삭 가공면 조도
평가
러프 그라인딩
파이널 그라인딩
조도
Ra
12.4-14.6nm
2-5nm
뒤틀림
육안(스케일)
0.5-0.8mm
0.2-0.4mm
※표면조도:비접촉식 표면조도 측정 설비 Zygo
■
SiC 웨이퍼 CMP 표면 AMF 측정 결과(6인치)
6인치 SiC 표면 연마면 AFM 측정 결과(표면 3점)
중심
Ra:0.711Å
중간
Ra:0.576Å
에지
Ra:0.632Å
150mm SiC 웨이퍼
Si면 CMP 표면조도 Ra<0.1nm
■
SiC 웨이퍼 세정 후 파티클 측정 결과
150mm
SiC 웨이퍼 세정 후 파티클 측정 결과
세정 전
스크럽 세정
RCA 세정
1.스크럽 세정은 큰 사이즈의 파티클 제거에 효과적.
2.RCA 세정 후 파티클과 오염 제거.
3.10pieces≧0.3um
■
SiC 웨이퍼 세정 후 금속 오염
150mm
SiC 웨이퍼 세정 후 금속 오염
TXRF 측정장치
SiC 웨이퍼 세정 후 TRFX 측정 결과
<5X1010atoms/cm2
▼ 사파이어 & SiC 전용 그라인더
사파이어와 SiC 웨이퍼 부문의 최신 동향을 살펴보면 웨이퍼의 직경이 점점 커지고 있습니다. 당사는 기존 설비로 최신
동향에 대응하기에는 한계가 있다고 분석하고 사파이어와 SiC 연삭 공정에 고정 연마립식 장비를 도입했습니다.
현재 새로 도입한 장비로 고객의 다양한 니즈에 대응하고 있습니다.
■ 사파이어와
SiC 웨이퍼 공정에 대한 신념
●당사는 오랜 기간 동안 구축해온 반도체 관련 고객들과의 신뢰를 바탕으로 가공 서비스를 제공하고 있습니다(DIW,
클린룸 관리, 장비 관리/오퍼레이터 교육/오퍼레이터 인증 업무 기준).
●왁스리스 공정은 디바이스의 웨이퍼만이 아니라 프라임 웨이퍼에도 적용 가능합니다. 웨이퍼 박막화에서는 세정이 상당히
중요하기 때문입니다.
●원스톱 공정이 가능합니다. 박막화 작업 → 경면, 스트레스 완화(연마) → 표면 세정(오염, 파티클 제거)(RCA
세정)과 베벨링.
●당사의 공정은 기존 공정에 비해 시간과 비용 면에서 효율적입니다.
기존 공정
롯코 공정
다이아몬드 랩핑
다이아몬드 연마
연마, CMP(배치)
연삭
연마, CMP
운영 비용
높음
(메탈 휠+다이아몬드)
높음
(금속 휠 또는 패드+슬러리)
중간
(패드+슬러리)
중간
(다이아몬드 휠)
중간
(패드+슬러리)
요구되는 수준의 가공 기술
높음
높음
중간
높음
높음
설비 비용
높음
높음
중간
높음
높음
가공속도
매우 낮음
매우 낮음
낮음
중간
높음
비고
"왁스 마운팅
랩핑 테이블 조정의 어려움,
높은 가공수 필요"
"왁스 마운팅
랩핑 테이블 조정의 어려움,
높은 가공수 필요"
"왁스 마운팅,
랩핑 테이블 조정의 어려움"
"진공 처킹 시스템
자동 사파이어&SiC 연삭기"
왁스리스 폴리싱
■ 새 장치:
● 다이아몬드 랩핑 장치
3, 4, 5, 6인치 대응
● 다이아몬드 랩핑 장치
SiC 웨이퍼의 필름 스트립핑 재생.
● 사파이어 & SiC 전용 그라인더
이 장치는 사파이어와 SiC와 같은 6인치 경질 웨이퍼용입니다.
● 사파이어 & SiC 전용 그라인더
NC 제어 시스템의 자동 가공.
● 사파이어 & SiC 전용 그라인더
이 장치는 전자동 웨이퍼 가공을 처리하기 위해 웨이퍼 자동 이송 시스템을 갖추고 있습니다.
● 사파이어 & SiC 전용 그라인더
진공 처킹 시스템(왁스리스) 장착.
● 사파이어 6 인치
패턴 웨이퍼와 프라임 웨이퍼 모두 처리 가능합니다.
● 사파이어 6 인치
SiC 웨이퍼는 특별한 그라인딩 휠로 가공합니다.
● SiC 6 인치
패턴 웨이퍼와 프라임 웨이퍼 모두 처리 가능합니다.
● SiC 6 인치
SiC 웨이퍼는 특별한 그라인딩 휠로 가공합니다.
▼ 회장의 메시지
먼저
평소 저희 회사에 베풀어 주신 사랑과 관심에 진심으로 감사드립니다.
당사는 1921년 창립자 고바야시 카쓰지로(小林勝次郎)가 해군공창에서 평면 연마에 첫걸음을 내디딘 것이
그 시작입니다.
후일 특수광학측정기기 제조사 “렉스광학연구소 (Rex Optical Research Center )”를
창업.
일본에서 반도체 산업이 새로 탄생한 시대이기도 한, 1963년에 “유한회사 렉스광학계기제작소 (Rex Optical
Meter works Ltd. )”로 조직을 개편하여 반도체 연마와 가공을 시작했습니다.
1983년 렉스광학계기제작소가 후쿠오카 로 이전함에 따라 “롯코전자㈜”를 설립하여 사업을 계승했습니다.
현재 각종 반도체 제품은 삶의 구석 구석에 스며들어 고도 정보화 사회를 이끌어 나가는 역할을 하고 있습니다.
이러한 상황에서 실리콘 웨이퍼 가공, 프라임 웨이퍼 경면 연마 가공 및 양면 미러 가공, 백그라인딩 가공
등의 기술력 확보에 힘을 쓰며 1994년에 웨이퍼 재생 가공 사업을 전개.
대형 연마기를 비롯하여 그라인더, 래핑 등 각종 기기를 설치하고 연삭+연마의 조합 가공과 에칭 처리를 필요로
하는 실리콘 제품 가공으로 업무를 확대해 왔습니다. 앞으로도 창업 시와 다름없이 “더 좋은 것을, 더 빨리,
더 싸게, 더 안전하게” 제조하는 노력을 계속 하겠습니다.
또 창조성이 넘치는 청신한 기풍을 도입하여 기술을 추구하고 지금까지 이상으로 많은 분들에게 신뢰와 기대
받는 기업을 목표로 하여 직원과 함께 최선을 다 할 것입니다. 부디 더 많은 관심과 지도를 부탁드립니다.
▼ 경영이념
고객의 요구에 부합한 서비스를 각자가 긍지와 자부심을 갖고 제공하여 만족을 얻는다.
또 그 요구에 따라서 성장과 변화를 함으로써 새로운 가치를 창출하여 새로운 고객을 창조한다.
이러한 일들을 통해서 얻은 성과로 모든 직원과 그 가족들을 포함한 행복을 추구해 나간다.
▼ 회사개요
회사 명
롯코전자 주식회사 (Rokko Electronics Co.,
Ltd.)
소재지
8-5, Nakajimacho, Nishinomiya-city,
Hyogo, 663-8105, Japan
TEL
FAX
81-798-65-4508
81-798-67-5038
설립
1983년9월
자본금
3,000만엔
임원
대표이사
고바야시 히데모리 (小林秀守)
관련화사
유한회사 렉스광학계기제작소 (Rex Optical Meter
Works Ltd.)
업무내용
실리콘 웨이퍼 각종 가공
재생 처리
연마 처리
연삭 가공
MEMS에 대응한 매우 얇은 웨이퍼 연삭, 연마 가공
특수 가공
에칭 가공
▼ 연혁
1921년3월
창업자 고바야시 가쓰지로 (小林勝次郎)가 해군공창에서 독일인 기술자와 함께 평면
연마의 첫걸음을 디뎠다. 후일 일본광학㈜ (현 니콘)로 전출하여 평면 연마 가공을 다루게 되었다.
1932년
도쿄에서 고바야시광기를 창설.
광학측정기기 제작 및 특수 연마 가공을 주로 영업 활동을 시작한다.
1947년3월
제2차 세계대전 후 효고현 니시노미야시에 이전하여 특수광학 측정기기 제조사로서
“렉스광학연구소 (Rex Optical Research Center)” 로 명칭 변경.
1960년4월
반도체 연마 가공을 시작.
1963년6월
法법인으로 전환. “렉스광학계기제작소 (Rex Optical Meter
works Ltd.)”로 변경.
실리콘 웨이퍼 연마 가공 사업을 추진.
1983년9월
롯코전자 주식회사를 설립. 렉스광학에서 사업 계승되어 렉스광학은 미쓰비시전기
후쿠오카제작소 내로 이전.
1994년7월
재생 웨이퍼 사업을 본격적 전개하기 위하여 B동을 건설. 공장 정비, 대형 연마기,
RCA 세정장치를 비롯하여 각종 기기를 설치.
2001년5월
ISO 14001 인증 취득
2005년2월
MEMS에 대응하는 얇은 웨이퍼 연마장치 도입
2005년3월
ISO 9001:2000 인증 취득
2012년11월
2012년도 니시노미야시 우량사업소 표창 수상
2017년1월
대표이사 고바야시히데모리 (小林秀守) 취임
2017년1월
신소재:SiC,사파이어, LT 등 전용, 신공장 준공
2018년2월
ISO 9001:2015、14001:2015 인증 취득
▼ 오시는 방법
■ 오시는 길
●JR코시엔구치 ( 甲子園口)역 하차 선로를 따라 걸어서 10분
●한큐 니시노미야키타구치 (阪急西宮北口) 역 하차 남동쪽으로 걸어서 15분
▼ 2020년 롯코전자㈜ 달력
■ 아래를 클릭하면 인쇄용 PDF 파일이 열립니다.
▼ 롯코의 안전 경영:
현장에는 늘 사고와 부상의 위험이 도사리고 있습니다. 당사는 임직원들의 안전을 업무시간은 물론이며 통근 시간에도
보장해야 한다는 점의 중요성을 잘 알고 있습니다. 이러한 중요성에 대해 회사로의 책임을 다하기 위해 안전위생위원회를
매달 1회 개최해 부서별로 제기된 안전 문제를 검토하고 ‘위험 평가’를 작성합니다. ‘PDCA’ 사이클 내의 진행
상황을 모니터링을 하기 위해 위험 평가에서 안전문제를 최우선으로 처리합니다. 또한 지속적으로 개선 가능하도록 안전위생관리자가
정기적으로 현장의 작업 환경을 점검합니다.
또한 중소기업청이 수립한 <
BCP (긴급 시 기업존속계획 또는 사업계속계획) > 운영지침에 의거하여 롯코전자도 2011년 9월에
수립하여 안전위생위원회에서 운영 및 갱신에 힘쓰고 있습니다.
작업 중에는 반드시 보호구를 착용하고 있습니다. 만일의 경우를 대비해 눈세척기가 설치되어 있습니다.
● 병원 일람표
응급상황에 대비해 병원 연락처를 게시하고 있습니다.
● 긴급 상황 시 연락처
‘긴급 상황 시 연락하는 방법’을 게시해 적시에 적절한 방법으로 긴급 연락을 할 수 있도록 대처하고 있습니다.
● 정전대비 대피훈련
긴급상황이 발생했을 시에 원활하게 대피할 수 있도록 정기적으로 대피 훈련을 실시합니다.
● 정전대비 대피훈련
먼저 관리자는 설비를 순서대로 정지시킵니다. 그 후 그룹 리더가 오퍼레이터들을 대피시킵니다.
● 정전대비 대피훈련
모든 직원들과 오퍼레이터들은 회사 주차장으로 대피합니다.
● 정전대비 대피훈련
당사는 이러한 훈련을 통해 당초 목표로 설정한 대피시간 10분을 7분 46초로 단축시켰습니다.
▼ 롯코의 품질 경영:
롯코전자가 지향하는 좋은 품질이란 기대 이상의 높은 고객 만족도와 철저한 납기 준수를 위해 끊임없는 노력하는
자세를 통해 달성된다고 생각하고 있습니다.
당사가 생산하는 제품이 생명을 지원하는 장치의 일부로 사용되고 있다는 점을 저희 임직원 일동은 마음 속 깊이 새기고
있습니다.임직원 개개인이 자부심을 가지고 각자의 업무를 수행하며 더 좋은 서비스를 제공하기 위해 앞으로도 최선을
다할 것입니다.
● ISO9001:2015
당사는 2005년 3월에 ISO 9001 인증을 취득했습니다. 회사의 다양한 목표를 달성하기 위해 ISO
권장 ‘PDCA(계획, 확인, 실행)’ 기법을 구현했습니다.
● 표준 작업절차서
당사는 오퍼레이터들이 동시에 업무 성과를 올릴 수 있도록 SOP 구축에 힘써 왔습니다.
● 공정 흐름도
오퍼레이터들이 인적 오류를 최소화할 수 있도록 시각화했습니다.
● 인증작업표
각 오퍼레이터들의 인증 기술을 표 형식으로 요약해 다음 목표 기술을 예상할 수 있도록 했습니다.
● 공정점검일지
설비를 작동시키기 위해 설비 운전 확인 리스트를 준비했습니다.
● 측정기기 확인시트
모든 기기의 교정 내용을 기록합니다.
● 설비별 가동주기표
모든 설비는 가동주기에 따라 유지관리됩니.
● 공정청소내용 확인시트
공정과 설비 청소 내용을 지속적으로 기록하고 있습니다.
● PH 교정 확인표
연마기의 PH 교정을 기록합니다.
● 소그룹 활동 회의록
정기 회의는 공정 오퍼레이터가 개최하며 회의록을 제출합니다.
● 파일 일람
모든 기록을 적절하게 파일링합니다.
● 온도와 습도 기록
온도와 습도를 측정하고 기록합니다.
● 품질관리위원회1
품질관리위원회를 매달 개최합니다.
● 품질관리위원회2
이 위원회는 고객의 니즈와 요청에 따라 자발적으로 개최합니다.
▼ 롯코의 그린 경영:
효고현 니시노미야시의 준공업지구인 나카시마초에 위치한 당사는 반도체 소재 가공 분야에서 중요한 역할을 담당하고
있습니다. 안타깝게도 생산 공정 중에 많은 양의 에너지, 천연자원, 화학물질을 소비하며 산업폐기물도 배출하고 있습니다.
당사의 임직원 일동은 이러한 상황을 개선하여 지속가능한 친환경 사회 조성에 공헌하고자 자발적으로 그린 경영을 실시하고
있습니다.
간사이 전력의 하기 절전 요청에 따라 수요 감시 제어장치를 설치해 전력사용량을 모니터링합니다.
● 녹색 커튼
절전 요청에 협력하기 위해 ‘녹색 커튼’을 설치했습니다.
● 녹색 커튼
‘녹색 커튼’은 여주와 같은 덩굴식물들을 이용해서 창문을 가리는 것을 말합니다. 창문으로 들어오는 강한
여름 햇빛을 차단할 뿐만 아니라 실내 온도의 상승을 억제하는 효과도 있습니다.
● 여주
500개 이상의 여주를 수확할 수 있습니다.
● 여주
수확한 여주는 임직원들과 이웃들에게 나눠 드립니다.
● 인증 취득 산업폐기물 보관장소
담당자를 배치해 보관 중인 산업폐기물의 상태와 위치를 관리합니다.
▼ 품질 및 환경 기본이념
당사는 “더 좋은 것을, 더 빨리, 더 싸게, 더 안전하게”라는 방침을 바탕으로 하여 일찍부터ISO9001(2005년3월),
14001(2001년5월)을 취득하여 엄격한 품질관리와 지구환경과 지역사회 보전에 노력하고 항상 고객의 요구에 응하는
체제 조성에 힘을 쓰겠습니다.
■ 품질방침 ISO9001:2015 인증
롯코전자㈜의 품질에 관한 기본이념은 사업을 통하여 폭넓게 사회봉사를 함과 동시에 사업 번영을 도모하는
것입니다.
그러기 위해서는 당사 사업은 사회의 복지 향상에 기여하는 것이며 “품질가격, 납기, 서비스”는 모두 중요한
요소로서 각각 최선을 다해야 한다고 생각합니다.
이에 당사는 특히 품질에 주목하여 그것을 최우선으로 여기며 고객이 만족할 수 있는 제품을 제조하여 이를
사회에 제공함으로써 국가사회에 이바지함과 동시에 사업 번영을 도모해 나가겠습니다.
이것은 바로 “고객 우선 정신을 철저히 지키는 것” 및 “최량의 제품, 최고의 품질을 지향하는 것”이라고
생각합니다.
■ 환경방침 ISO14001:2015 인증
롯코전자㈜의 사업 활동으로서 정밀 연마 및 연삭 가공되는 반도체 소재는 일상생활에서 중요한 역할을 하고
있습니다. 그 중에서도 실리콘 웨이퍼의 재생사업은 재사용하기 위한 가공으로 환경 보전에 기여하고 있습니다.
한편 이러한 제품 가공에서는 에너지와 자원 및 화학물질을 많이 사용하여 많은 폐기물을 배출하고 있습니다.
롯코전자㈜는 건전한 환경을 유지하고 향상하기 위하여 전직원이 적극적으로 환경경영활동을 전개해 나가는 것을
최우선 과제로 삼겠습니다.
당사 경영이념인 ‘고객의 요구에 부합한 서비스를 각자가 긍지와 자부심을 갖고 제공하여 만족을 얻는다. 또 그 요구에
따라서 성장과 변화를 함으로써 새로운 가치를 창출하여 새로운 고객을 창조한다. 이러한 일들을 통해서 얻은 성과로
모든 직원과 그 가족들을 포함한 행복을 추구해 나간다‘에 따라 ‘고객’ 뿐만 아니라 ‘사원’, ‘지역・사회’에
대해서도 요구에 부합한 서비스를 제공=봉사・이바지하며 성장과 변화하는 것이 당사 CSR 활동의 이념이다.
■ 롯코전자 주식회사 CSR활동 행동지침
1. 법령 준수
1)법령 및 규정 준수
2)공정한 경쟁 및 거래
3)이익상반 방지
4)증수회 금지, 과도한 접대 및 증답 금지
5)기밀정보 누설방지(정보 보안)
6)안전보장무역관리
2. 인권 존중
3. 건전한 직장환경
1)안전한 직장환경
2)건강에 대한 배려
3)일하기 편한 환경 정비
4. 사화와의 관계
1)고객만족
2)사회 이바지
3)환경보전
4)반 사회 세력에 대한 자세
롯코전자는 인터넷 등 정보통신 기술이 급속히 발전하는 가운데 이름과
회사명 또는 단체명, 주소, 메일주소 등 개인을 특정할 수 있는 정보 보호에 대한 사회적인 요청이 높아짐에
따라 이것들을 적절히 관리하는 것이 당사에 있어서 중요한 책무임을 인식하여 아래와 같이 방침을 정했습니다.
1. 개인정보 관리
연락을 주신 고객의 회사명, 이름, 주소, 연락처인 전화번호, 메일주소 등
고객 개인에 관한 정보(이하 “개인정보”라고 합니다)는 세심한 주의를 기울임과 동시에 개인정보에 대한 접근은 당사
관리자에게만 한정하여 적절히 관리합니다.
2. 수집목적과 범위
개인정보를 수집할 경우에는 수집목적을 통보하여 필요한 범위내에서만 개인정보를
수집합니다.
3. 개인정보 이용
ご질문 내용에 따라 당사의 관련회사, 제휴처 등 업무 위탁처, 당사 사업상의
거래처에서 답변을 드릴 경우가 있습니다. 등록하신 내용을 이러한 회사의 거래처에 전송할 수 있습니다.
4. 업무 위착처에 대한 의무화
법령에 의거하여 공개가 의무화되는 등 특별한 사정이 없는 한 고객의 허락없이
당사의 관련회사, 업무 위탁처, 제휴처 등 제3자에게 공개 및 제공하는 일은 일절 없습니다.
5. 법령 및 규범 준수와 재검토
당사는 개인정보에 관하여 적용되는 법령 및 규범을 준수함과 동시에 고객의 개인정보
보호를 더욱 철저히 하기 위해 위 각항에 대한 대응을 필요에 따라 재검토하여 개선합니다.
6.SSL
고객이 개인정보 등을 안심하고 입력하실 수 있도록 개인정보를 입력할 폐이지에
암호화 기술인 SSL을 도입했습니다. SSL은 브라우저에서 송신된 정보와 당사에서 답변 드리는 정보가 인터넷상의 제3자에
의하여 도청되거나 조작될 가능성이 지극히 낮아지며 안심하고 이용하실 수 있도록 했습니다.
▼ 문의 양식
롯코전자
주식회사 홈페이지를 방문해 주셔서 감사합니다. 궁금하신 사항이 있으시면 부담을 갖지 마시고 문의해 주세요. 또한
급하실 때에는 전화로 연락을 주시기 바랍니다. (담당:영업부) 입력하시기 전에 “개인정보보호정책”을
확인해 주세요.
▼ 지원하기
롯코전자 주식회사 홈페이지를 방문해 주셔서 감사합니다. 당사에서는 각 부서에서 우수한 인재를 모집하고 있습니다.
많은 지원 바랍니다.또한 급하실 때에는 전화로 연락을 주시기 바랍니다.(담당:총무부) 입력하시기 전에
“개인정보보호정책”을 확인해 주세요.