Molatura posteriore		Lucidatura posteriore		Molatura e lucidatura posteriori
	■4-8 inch ■Wafer muniti di bump ■Wafer muniti di sensore di pressione o dotati di nastro UV ■Wafer muniti di struttura ad anello		■4-8 inch ■Meccanismo di lucidatura singolo/in lotto ■Rifinitura di uno o entrambi gli specchietti ■Pulitura RCA		■4-8 inch ■Meccanismo di lucidatura singolo/in lotto ■Rifinitura di uno o entrambi gli specchietti ■ＧＷＳＳ
	Rigenerazione della lucidatura		Lavorazione dei Wafer MEMS
	■4-6 inch ■Rimozione della pellicola ■Pulitura RCA ■Ispezione delle particelle, della contaminazione dei metalli, dello spessore e dell’aspetto esteriore		■4-8 inch ■BG&POL ■Controllo dello spessore di ogni strato dei wafer SOI ■GWSS ■Cavity structured wafer, Through-silicon via wafer ■Wafer a cubettatura (dicing) a mezzo taglio

●　Irradiatore UV Rimozione del nastro UV (Include anche un anello a dicing)

●　Molatrice automatica In grado di processare la produzione di più di un wafer.

●　Pulitrice a vapore doppia Provvede al lavaggio, al risciacquo e alla asciugatura dei wafer fino a 8 inch mediante l’acqua purificata (DIW) e l’aria.

Rigenerazione dei monitor wafer
È il processo di riciclo che rende possibile il riutilizzo dei monitor wafer usati dal cliente, rigenerandoli allo stato originali e consentendo così un abbattimento dei costi.
Misure del wafer 3inch 4 inch 5 inch 6 inch		Rimozione della pellicola
		Selezione dell’acquaforte
Accettazione				Lucidatura
Classificazione in base allo spessore e al tipo di pellicola
Spedizione		Controllo finale		Pulitura
		Ispezione delle particelle, della contaminazione dei metalli, dello spessore e dell’aspetto esteriore		Pulitura RCA

●　Rimozione della pellicola I vari tipi di pellicola vengono rimossi mediante l’acquaforte.

●　Lucidatrice a lotto Compie multiple lucidature dei wafer.

●　Lucidatrice singola Lucida un wafer alla volta.

●　Accessori di pulizia RCA I wafer vengono puliti per rimuovere le particelle e le contaminazioni dei metalli.

Servizi di molatura e lucidatura integrate Trattiamo e monitoriamo il processo integrato di molatura e lucidatura dello spessore delle superfici di wafer necessari principalmente per sensori e dispositivi di potenza. Possiamo trattare wafer dalle 4 alle 8 inch., con uno spessore finale dai 15 ai 100 um sia per i test che per la produzione di massa. Oltre ai servizi di processo integrato, siamo anche in grado di venire incontro a particolari necessità come la molatura finale (da #8000 in su) e la sola lucidatura. Servizio di rigenerazione di monitor wafer È disponibile il servizio di rigenerazione dei wafer che ci consente di soddisfare le richieste del cliente in termini di controllo dello spessore, delle particelle e della contaminazione dei metalli. Sono rigenerabili i wafer dalle 3alle 6 inch. di diametro. Processo MEMS La nostra esperienza in questo campo ci consente di venire incontro alle varie necessità per le applicazioni MEMS mediante tecniche speciali di molatura e levigatura. Questo servizio può essere richiesto sia per un singolo wafer prototipo che per la produzione di massa. Siamo inoltre specializzati in molatura e levigatura SOI, wafer GWSS, wafer a struttura cava (cavity-structure), wafer attraverso-foro, wafer a via attraverso silicio (TSV) e in wafer non circolari.

All services are performed under the clean controlled environment. Abbiamo inoltre ottenuto i riconoscimenti ISO141001 (Monitoraggio dell’ambiente) e ISO9001 (Monitoraggio della qualità) in linea con gli standard internazionali. Ricerca della qualità La qualità è la nostra priorità. Controlliamo e misuriamo tuti i parametri come quelli di accuratezza dello spessore e di precisione di lucidatura, per dare al cliente la miglior qualità di servizio possibile.

Alla Rokko ci impegniamo di continuo nello sviluppo di nuove tecnologie non solo per i wafer di silicio, ma anche per quelli di zaffiro e la lavorazione SiC grazie alle nostre esperienze coltivate nel tempo per quel che riguarda la molatura, la lucidatura e la pulitura.
Siamo convinti che la soddisfazione del cliente sia la base del nostro sviluppo tecnologico e il nostro successo non sarebbe possibile senza il supporto della clientela. Basandoci su questi standard continueremo a svilupparci per garantire la stessa soddisfazione introducendo i macchinari di ispezione più moderni.

●　Misuratore automatico a spettro interferenza dello spessore dei wafer Lo spessore dello strato di silicio può essere misurato solo per i wafer, i SOI, i wafer con supporto, i wafer in resina/ a nastro. (può essere misurato anche un solo lato della superficie di silicio nel caso 2 wafer fossero attaccati).

●　Misuratore automatico a spettro interferenza dello spessore dei wafer Lo spessore può essere misurato solo per gli strati attivi o supportati a silicone, ma non per lo spessore generale del wafer o dei MEMS/ dispositivi a sensore che hanno subito l’assottigliamento dello spessore.

●　Selettore di wafer per resistività, P/N, spessore Per 4, 5, 6, 8 inch

●　Selettore di wafer per resistività, P/N, spessore Resistività misurabile: 1,0 m – 3,0 MΩ・cm

●　Macchinario Candela CS20 di ispezione della superficie del wafer Usato per l’ispezione dei materiali trasparenti di zaffiro e SiC. In grado di ispezionare crepe nei cristalli, tratteggiature, cavità negli strati Epi, sporco, e altri difetti e graffi nel circuito.		●　Macchinario Candela CS20 di ispezione della superficie del wafer Dimensione del wafer: 3, 4, 5, 6 inch Spessore: 300 – 1400 μm

●　Misuratore TME-07 dello spessore dei wafer a capacità elettrostatica Questo macchinario rimuove i wafer dalle piastre e ne misura lo spessore in base alle coordinate designate. Le misurazioni vengono effettuate senza toccare il wafer da un sensore di capacità elettrostatica.

●　Misuratore TME-07 dello spessore dei wafer a capacità elettrostatica Spessore misurabile: 100-1800um (dipende dalla grandezza del wafer). Misurazione del punto centrale (le coordinate possono essere impostate attraverso la configurazione della macchina).

●　Analizzatore a totale riflessione a raggi x fluorescenti TREX610 Elementi misurabili: 12 (S, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn)

●　Microscopio a contrasto di interferenza differenziale Questo strumento permette di osservare la rugosità sulla superficie del wafer.

●　Macchina di ispezione laser della superficie del wafer "Sensibilità di rivelazione massima: 7 um Unità: Laser Violet LD longevo" Dimensione del wafer: 4, 5, 6 inch Gamma: 0,087 – 5,0 μ

●　Macchina di ispezione laser della superficie del wafer Dimensione del wafer: 4, 5, 6 inch Gamma: 0,208 – 1,0 μ

●　Macchina di ispezione laser della superficie del wafer Dimensione del wafer: 5, 6, 8 inch Gamma: 0,1 – 5,0 μ

●　Ispezione visiva I wafer vengono ispezionati sotto una lampada alogena in una stanza buia.

●Wafer sottili Dimensione del wafer: φ 200 mm Spessore: 32 μm Molatura posteriore: Rifinitura #2000

●GWSS (sistema di supporto dei wafer in vetro) Dimensione del wafer: φ200 mm Spessore: 11 μm Molatura posteriore: Rifinitura #2000 Vetro: Pyrex

●GWSS (sistema di supporto dei wafer in vetro) Dimensione del wafer: φ200 mm Spessore: 4,5 μm Rifinitura lucida Vetro: Pyrex Molatura e Lucidatura Silicio da 8 inch TV5 (um) Gamma A B C D E 4.15 4.6 4.37 2.21 3.93 2.39

●Wafer a struttura cava Dimensione del wafer: φ150 mm Spessore: 100 μm Molatura posteriore: Rifinitura #2000

●Wafer a struttura cava Il wafer raffigurato presenta uno spessore ridotto a 5 um.

Prima MP (molatura posteriore)	Smussatura	Dopo MP (molatura posteriore)
	※Senza smussatura	※Con smussatura
	※Creazione di una forma knife edge	※Creazione di una smussatura compatibile con vari spessori di wafer.

Accesso al video dei test di caduta per i wafer di 6 inc 100u senza e con smussatura →

●　Macchina per la prevenzione del knife edge Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch

●　Macchina per la prevenzione del knife edge Le forme del bordo possono essere regolate con un sistema di controllo NC a seconda del suo spessore.

●　Molatura posteriore Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch

●　Molatura posteriore Miglioriamo costantemente il rendimento grazie ai controlli giornalieri.

Siamo inoltre specializzati in molatura e levigatura SOI, wafer GWSS, wafer a struttura cava (cavity-structure), wafer attraverso-foro, wafer a via attraverso silicio (TSV) e in wafer non circolari.

●　Lucidatura posteriore di un singolo wafer Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch

●　Lucidatura posteriore di un singolo wafer Il macchinario è in grado di lavorare wafer assottigliati e wafer MEMS.

●　Lucidatrice posteriore per 8 inch Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch

●　Lucidatrice posteriore per 8 inch Migliori risultati di assottigliamento: 8 inch 85 μm

●　Scrubber automatico Alte performance di pulizia.

●　Scrubber automatico Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch Possono essere lavorati anche i wafer a zaffiro e SiC.

●　Macchina per la rimozione dei nastri Dimensione del wafer: 5, 6 inch

●　Macchina per la rimozione dei nastri Le superfici post lucidatura sono molto fragili. Per questo si possono causare facilmente delle impercettibili graffiature se queste vengono in contatto con qualsiasi componente metallica delle macchine. Questo macchinario è in grado di rimuovere i nastri senza toccare le superfici del wafer.

Clicca qui per una dimostrazione della pulitura RCA posteriore di un wafer a pattern →

●　Pulitura RCA per wafer a pattern Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch

●　Pulitura RCA per wafer a pattern Clicca qui per una dimostrazione della pulitura RCA posteriore di un wafer a pattern.

●　Molatrice automatica In grado di processare la produzione di più di un wafer.

●　Lucidatrice singola per pellicole sottili Lucida i wafer con estrema precisione e li trasporta senza venire in contatto con la superficie lucidata. ※Questo macchinario è stato sviluppato da noi, per questo non possiamo mostrarvi i test di lavorazione e la produzione su larga scala. Ci scusiamo per il disagio.

●　Misuratore TME dello spessore dei wafer a capacità elettrostatica Questo macchinario rimuove i wafer dalle piastre e ne misura lo spessore in base alle coordinate designate. Le misurazioni vengono effettuate senza toccare il wafer da un sensore di capacità elettrostatica.

●　Misuratore TME dello spessore dei wafer a capacità elettrostatica Spessore misurabile: 100-1800um (dipende dalla grandezza del wafer). Misurazione del punto centrale (le coordinate possono essere impostate attraverso la configurazione della macchina).

●　Misuratore automatico a spettro interferenza dello spessore dei wafer Lo spessore dello strato di silicio può essere misurato solo per i wafer, i SOI, i wafer con supporto, i wafer in resina/ a nastro. (può essere misurato anche un solo lato della superficie di silicio nel caso 2 wafer fossero attaccati).

●　Misuratore automatico a spettro interferenza dello spessore dei wafer Lo spessore può essere misurato solo per gli strati attivi o supportati a silicone, ma non per lo spessore generale del wafer o dei MEMS/ dispositivi a sensore che hanno subito l’assottigliamento dello spessore.

●　Ispezione visiva I wafer vengono ispezionati visivamente per verificare le condizioni della superficie al momento del ricevimento, dopo essere stati dotati di nastro e molati.

●　Molatrice automatica I wafer dai 4 agli 8’’ di diametro vengono molati con precisioni senza alterare le loro caratteristiche.

●　Lucidatrice singola I wafer vengono lucidati secondo le necessità di spessore espresse dal cliente.

●　Installazione dei wafer I wafer vengono installati su un piano di ceramica.

●　Lucidatrice a lotti Lucida wafer dai 4 agli 8’’ per la specchiatura.

●　Rimozione a lotti I wafer lucidati vengono rimossi dal piano.

●　Pulitura RCA I wafer vengono puliti per rimuovere le particelle e le contaminazioni di metalli successive alla lucidatura.

●　Ispezione finale I wafer sono misurati e controllati per rispettare le direttive del cliente.

“Aspettative del cliente”
●　Come evitate la rottura o la frammentazione dei wafer dopo la loro lavorazione? Questi danni sono causati principalmente dall’uomo o dal trasporto dei macchinari e possono condizionare tutto il processo lavorativo. Come risolvete tali problematiche?

“Richieste del cliente”
●Come rimuovete lo sporco che emerge dopo l’assottigliamento e la lucidatura dei wafer a pellicola o a pattern?
● Ci sono dei wafer che non potete immettere nella vostra lavorazione a causa dei limiti del grado di pulitura della superficie dato dai vostri macchinari?

※Nel processo di pulitura convenzionale delle superfici posteriori lucidate, si usano tecniche basate su wafer organici o DI. Per poter rimuovere le contaminazioni dei metalli dalle superfici è necessario un metodo di pulitura RCA. Questo metodo tuttavia non può essere utilizzato perché normalmente finirebbe per causare danni alle superfici dei pattern o delle pellicole.


Per venire incontro alle esigenze del cliente, abbiamo sviluppato il “Rokko Premium Process” grazie alla collaborazione dei produttori dei macchinari.

Processo convenzionale Applicazione nastro protettivo Molatura posteriore Lucidatura posteriore singola wafer Macchina per la rimozione dei nastri

Rokko Premium process Applicazione nastro protettivo Prevenzione knife-edge Molatura posteriore Lucidatura posteriore singola wafer Macchina per la rimozione dei nastri Pulitura RCA per wafer a pattern

Prima MP (molatura posteriore)	Smussatura	Dopo MP (molatura posteriore)
	※Senza smussatura	※Con smussatura
	※Creazione di una forma knife edge	※Creazione di una smussatura compatibile con vari spessori di wafer.

Accesso al video dei test di caduta per i wafer di 6 inc 100u senza e con smussatura →

●　Macchina per la prevenzione del knife edge Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch

●　Macchina per la prevenzione del knife edge Le forme del bordo possono essere regolate con un sistema di controllo NC a seconda del suo spessore.

●　Molatura posteriore Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch

●　Molatura posteriore Miglioriamo costantemente il rendimento grazie ai controlli giornalieri.

Siamo inoltre specializzati in molatura e levigatura SOI, wafer GWSS, wafer a struttura cava (cavity-structure), wafer attraverso-foro, wafer a via attraverso silicio (TSV) e in wafer non circolari.

●　Lucidatura posteriore di un singolo wafer Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch

●　Lucidatura posteriore di un singolo wafer Il macchinario è in grado di lavorare wafer assottigliati e wafer MEMS.

●　Lucidatrice posteriore per 8 inch Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch

●　Lucidatrice posteriore per 8 inch Migliori risultati di assottigliamento: 8 inch 85 μm

●　Scrubber automatico Alte performance di pulizia.

●　Scrubber automatico Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch Possono essere lavorati anche i wafer a zaffiro e SiC.

●　Macchina per la rimozione dei nastri Dimensione del wafer: 5, 6 inch

●　Macchina per la rimozione dei nastri Le superfici post lucidatura sono molto fragili. Per questo si possono causare facilmente delle impercettibili graffiature se queste vengono in contatto con qualsiasi componente metallica delle macchine. Questo macchinario è in grado di rimuovere i nastri senza toccare le superfici del wafer.

Clicca qui per una dimostrazione della pulitura RCA posteriore di un wafer a pattern →

●　Pulitura RCA per wafer a pattern Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch

●　Pulitura RCA per wafer a pattern Clicca qui per una dimostrazione della pulitura RCA posteriore di un wafer a pattern.

Una molatura di precisione è un elemento chiave per l’eliminazione di lievi imperfezioni nello spessore. Durante questa fase di lavorazione viene scelto accuratamente il macchinario che più si addice alle necessità del cliente. Le nostre tecnologie di molatura sono in grado di garantire uno spessore minimo di 15 um per i prototipi e dai 100 ai 150 um nella produzione di massa.

Dopo la molatura si creano sulla superficie delle leggere imperfezioni. Durante questa fase i wafer vengono lucidati con cautela per rimuovere queste imperfezioni. Onde evitare un possibile effetto negativo sulla superficie, viene effettuata una lucidatura prudente e veloce.

Le nostre tecnologie ci permettono di disporre di molatura e lucidatura integrate per i wafer trattati con i MEMS (Micro Electronics Mechanical System),quali i SOI, i Wafer GWSS, i Wafer a struttura cava (cavity-structure), i Wafer attraverso-foro, i Wafer a via attraverso silicio (TSV) e i Wafer non circolari.

Rigenerazione dei monitor wafer
È il processo di riciclo che rende possibile il riutilizzo dei monitor wafer usati dal cliente, rigenerandoli allo stato originali e consentendo così un abbattimento dei costi.
Misure del wafer: 3 inch 4 inch 5 inch 6 inch		Rimozione della pellicola
		Selezione dell’acquaforte
Accettazione				Lucidatura
Classificazione in base allo spessore e al tipo di pellicola
Spedizione		Controllo finale		Pulitura
		Ispezione delle particelle, della contaminazione dei metalli, dello spessore e dell’aspetto esteriore		Pulitura RCA

●　Selettore di wafer per resistività, P/N, spessore Per 4, 5, 6, 8 inch

●　Selettore di wafer per resistività, P/N, spessore Resistività misurabile: 1,0m～3,0 MΩ・cm

●　Suddivisione pellicole I wafer sono suddivisi da operatori esperti in base ai differenti tipi di pellicola.

●　Rimozione della pellicola I vari tipi di pellicola vengono rimossi mediante l’acquaforte.

●　Suddivisione di spessore I wafer sono suddivisi per spessore dopo la rimozione della pellicola.

●　Installazione dei wafer I wafer vengono installati su un piano di ceramica.

●　Lucidatrice a lotto Compie multiple lucidature dei wafer.

●　Rimozione a lotti I wafer lucidati vengono rimossi dal piano.

●　Pulitrice RCA I wafer vengono puliti per rimuovere le contaminazioni dei metalli e le particelle.

●　Contatore di particelle La macchina esamina le particelle sulle superfici lucidate del wafer.

●　Ispezione finale I wafer sono misurati e controllati per rispettare le direttive del cliente.

●　Analizzatore a totale riflessione a raggi x fluorescenti TREX610 Elementi misurabili: 12 (S, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn)

		Piano 3: Pulitura/ sala di ispezione
		Piano 2: Sala di lucidatura
		Piano 1: Sala di molatura

■ Punti di forza della nuova fabbrica
		Raggiungimento di alti standard qualitativi di “pianura”, “rugosità superficiale” e di “strato alterato” mediante l’uso di una molatrice ad alta-rigidità ⇒Taglio dei costi di lavorazione
		Riduzione delle deformazioni dopo la molatura posteriore di assottigliamento ⇒In grado di processare sia la molatura che la lucidatura in un passaggio.
		Alti livelli di pulizia con l’introduzione di un macchinario specializzato nella pulitura zaffiro (Riduzione delle contaminazioni e delle particelle)
		Possibile sviluppo dell’introduzione di una lavorazione a prevenzione knife-edge per zaffiro, già in atto per i wafer al silicio.

■ Lavorazione di assottigliamento per wafer SiC a pattern

Esempi di lavorazione per wafer SiC a pattern Risultati nelle variazioni di sottigliezza dei wafer molati (wafer SiC 6 inch)

：um

※TV5: 1um≧ dopo la molatura

Paragone dei risultati di rugosità dopo la molatura (Wafer SiC 6 inch)
		Le variazioni di spessore e la rugosità della superficie sono state migliorate dopo l’introduzione della molatrice ad alta rigidità.
※La rugosità post molatura è stata migliorata rispetto a quella ottenuta mediante una molatrice convenzionale.

●　Analizzatore a totale riflessione a raggi x fluorescenti TREX610 Elementi misurabili: 12 (S, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn)

●　Macchinario Candela CS20 di ispezione della superficie del wafer Dimensione del wafer: 3, 4, 5, 6 inch Spessore: 300 – 1400 μm

●　Scrubber automatico Alte performance di pulizia.

●　Scrubber automatico Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch Possono essere lavorati anche i wafer a zaffiro e SiC.

■　 Risultati delle particelle dopo la pulizia del wafer zaffiro
Particelle dopo la pulizia di wafer zaffiro da 150 mm
Pre pulitura		Lavaggio scrub		Pulitura RCA
1.Il lavaggio scrub è utile per rimuovere le particelle più grandi. 2.Le particelle e lo sporco vengono rimossi dopo la pulitura RCA. 3.10 pezzi≧0,3um

■　 Contaminazione dei metalli dopo la pulitura dei wafer zaffiro
Contaminazione dei metalli dopo la pulitura dei wafer zaffiro 150 mm
		Misuratore TXRF
Risultati della misurazione mediante TXRF dopo il processo di pulitura ＜5Ｘ1010atoms/ｃｍ2

●　Applicatrice di nastri protettivi Dopo l’ispezione iniziale vengono applicati ai wafer dei nastri UV o dei sensori di pressione. I wafer a cui sono stati applicati i nastri vengono poi ispezionati per controllare l’eventuale presenza di sporco.

●　Molatrice automatica I wafer dai 4 agli 8’’ di diametro vengono molati con precisioni senza alterare le loro caratteristiche.

●　Ispezione visiva Vengono controllati l’aspetto del wafer e l’assenza di graffi o difetti.

●　Lucidatrice singola I wafer vengono lucidati secondo le necessità di spessore espresse dal cliente.

●　Macchina per la rimozione dei nastri Rimuove i nastri senza venire in contatto con la superficie lavorata.

●　Pulitrice a ultrasuoni Dopo la rimozione dei nastri, pulisce i wafer dalle particelle con gli ultrasuoni.

●　Ispezione finale I wafer sono misurati e controllati per rispettare le direttive del cliente.

●　Misuratore automatico a spettro interferenza dello spessore dei wafer Lo spessore dello strato di silicio può essere misurato solo per i wafer, i SOI, i wafer con supporto, i wafer in resina/ a nastro. (può essere misurato anche un solo lato della superficie di silicio nel caso 2 wafer fossero attaccati).

●　Misuratore automatico a spettro interferenza dello spessore dei wafer Lo spessore può essere misurato solo per gli strati attivi o supportati a silicone, ma non per lo spessore generale del wafer o dei MEMS/ dispositivi a sensore che hanno subito l’assottigliamento dello spessore.

Il grafico sottostante mostra la qualità delle nostre performance produttive.
Alla Rokko teniamo molto alla coltivazione della fiducia da parte del cliente mediante l’esposizione di dati reali.

Molatura posteriore (lavorazioni effettuate e tasso di qualità)：

↓Clicca per ingrandire l’immagine Prodotti a molatura posteriore (tasso di qualità basato sullo spessore)： ↓Clicca per ingrandire l’immagine

Prodotti a molatura posteriore + lucidatura (lavorazioni effettuate e tasso di qualità)： ↓Clicca per ingrandire l’immagine

Prodotti a molatura posteriore + lucidatura (tasso di qualità basato sullo spessore)： ↓Clicca per ingrandire l’immagine

		Piano 3: Pulitura/ sala di ispezione
		Piano 2: Sala di lucidatura
		Piano 1: Sala di molatura

■ Punti di forza della nuova fabbrica
		Raggiungimento di alti standard qualitativi di “pianura”, “rugosità superficiale” e di “strato alterato” mediante l’uso di una molatrice ad alta-rigidità ⇒Taglio dei costi di lavorazione
		Riduzione delle deformazioni dopo la molatura posteriore di assottigliamento ⇒In grado di processare sia la molatura che la lucidatura in un passaggio.
		Alti livelli di pulizia con l’introduzione di un macchinario specializzato nella pulitura SiC (Riduzione delle contaminazioni e delle particelle)
		Possibile sviluppo dell’introduzione di una lavorazione a prevenzione knife-edge per SiC, già in atto per i wafer al silicio.

■ Lavorazione di assottigliamento per wafer SiC a pattern

Esempi di lavorazione per wafer SiC a pattern Risultati nelle variazioni di sottigliezza dei wafer molati (wafer SiC 6 inch)

：um

※TV5: 1um≧ dopo la molatura

Paragone dei risultati di rugosità dopo la molatura (Wafer SiC 6 inch)
		Le variazioni di spessore e la rugosità della superficie sono state migliorate dopo l’introduzione della molatrice ad alta rigidità.
※La rugosità post molatura è stata migliorata rispetto a quella ottenuta mediante una molatrice convenzionale.

■ Lavorazione ultra-sottile dei wafer SiC

Esempi di risultati di lavorazione di SiC con supporto Risultati nelle variazioni di sottigliezza dei wafer molati (wafer SiC 4 inch) ※Risultati di ultra sottigliezza e ultra pianura.

Backｇgrinding 4 inch SiC TV5 (um) Range A B C D E 22.88 22.4 22.03 22.75 22.31 0.37

●　Analizzatore a totale riflessione a raggi x fluorescenti TREX610 Elementi misurabili: 12 (S, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn)

●　Macchinario Candela CS20 di ispezione della superficie del wafer Dimensione del wafer: 3, 4, 5, 6 inch Spessore: 300 – 1400 μm

●　Scrubber automatico Alte performance di pulizia.

●　Scrubber automatico Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch Possono essere lavorati anche i wafer a zaffiro e SiC.

■　 Molatura dei wafer SiC per la rugosità
Rugosità superfice wafer SiC molati 150mm

Valutazioni		Molatura di rifinitura	Molatura finale
Rugosità	Ｒａ	12.4-14.6nm	2-5nm
Deformazione	A occhio (in scala)	0.5-0.8mm	0.2-0.4mm
※Rugosità di superficie: misuratore del profilo di superficie senza contatto Zygo

■　 Risultati di misurazione AFM della superficie CMP dei wafer SiC (6 inch)
Risultati di misurazione AFM della superficie lucidata dei wafer SiC 6 inch (3 punti sulla superficie)
Zona centrale Ra:0.711Å		Centro esatto Ra:0.576Å		Bordo Ra:0.632Å
150mm SiCウエハ Si面　CMP表面粗さ　Ra < 0.1nm

■　 Risultati delle particelle dopo la pulizia del wafer SiC
Particelle dopo la pulizia di wafer SiC da 150 mm
Pre pulitura		Lavaggio scrub		Pulitura RCA
1.Il lavaggio scrub è utile per rimuovere le particelle più grandi. 2.Le particelle e lo sporco vengono rimossi dopo la pulitura RCA. 3.10 pezzi≧0,3um

■　 Contaminazione dei metalli dopo la pulitura dei wafer SiC
Contaminazione dei metalli dopo la pulitura dei wafer zaffiro 150 mm
		Misuratore TXRF
Risultati della misurazione mediante TXRF dopo il processo di pulitura ＜5Ｘ1010atoms/ｃｍ2

●　Macchinario per la lappatura del diamante Per 3, 4, 5, 6 inch.

●　Macchinario per la lappatura del diamante Possibile la lavorazione delle pellicole dei wafer SiC a pellicola rigenerati.

●　Macinatore specializzata per Zaffiro e SiC Questo macchinario è per i wafer di 6 inch fatti di materiale di difficile molatura come i wafer zaffiro o i SiC.

●　Macinatore specializzata per Zaffiro e SiC Possibile lavorazione automatica mediante sistema di controllo NC.

●　Macinatore specializzata per Zaffiro e SiC Questo macchinario rende possibile una lavorazione completamente autonomo mediante il sistema di trasporto automatico

●　Macinatore specializzata per Zaffiro e SiC Dotato di adesione sotto vuoto che non richiede l’uso di cera.

●　Wafer zaffiro 6 inch Possono essere lavorati sia i wafer primari che quelli a pattern.

●　Wafer zaffiro 6 inch I wafer zaffiro vengono lavorati mediante una speciale mola.

●　Wafer SiC 6 inch Possono essere lavorati sia i wafer primari che quelli a pattern.

●　Wafer SiC 6 inch I wafer SiC vengono lavorati mediante una speciale mola.

Prima di tutto, vogliamo esprimere la nostra gratitudine a tutti coloro che ci hanno sostenuto negli ultimi anni. Le nostre origini risalgono al 1921, quando il fondatore, Katsujiro Kobayashi, iniziò le ricerche sulle tecnologie di lucidatura dei piani presso un arsenale navale giapponese. In seguito, Kobayashi ha fondato una società "Rex Optical Research Center" che produce speciali unità di misura ottica. Nel 1963, in un periodo in cui l'industria giapponese dei semiconduttori era in pieno sviluppo, l'azienda si riorganizzò in "Rex Optical Meter works Ltd." e iniziò a lucidare ed elaborare i semiconduttori. Nel 1983, quando l'ufficio è stato trasferito a Fukuoka, è stata fondata una nuova società "Rokko Electronics" per rilevare le operazioni sui semiconduttori da "Rex". A causa del recente movimento che le tecnologie dei semiconduttori sono ampiamente diffuse nella nostra vita quotidiana e diventano una forza trainante che accelera lo sviluppo della tecnologia dell'informazione, Rokko ha deciso di concentrarsi sulle operazioni di lavorazione dei wafer di silicio che includono la specchiatura dei wafer di prima qualità, la lucidatura su due lati e i servizi di rettifica sul retro. Inoltre, le operazioni di recupero dei wafer sono state lanciate nel 1994.  La nostra azienda ha ampliato l'attività adottando attrezzature all'avanguardia come lucidatrici, smerigliatrici, lappatrici e la varietà di strumenti di misura su larga scala, al fine di fornire i servizi combinati di smerigliatura, lucidatura e incisione necessari per il processo di lavorazione del materiale siliconico. Continueremo i nostri sforzi per produrre "Migliore, più veloce, più economico, più sicuro", proprio come abbiamo fatto al momento della nostra fondazione. Inoltre, faremo del nostro meglio per diventare un'azienda fidata e attesa più che mai, perseguendo tecnologie che incorporano uno spirito fresco e creativo. Attendiamo con ansia il vostro continuo sostegno e incoraggiamento.

Nome dell'azienda	Rokko Electronics Co., Ltd.
Ubicazione	8-5, Nakajimacho, Nishinomiya-city, Hyogo, 663-8105, Japan
TEL FAX	81-798-65-4508 81-798-67-5038
Istituzione	Settembre 1983
Capitale	375.000 USD (30 milioni di yen)
Ufficiale	Presidente e Direttore Rappresentante Hidemori Kobayashi
Società affiliate	Rex Optical Meter works Ltd.
Descrizione del lavoro	Elaborazione di wafer di silicio Processo di rigenerazione Lucidatura Macinazione Lucidatura super-sottile compatibile per MEMS Lavorazione speciale Acquaforte

Marzo 1921	Il fondatore, Katsujiro Kobayashi, ha iniziato una ricerca sulle tecnologie di lucidatura dei piani con ingegneri tedeschi presso un arsenale navale giapponese. In seguito, si è trasferito nella società "Japanese Optical Industries" (ex Nikon) e ha lavorato nel campo della lucidatura.
1932	Fondata Kobayashi Koki a Tokyo. L'azienda si occupa principalmente della produzione di strumenti di misura ottici e di lucidatura speciale.
Marzo 1947	Dopo la guerra, si trasferì a Nishinomiya City, Prefettura di Hyogo e cambiò il suo nome in " Rex Optical Research Center" come produttore di speciali strumenti di misura ottica.
Aprile 1960	La lucidatura dei semiconduttori è iniziata.
Giugno 1963	E' stata incorporata. La società ha cambiato "Rex Optical Measurement Unit Manufacturing Company". Concentrato sul business della lucidatura dei wafer.
Settembre 1983	Fondazione di Rokko Electronics Co., Ltd. Rokko Electronics ha rilevato l'attività da Rex Optics. Rex è stato trasferito a Mitsubishi Electric (Fukuoka).
Luglio 1994	L'edificio B è stato costruito per lo sviluppo su larga scala del settore del riciclaggio dei wafer. Manutenzione dell'impianto, installazione di grandi macchine lucidatrici, attrezzature per la pulizia RCA e altre attrezzature.
Maggio 2001	Ottenimento della certificazione ISO 14001
Febbraio 2005	Introdotta l'attrezzatura per la lucidatura di wafer sottili per MEMS
Marzo 2005	Ottenimento della certificazione ISO 9001:2000
Novembre 2012	2012 Premiata come azienda dalle prestazioni eccezionali,da Nishinomiya-city
Gennaio 2017	Hidemori Kobayashi nominato Presidente
Gennaio 2017	La nuova fabbrica ha iniziato a funzionare per i nuovi wafer di materiale: SiC, Zaffiro, LT, ecc.
Febbraio 2018	Ottenimento della certificazione ISO 9001:2015、14001:2015

In una fabbrica è sempre presente il rischio di incidenti o danni. Alla Rokko siamo consapevoli delle nostre responsabilità per garantire la sicurezza dei nostri dipendenti, non solo durante le ore di lavoro, ma anche fuori. Per adempiere a quest responsailità, l'azienda ha organizzato una commissione per per la sicurezza e la salute che si incontra a base mensile. In queste occasioni, vengono trattate le tematiche sulla sicurezza riscontrate dai vari settori dell'azienda, venendo inoltre recensite al fine di creare una tabella di "valutazione del rischio". Queste tematiche sono prioritarie nella tabella al fine di prendere le dovute misure e renderne possibile il monitoraggio all'interno del ciclo PCDA. Inoltre, i supervisori per la salute e la sicurezza della fabbrica controllano periodicamente l'ambiente di lavoro per poterlo migliorare sempre di più.
Nel settembre 2011, abbiamo reso note le nostre direttive per adempiere alle indicazioni delle direttive fornite dall'agenzia per le piccole-medio imprese riguardo il BCP (business continuity plan), che continuiamo a portare avanti e ad aggiornare.

●　Commmssione per la salute e la sicurezza Vengono tenuti incontri mensili per monitorare le tematiche di salute e sicurezza.

●　Valutazione del rischio Monitoriamo e recensiamo i potenziali rischi, su cui si incentreranno le misure di sicurezza da attuare.

●　Supervisione del processo I supervisori monitorano il processo di produzione per valutare i possibili rischi.

●　Continue migliorie nella sicurezza del processo Le osservazioni effettuate dai supervisori vengono utilizate per effettuare continue migliorie alle misure di sicurezza.

●　Impiegati qualificati Supervisione della sicurezza gestionale: 2 persone Supervisione per l'igiene: 4 persone

●　ＢＣＰ Nel settembre 2011, abbiamo reso note le nostre direttive rper adempiere alle indicazioni delle direttive fornite dall'agenzia per le piccole-medio imprese riguardo il BCP (business continuity plan).

●　Network per i contatti di emergenza In caso di emergenza, le reti telefoniche per le comunicazioni di emergenza sono facilmente accessibili agli impiegati.

●　Network per i contatti di emergenza Tutti i contatti dei responsabili per le situazioni d'emergenza sono indicati in ogni settore

●　Uscite d'emergenza Tutte le uscite d'emergenza sono visibilemente accessibili agli impiegati. Vengono altresì effettuate prove di evacuazione.

●　Lavaggio degli occhi E' obbligatorio indossare una protezione per gli occhi durante il processo produttivo. In caso di infortunio, sono presenti postazioni per il lavaggio degli occhi in ogni settore.

●　Elenco degli ospedali In caso di emergenza, sono presenti le liste degli ospedali.

●　Chiamate di emergenza In caso di emergenza, sono presenti indicazioni per effettuare correttamente le chiamate di emergenza.

●　Uscite d'emergenza in caso di blackout Vengono svolte periodicamente prove d'evacuazione per allenare gli impiegati a evacuare gli stabili rapidamente e in sicurezza in caso di emergenza

●　Uscite d'emergenza in caso di blackout Per prima cosa, gli operatori si accertano di spegnere le macchine e, successivamente, il leader del gruppo conduce le fasi di evacuazione.

●　Uscite d'emergenza in caso di blackout Tutti gli impiegti vengono fatti evacuare nel parcheggio dell'azienda.

●　Uscite d'emergenza in caso di blackout Siamo riusciti ad ottenere un tempo di evacuazione pari a 7 minuti e 46 secondi, a fronte del traget iniziale di 10 minuti.

Alla Rokko pensiamo che una buona qualità si possa ottenere solo tramite i continui sforzi atti alla produzione di prodotti consegnati nei tempi stabiliti, che diano ai consumatori grandi soddisfazioni.
Alla Rokko siamo sempre consapevoli che molti dei nostri prodotti hanno la possibilità di diventare parte di macchinari che assistono la vita umana. Così i nostri impiegati lavorano per completare le operazioni con onore e orgoglio, continuando a ricercare una sempre maggiore qualità dei servizi.

●　ＩＳＯ９００１：２０１５ Abbiamo ottenuto la certificazione ISO9001 nel Marzo 2005. Abbiamo anche implementiamo gli striumenti raccomandati ISO, “PDCA” (pianificazione, fare, controllo, azione) per raggiungere i nostri obiettivi.

●　Procedure di operazione standard Alla Rokko abbiamo lavorato per maturare i nostri SOP (Procedure operative standard) al fine di sincronizzare le performance dei lavoratori

●　Flusso di processo La tabella del flusso di processo è visualmente disponibile agli operatori per minimizzare gli errori umani.

●　Tabelle delle abilità certificate Riassumendo le abilità certificate di ogni operatore in una tabella, questa aiutiamo l’operatore a visualizzare gli ulteriori obiettivi di incremento dell'abilità.

●　Registri di processo giornaliero Sono forniti registri di startup per le attivazioni dei macchinari.

●　Documentazioni per il controllo delle misurazioni Vengono registrate le calibrature di ogni macchinario.

●　Registri dei cicli orari di operazione Tutti i macchinari vengono monitorati seguendo i cicli di operazione.

●　Documentazione per i processi di pulitura Tutti i processi di pulitura vengono registrati costantemente.

●　Tabelle di controllo PH Vengono registrate le calibrazioni di lucidatura delle macchine

●　Incontri a piccoli gruppi per le attività e verbali I nostri operatori partecipano a incontri periodici di cui viene steso il verbale.

●　Liste di archiviazione Tutti i verbali sono archiviati con precisione.

●　Registrazione di temperatura e umidità Vengono effettuate e registrate misure della temperatura e dell’umidità.

●　Meeting per la gestione della qualità 1 Vengono tenuti mensilmente dei meeting per la gestione della qualità.

●　Meeting per la gestione della qualità 2 Questi incontri si svolgono volontariamente, basandosi sui bisogni e le richieste dei clienti.

La Rokko Electronics si trova nel quartiere semi industriale della città di Nishinomiya, Nakashima-cho. Alla Rokko abbiamo un importante ruolo nei servizi di lavorazione del materiale semiconduttore. E' anche vero, tuttavia, che questo tipo di operazioni consumano una grande quantità di energia, risorse naturali e sostanze chimiche, che finiscono per generare scarti industriali. Da questa consapevolezza, tutti i nostri impiegati partecipano volontariamente ad attività ambientali per il sostenegno della società ecologica.

Resoconto per l'ambiente di Nishinomiya del 2011： Il comune di Nishinomiya ha presentato i "giardini verticali" della Rokko, pubblicandoli nel resoconto sull'ambiente della città.

●　Certificazione ISO14001 Certificazione ISO14001 ottenuta nel Maggio 2001.

●　Lista del personale qualificato 11 persone hanno partecipato al seminario per la certificazione di ispettore interno ISO14001.

●　Centro promotore per la prevenzione del riscaldamento globale di Nishinomiya La Rokko è stata scelta come "Centro promotore per la prevenzione del riscaldamento globale di Nishinomiya".

●　Dispositivo di supervisione a richiesta La Rokko ha installato un dispositivo di controllo per l'utilizzo dell'elettricità su richiesta della Kansai electric, per il risparmio elettrico nel periodo estivo.

●　I giardini verticali In ottica di risparmio energetico, la Rokko ha installato giardini verticali sui suoi stabili.

●　I giardini verticali I giardini verticali fungono da copertura delle finestre e protezione. Non solo aiutano a prevenire l'eventuale aumento della temperatura della superficie degli stabili dovuta al forte sole estivo, ma mantengono anche le temperature interne basse grazie alla traspirazione del fogliame.

●　I momordica (goya) Sono stati raccolti più di 500 momordica, anche per la gioia dei lavoratori.

●　I momordica (goya) I momordica raccolti, vengono distribuiti anche ai residenti nelle vicinanze dello stabile

●　Area di accumulo dello scarto industriale certificato Ai supervisori viene assegnata la manutenzione e la locazione degli accumuli di scarto industriale.

La filosofia di base della qualità di Rokko Electronics Co., Ltd. è quella di dare un contributo significativo alla società attraverso la prosperità della sua attività. La nostra azienda ritiene essenziale che tutte le sue attività commerciali contribuiscano al benessere della società per raggiungere questo obiettivo. Faremo del nostro meglio per raggiungere questo obiettivo sulla base della nostra filosofia di base "Qualità, prezzo, consegna, servizio". Soprattutto, in qualità di produttore, Rokko Electronics dà la massima priorità alla qualità per fornire i prodotti e i servizi che soddisfano i clienti. Attraverso i prodotti e i servizi, Rokko Electronics raggiungerà contemporaneamente la sua prosperità e il suo contributo alla società. In base a questa politica, tutti i dipendenti Rokko Electronics mettono il cuore in "La soddisfazione del cliente al primo posto"e "Puntare al miglior prodotto, alla migliore qualità".

I materiali semiconduttori, che sono lucidatura e rettifica di precisione come parte delle attività commerciali di Rokko Electronics, svolgono un ruolo importante nella nostra vita quotidiana. In particolare, l'attività di riciclaggio dei wafer di silicio è un processo di riutilizzo e contribuisce alla conservazione dell'ambiente. D'altra parte, però, le operazioni consumano una grande quantità di energia, di risorse naturali e di sostanze chimiche che si traduce nella generazione di rifiuti industriali. Rokko Electronics Co., Ltd. Considera le attività di gestione ambientale attiva di tutti i dipendenti come una priorità assoluta per mantenere un ambiente sano e migliorare l'ambiente.

1.Politiche di Base ： ・Politica di base BCP 2.Regime di attivazione BCP ： ・Regime di attivazione e definizione del BCP 3.Impresa di base e obiettivi di ripristino: Informazione relative all’impresa di base: ・Informazioni sostitutive di tutti i tipi di risorse in relazione alla continuità imprenditoriale 4.Esamina finanziaria e piano di misura preliminare ： ・Stima dei costi di ripristino, liquidità ・Piano di investimento per le misure preliminari (controllo mappe di crisi del territorio) 5.Attivazione BCP in caso di emergenza (1)Flusso di attivazione (2)Rifugio: piano di rifugio (3)Rete di informazioni: contatti delle associazioni di riferimento (di tipo finanziario) ・Lista contatti dei dipendenti ・Organizzazione informazioni di base → dipendenti → lista, controllo rete di contatti per le emergenze ・Lista numeri di telefono/fax (uso interno) ・Informazioni dei clienti principali →Controllo lista della situazione per ogni cliente (4)Risorse ・Risorse Bottleneck in relazione all’impresa di base ・(impianti, macchinari, veicoli) → controllo registro dell’attrezzatura ・Informazioni catalogo fornitura necessarie all’impresa di base ・Informazioni fornitori/commercianti principali (divisi per fornitura) → controllo registro acquisti ・Check list degli articoli per le calamità

Alla Rokko, altre alla redazione e all’attivazione del BCP (piano di continuità operativa), abbiamo riassunto sotto i punti essenziali per una continuità operativa adatta alle nostre caratteristiche. 1. Obiettivi dell’applicazione e della redazione BCP: ： ①Per i clienti Limitare gli influssi negativi ai piani di produzione della clientela. ②Per i dipendenti Proteggere la sicurezza e le assunzioni dei dipendenti e delle loro famiglie. ③Per l’ambiente Contribuire all’economia e alla vita del territorio. ④Altro 2. Punto principale della continuità operativa in casi di emergenza： ①Aiutarsi tra aziende Aiutarsi tra aziende contigue in caso di calamità. ②Morale per le trattative commerciali Rispettare i pagamenti ai fornitori senza ritardi anche in caso di emergenza ③Contributo all’ambiente Distribuzione di cibo ai residenti della zona. ④Sistema ufficiale di sostegno Utilizzo di sportelli speciali a servizio dei cittadini installati presso le sedi comunali e delle camere di commercio. ⑤Altro 3.Periodo di aggiornamento del BCP e del piano anti calamità: ogni settembre (una volta all’anno)

Formulazione politiche di base Normalità Definizione del regime di attivazione del ciclo BCP Aggiornamenti basati su nuove problematiche ①Capire l’impresa       ⑤Effettuare aggiornamenti e test del BCP   ②Esaminare la preparazione e i piani preliminari del BCP   ④Diffondere la cultura del BCP ③Elaborare il BCP Scoppio situazione di emergenza Situazione di emergenza e ripristino Attivazione del BCP

Soddisfare con orgoglio il cliente con servizi che corrispondano alle sue richieste. Creare nuovi clienti basandoci su tali richieste e formare al contempo nuovi valori di crescita e cambiamento. Ricercare la felicità dei dipendenti e delle rispettive famiglie sulla base di tali risultati”. Basandoci su questo nostro credo aziendale contribuiamo con i nostri servizi al benessere non solo dei clienti, ma anche dei dipendi, dell’ambiente e della società. Crescere e cambiare è il credo della nostra attività CSR.

1. Rispetto della legge 1）Rispetto della legge e delle normative 2）Competizioni e trattative oneste 3）Prevenzione conflitti di interessi 4）Divieto di scambio di regali, eccessivi servizi al cliente e corruzione 5）Prevenzione fughe di dati segreti (sicurezza dell’informazione) 6）Gestione garanzia di sicurezza commercio 2. Rispetto dei diritti umani 3. Ambiente di lavoro sano 1）Ambiente di lavoro sicuro 2）Attenzione alla salute 3）Ambiente e macchinari che facilitano il lavoro 4. Rapporti con la società 1）Soddisfazione del cliente 2）Contributi alla società 3）Rispetto dell’ambiente 4）Netto distacco da associazioni a delinquere

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