Alla Rokko ci impegniamo di continuo nello sviluppo di nuove tecnologie non solo per i wafer di silicio, ma anche per quelli di zaffiro e la lavorazione SiC grazie alle nostre esperienze coltivate nel tempo per quel che riguarda la molatura, la lucidatura e la pulitura.
Siamo convinti che la soddisfazione del cliente sia la base del nostro sviluppo tecnologico e il nostro successo non sarebbe possibile senza il supporto della clientela. Basandoci su questi standard continueremo a svilupparci per garantire la stessa soddisfazione introducendo i macchinari di ispezione più moderni.

●　Misuratore automatico a spettro interferenza dello spessore dei wafer Lo spessore dello strato di silicio può essere misurato solo per i wafer, i SOI, i wafer con supporto, i wafer in resina/ a nastro. (può essere misurato anche un solo lato della superficie di silicio nel caso 2 wafer fossero attaccati).

●　Misuratore automatico a spettro interferenza dello spessore dei wafer Lo spessore può essere misurato solo per gli strati attivi o supportati a silicone, ma non per lo spessore generale del wafer o dei MEMS/ dispositivi a sensore che hanno subito l’assottigliamento dello spessore.

●　Selettore di wafer per resistività, P/N, spessore Per 4, 5, 6, 8 inch

●　Selettore di wafer per resistività, P/N, spessore Resistività misurabile: 1,0 m – 3,0 MΩ・cm

●　Macchinario Candela CS20 di ispezione della superficie del wafer Usato per l’ispezione dei materiali trasparenti di zaffiro e SiC. In grado di ispezionare crepe nei cristalli, tratteggiature, cavità negli strati Epi, sporco, e altri difetti e graffi nel circuito.		●　Macchinario Candela CS20 di ispezione della superficie del wafer Dimensione del wafer: 3, 4, 5, 6 inch Spessore: 300 – 1400 μm

●　Misuratore TME-07 dello spessore dei wafer a capacità elettrostatica Questo macchinario rimuove i wafer dalle piastre e ne misura lo spessore in base alle coordinate designate. Le misurazioni vengono effettuate senza toccare il wafer da un sensore di capacità elettrostatica.

●　Misuratore TME-07 dello spessore dei wafer a capacità elettrostatica Spessore misurabile: 100-1800um (dipende dalla grandezza del wafer). Misurazione del punto centrale (le coordinate possono essere impostate attraverso la configurazione della macchina).

●　Analizzatore a totale riflessione a raggi x fluorescenti TREX610 Elementi misurabili: 12 (S, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn)

●　Microscopio a contrasto di interferenza differenziale Questo strumento permette di osservare la rugosità sulla superficie del wafer.

●　Macchina di ispezione laser della superficie del wafer "Sensibilità di rivelazione massima: 7 um Unità: Laser Violet LD longevo" Dimensione del wafer: 4, 5, 6 inch Gamma: 0,087 – 5,0 μ

●　Macchina di ispezione laser della superficie del wafer Dimensione del wafer: 4, 5, 6 inch Gamma: 0,208 – 1,0 μ

●　Macchina di ispezione laser della superficie del wafer Dimensione del wafer: 5, 6, 8 inch Gamma: 0,1 – 5,0 μ

●　Ispezione visiva I wafer vengono ispezionati sotto una lampada alogena in una stanza buia.