Apertura della nuova
fabbrica specializzata in nuovi materiali
Dal gennaio 2017
～Nuovi materiali: SiC, Zaffiro, LT (Tantalato
di litio), ecc.
～
● Aumento della capacità per sostenere la lavorazione su
larga scala
● Completamente separato dalla lavorazione dei wafer a
silicio. Un solo passaggio lavorativo tra la accettazione
e la spedizione
● LA riduzione del processo lavorativo comporta un taglio
dei costi
● La produzione su larga scala è iniziata nel marzo 2017
■ Nuova
fabbrica specializzata in Wafer di composti
Piano 3: Pulitura/ sala di ispezione
Piano 2: Sala di lucidatura
Piano 1: Sala di molatura
■ Punti
di forza della nuova fabbrica
Raggiungimento di alti standard qualitativi
di “pianura”, “rugosità superficiale” e di “strato alterato”
mediante l’uso di una molatrice ad alta-rigidità
⇒Taglio dei costi di lavorazione
Riduzione delle deformazioni dopo la molatura
posteriore di assottigliamento
⇒In grado di processare sia la molatura che la lucidatura
in un passaggio.
Alti livelli di pulizia con l’introduzione
di un macchinario specializzato nella pulitura SiC
(Riduzione delle contaminazioni e delle particelle)
Possibile sviluppo dell’introduzione di una
lavorazione a prevenzione knife-edge per SiC, già in atto
per i wafer al silicio.
■ Lavorazione
di assottigliamento per wafer SiC a pattern
Esempi di lavorazione per wafer SiC a pattern
Risultati nelle variazioni di sottigliezza dei wafer molati
(wafer SiC 6 inch)
：um
※TV5: 1um≧ dopo la molatura
Paragone dei risultati di rugosità dopo
la molatura (Wafer SiC 6 inch)
Le variazioni di
spessore e la rugosità della superficie sono state migliorate
dopo l’introduzione della molatrice ad alta rigidità.
※La rugosità post molatura è stata migliorata rispetto
a quella ottenuta mediante una molatrice convenzionale.
■ Lavorazione
ultra-sottile dei wafer SiC
Esempi di risultati di lavorazione di SiC
con supporto
Risultati nelle variazioni di sottigliezza dei wafer molati
(wafer SiC 4 inch)
※Risultati di ultra sottigliezza e ultra pianura.
Backｇgrinding
4 inch SiC
TV5 (um)
Range
A
B
C
D
E
22.88
22.4
22.03
22.75
22.31
0.37
La Rokko è una delle poche aziende che dispone di un processo lavorativo
integrati per i wafer SiC (molatura, lucidatura e pulitura RCA)
contando unicamente sulle proprie tecnologie sviluppate nel tempo.
Alla Rokko abbiamo sviluppato tecniche per utilizzare l’esistente
strumentazione dei semiconduttori e i macchinari per la lavorazione
dei wafer a SiC. Se paragonato ai macchinari convenzionali disponibile
nell’industria dello SiC, alla Rokko abbiamo un processo lavorativo
integrato specializzato in velocità di produzione, basso tasso di
deformazioni, alta rugosità, flessibilità e grandezza dei wafer.
● Analizzatore a totale riflessione
a raggi x fluorescenti TREX610
Elementi misurabili: 12 (S, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co,
Ni, Cu, Zn)
● Macchinario Candela CS20 di
ispezione della superficie del wafer
Dimensione del wafer: 3, 4, 5, 6 inch
Spessore: 300 – 1400 μm
■ Processo
automatico di pulitura scrub
■ Nuovo
macchinario：
Dopo la lucidatura dei residui di sostanze alcaline possono finire
per diventare macchie o fonti di particelle. La rimozione rapida
di tali residui prima che vengano rivestiti da pellicole di ossido
naturale è una delle tecniche chiave della lucidatura.
In origine, i wafer venivano puliti uno alla volta a mano dall’operatore.
Recentemente abbiamo introdotto un sistema di pulitura automatico
che elimina l’errore umano e le ripercussioni nella qualità per
raggiungere degli standard qualitativi uniformi.
■Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
■Spessore: fino a 100 μm
■Wafer a pattern e SOI
Possono essere lavorati anche i wafer a vetro.
● Scrubber automatico
Alte performance di pulizia.
● Scrubber automatico
Dimensione del wafer: 4, 5, 6, 8 inch
Possono essere lavorati anche i wafer a zaffiro e SiC.
■
Lavorazione di wafer zaffiro
Lavorazione convenzionale
Lavorazione presso la Rokko
Lappatura del diamante
Lucidatura CMP (in lotti)
Molatura
Lucidatura CMP
Costo di esercizio
Alto
(Ruote metalliche + Diamanti)
Moderato
(Piattaforme + Slurry)
Moderato
(Ruote di diamante)
Moderato
(Piattaforme + Slurry)
Livello di tecnologia richiesto
Alto
Moderato
Alto
Alto
Costo dei macchinari
Alto
Moderato
Alto
Alto
Velocità di lavorazione
Molto basso
Basso
Moderato
Moderato
Osservazioni
"Montatura
a cera
Difficoltà nell’aggiustamento dei tavoli per il lapping, necessario
un alto numero di lavorazioni."
"Montatura
a cera
Difficoltà nell’aggiustamento dei tavoli per il lapping, necessario
un alto numero di lavorazioni."
Adesione sottovuoto・Molatrice
automatica specializzata nello zaffiro
Lucidatura senza
la cera
■
Molatura dei wafer SiC per la rugosità
Rugosità superfice wafer SiC
molati 150mm
Valutazioni
Molatura di rifinitura
Molatura finale
Rugosità
Ｒａ
12.4-14.6nm
2-5nm
Deformazione
A occhio (in scala)
0.5-0.8mm
0.2-0.4mm
※Rugosità di superficie: misuratore del profilo
di superficie senza contatto Zygo
■
Risultati di misurazione AFM della superficie CMP dei wafer
SiC (6 inch)
Risultati di misurazione AFM
della superficie lucidata dei wafer SiC 6 inch (3 punti sulla
superficie)
Zona centrale
Ra:0.711Å
Centro esatto
Ra:0.576Å
Bordo
Ra:0.632Å
150mm SiCウエハ
Si面 CMP表面粗さ Ra < 0.1nm
■
Risultati delle particelle dopo la pulizia del wafer SiC
Particelle
dopo la pulizia di wafer SiC da 150 mm
Pre pulitura
Lavaggio scrub
Pulitura RCA
1.Il lavaggio scrub è utile per rimuovere le
particelle più grandi.
2.Le particelle e lo sporco vengono rimossi dopo la pulitura
RCA.
3.10 pezzi≧0,3um
■
Contaminazione dei metalli dopo la pulitura dei wafer SiC
Contaminazione
dei metalli dopo la pulitura dei wafer zaffiro 150 mm
Misuratore TXRF
Risultati della misurazione mediante
TXRF dopo il processo di pulitura
