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ROKKO ELECTRONICS Co., Ltd.
Zipp: 663-8105
8-5, Nakajima-cho, Nishinomiya-city, Hyogo, Japan
▼ Dispositivi Sensori
Per prima cosa nel processo vengono creati sulla superficie anteriore
del wafer i circuiti elettrici (patterns). Successivamente, il retro
del wafer viene molato per diminuirne lo spessore. I wafer di questo
tipo sono di estremo valore e necessitano di essere trattati con
cura. Nel nostro processo produttivo siamo in grado di lavorare
i wafer senza danneggiare i pattern grazie all’uso di nastri protettivi
selezionati.
Una molatrice simile a quella usata per i dispositivi di potenza
viene usata per stimolare la formazione di uno stato gretting sulla
superficie processata. Il nostro punto forte consiste nelle tecnologie
di sviluppo di ottimi dispositivi sensori che ci consentono di offrire
servizi di molatura e lucidatura integrati.
La nostra specialità consiste proprio nell’offrire un servizio di
processo integrato (molatura → lucidatura)
■ Attrezzature e Macchinari
● Applicatrice di nastri protettivi
Dopo l’ispezione iniziale vengono applicati ai wafer dei nastri
UV o dei sensori di pressione. I wafer a cui sono stati applicati
i nastri vengono poi ispezionati per controllare l’eventuale
presenza di sporco.
● Molatrice automatica
I wafer dai 4 agli 8’’ di diametro vengono molati con precisioni
senza alterare le loro caratteristiche.
● Ispezione visiva
Vengono controllati l’aspetto del wafer e l’assenza di graffi
o difetti.
● Lucidatrice singola
I wafer vengono lucidati secondo le necessità di spessore
espresse dal cliente.
● Macchina per la rimozione dei
nastri
Rimuove i nastri senza venire in contatto con la superficie
lavorata.
● Pulitrice a ultrasuoni
Dopo la rimozione dei nastri, pulisce i wafer dalle particelle
con gli ultrasuoni.
● Ispezione finale
I wafer sono misurati e controllati per rispettare le direttive
del cliente.
● Misuratore automatico a spettro
interferenza dello spessore dei wafer
Lo spessore dello strato di silicio può essere misurato solo
per i wafer, i SOI, i wafer con supporto, i wafer in resina/
a nastro. (può essere misurato anche un solo lato della superficie
di silicio nel caso 2 wafer fossero attaccati).
● Misuratore automatico a spettro
interferenza dello spessore dei wafer
Lo spessore può essere misurato solo per gli strati attivi
o supportati a silicone, ma non per lo spessore generale del
wafer o dei MEMS/ dispositivi a sensore che hanno subito l’assottigliamento
dello spessore.