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ROKKO ELECTRONICS Co., Ltd.

Zipp: 663-8105
8-5, Nakajima-cho, Nishinomiya-city, Hyogo, Japan



加盟団体

SIIQ

NEDIA

SiCアライアンス

SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会

パワーデバイス・イネーブリング協会

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▼ Dispositivi Sensori

Per prima cosa nel processo vengono creati sulla superficie anteriore del wafer i circuiti elettrici (patterns). Successivamente, il retro del wafer viene molato per diminuirne lo spessore. I wafer di questo tipo sono di estremo valore e necessitano di essere trattati con cura. Nel nostro processo produttivo siamo in grado di lavorare i wafer senza danneggiare i pattern grazie all’uso di nastri protettivi selezionati.
Una molatrice simile a quella usata per i dispositivi di potenza viene usata per stimolare la formazione di uno stato gretting sulla superficie processata. Il nostro punto forte consiste nelle tecnologie di sviluppo di ottimi dispositivi sensori che ci consentono di offrire servizi di molatura e lucidatura integrati.

La nostra specialità consiste proprio nell’offrire un servizio di processo integrato (molatura → lucidatura)
■ Attrezzature e Macchinari
● Applicatrice di nastri protettivi

Applicatrice di nastri protettivi
Dopo l’ispezione iniziale vengono applicati ai wafer dei nastri UV o dei sensori di pressione. I wafer a cui sono stati applicati i nastri vengono poi ispezionati per controllare l’eventuale presenza di sporco.
● Molatrice automatica

Molatrice automatica
I wafer dai 4 agli 8’’ di diametro vengono molati con precisioni senza alterare le loro caratteristiche.
● Ispezione visiva

Ispezione visiva
Vengono controllati l’aspetto del wafer e l’assenza di graffi o difetti.
● Lucidatrice singola

Lucidatrice singola
I wafer vengono lucidati secondo le necessità di spessore espresse dal cliente.
● Macchina per la rimozione dei nastri

Macchina per la rimozione dei nastri
Rimuove i nastri senza venire in contatto con la superficie lavorata.
● Pulitrice a ultrasuoni

Pulitrice a ultrasuoni
Dopo la rimozione dei nastri, pulisce i wafer dalle particelle con gli ultrasuoni.



● Ispezione finale

Ispezione finale
I wafer sono misurati e controllati per rispettare le direttive del cliente.
● Misuratore automatico a spettro interferenza dello spessore dei wafer

Misuratore automatico a spettro interferenza dello spessore dei wafer
Lo spessore dello strato di silicio può essere misurato solo per i wafer, i SOI, i wafer con supporto, i wafer in resina/ a nastro. (può essere misurato anche un solo lato della superficie di silicio nel caso 2 wafer fossero attaccati).
● Misuratore automatico a spettro interferenza dello spessore dei wafer

Misuratore automatico a spettro interferenza dello spessore dei wafer
Lo spessore può essere misurato solo per gli strati attivi o supportati a silicone, ma non per lo spessore generale del wafer o dei MEMS/ dispositivi a sensore che hanno subito l’assottigliamento dello spessore.
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