半導体製造の一翼を担う企業として挑み続けています。六甲電子株式会社


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六甲電子株式会社

〒663-8105
兵庫県西宮市中島町8番5号


加盟団体

SIIQ

NEDIA

SiCアライアンス

SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会

http://www.pdea.jp/

新素材対応の専用の新工場オープン

2017/01〜


〜新素材:SiC,サファイア,LT等〜

● 量産化に伴う処理枚数能力増加

● シリコン工程と完全分離し,受入〜出荷までを一環処理

● プロセス短縮によるコスト削減

● 量産開始:2017年3月


化合物ウエハ専用 新工場
 
3階 洗浄・検査室
 
2階 研摩室
 
1階 研削室

新工場の強み

 

高剛性グラインダーによる『平坦化』『面粗さ』及び『加工変質層』の高品質化による。
⇒プロセス・コスト削減
     
  バックグラインディング後の薄化時のソリを低減。
⇒グラインディング+ポリッシュの一貫加工が可能。
     
  SiC専用洗浄装置導入による高清浄度化
(コンタミ・パーティクルの低減)
     
  シリコンウエハでの量産実績のあるナイフエッジ防止加工をSiC薄化ウエハへの将来展開が可能。

パターン付きSiCウエハ薄化加工について

 

パターン付きSiCウエハの加工実績例
研削後のウエハ厚みバラツキ実績 (SiC
6インチウエハ)

単位:um
※研削後のTV5: 1um≧ となっています。

 

研削後のウエハ面粗さ比較実績 (SiC 6インチウエハ)

 

高剛性グラインダーの導入により研削後の厚みバラツキ・研削後の面粗さが改善されました。

※従来グラインダ装置と比べ研削後の粗さが改善されています。

事業案内
当社独自の手法によりSICウエハの研削→研磨→RCA洗浄を一貫して行えることが我々の強みです。

高速・低ソリ・高面粗度・大口径対応が可能となり、一貫加工にて対応いたします。
1軸グラインダー
1軸グラインダー
● 全反射蛍光X線表面分析装置TREX610

TREX610
ウエハ表面金属不純物12元素(S, Cl, K, Ca, Ti, Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)の分析が可能です。
● Candela CS20ウエハ表面検査装置

candela CS20
測定対応インチ:3・4・5・6インチ
測定厚み:300-1400μm
 自動スクラブ洗浄装置

新装置:
研磨後に微小に残ったスラリーなどのアルカリ成分を自然酸化膜にコーティングされる前に、いかに早りきるかによって、シミやパーティクルのもとになっていました。
従来、人が一枚一枚(バッチのころはバッチごと)にウエハーに対して界面活性剤でスクラブ洗浄を行っていましたが、自動機を導入することにより人による仕上がりの違いをなくし均一かつ高精度なおアーティクルの除去が達成されました。

■加工対応径:4・5・6・8インチ
■量産厚み対応: 〜 100μm
■パターン付ウエハ・ M EMSウエハなどのSOIウエハ
ガラスサポート付きウエハなどにも対応。
● 自動スクラブ洗浄装置
自動スクラブ洗浄装置
手動に比べパーティクルの低減が著しいです。
● 自動スクラブ洗浄装置
自動スクラブ洗浄装置
加工対象ウエハ:4・5・6・8インチ対応
サファイア・SiCなどシリコン以外でも効果発揮。
 サファイアウエハ加工
  一般的なサファイア・SiC加工 六甲電子のサファイア・SiC加工
  ダイアラッピング ポリッシュCMP
(バッチ)
グラインディング ポリッシュCMP
ランニングコスト 高(金属定盤+ダイアモンド)
(パッド+スラリー)
中(ダイアモンドホイール) 中(パッド+スラリー)
加工ノウハウ
装置コスト
加工速度 極低
備考 ワックス固定定盤修正の難易度が高い、工程数が多い ワックス固定定盤修正の難易度が高い、工程数が多い 真空吸着・サファイア専用全自動研削装置 ワックスレス方式にて研摩
 サファイアウエハ洗浄後 パーティクル結果
150mm SiCウエハ 洗浄後 パーティクル
洗浄前
スクラブ洗浄後
洗浄後
   
1.スクラブ洗浄で粗いゴミの除去。
2.RCA洗浄後はパーティクル、汚れも除去。
3.10個≧0.3um
 サファイアウエハ洗浄後 金属汚染
150mm SiCウエハ 洗浄後 金属汚染

TXRF測定装置
洗浄後ウエハ TXRF測定結果

<5X1010atoms/cm2
 
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