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Meuleuse pour saphir et SiC


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ROKKO ELECTRONICS Co., Ltd.

Zipp: 663-8105
8-5, Nakajima-cho, Nishinomiya-city, Hyogo, Japan



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NEDIA

SiCアライアンス

SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会

パワーデバイス・イネーブリング協会

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▼ Meuleuse pour saphir et SiC

Tendances actuelles dans les industries du saphir et des wafers de SiC, le diamètre de la plaquette devient de plus en plus grand. En raison de ces tendances, Rokko voit les limites des équipements de traitement conventionnels. C'est pourquoi Rokko Electronics a introduit des équipements à grains abrasifs fixes dans ses services de broyage du saphir et du SiC.
Ce service nouvellement introduit est maintenant nous pourrez recevoir les commentaires des clients.


 Rokko a une philosophie du saphir et du procédé de fabrication de plaquettes de SiC

●Rokko est capable de fournir des services de traitement au même niveau de contrôle que celui de l'industrie des semi-conducteurs qui est cultivé grâce à des relations à long terme avec nos clients. (DIW, contrôle des salles blanches, normes de travail pour le contrôle des équipements/formation des opérateurs / certification des opérateurs)
●Un procédé sans cire est établi non seulement pour les plaquettes de base mais aussi pour les plaquettes avec dispositifs. Car la propreté est très importante dans le secteur de l'amincissement des plaquettes.
●Les services de processus intégrés sont disponibles. Travaux d'éclaircissage → Mirroring・Stress relief (polissage) → nettoyage de surface traité (contamination・particle enlèvements) (nettoyage RCA) et biseautage
●En plus des méthodes conventionnelles, les services de Rokko se sont avérés plus efficaces en termes de temps et de coûts.

  Processus conventionnel Processus de Rokko Electronics
  Rodage des diamants Polissage des diamants Polissage, CMP (lot) Meulage Polissage, CMP
Coût de fonctionnement Haut
(Roue en métal + diamant)
Haut
(Roue en métal ou tampon + coulis)
Modéré
(Tampon + coulis)
Modéré
(Les meules de diamant)
Modéré
(Tampon + coulis)
Niveau requis de technologie des procédés Haut Haut Modéré Haut Haut
Coût de l'équipement Haut Haut Modéré Haut Haut
Capacité de traitement Très faible Très faible Faible Modéré Haut
Remarques "Montage à la cire
Difficile de modifier la plaque de surface de fixation de cire,
un nombre plus élevé de processus est nécessaire."
"Montage à la cire
Difficile de modifier la plaque de surface de fixation de cire,
un nombre plus élevé de processus est nécessaire."
Montage à la cire,
Difficile de modifier la plaque de surface de fixation de cire
Système d'aspiration à vide.
Machine automatique à broyer le saphir et le SiC
Polissage sans cire

 Nouvel équipement:
● Équipement de rappe de diamants

Équipement de rappe de diamants
Pour 3,4,5,6 pouces.
● Équipement de rappe de diamants

Équipement de rappe de diamants
Décapage de film pour la récupération de plaquettes de SiC.
● Meuleuse pour saphir et SiC

Meuleuse pour saphir et SiC
Cet équipement est conçu pour les wafers de 6 pouces à substrat dur telles que le saphir et le SiC.
● Meuleuse pour saphir et SiC

Meuleuse pour saphir et SiC
Processus automatisé via le système de contrôle NC.
● Meuleuse pour saphir et SiC

Meuleuse pour saphir et SiC
Cette machine est équipée d'un système automatisé de transport des plaquettes pour effectuer un traitement entièrement automatisé des plaquettes.
● Meuleuse pour saphir et SiC

Meuleuse pour saphir et SiC
Equipé d'un système de contrôle par le vide (sans cire).
● Plaquette de saphir 6-pouces

Plaquette de saphir 6-pouces
Les plaquettes à motifs et les plaquettes de base peuvent être traitées.
● Plaquette de saphir 6-pouces

Plaquette de saphir 6-pouces
Les plaquettes de SiC sont traitées par la meule spéciale.
● Plaquette SiC 6-pouces

Plaquette SiC 6-pouces
Les plaquettes à motifs et les plaquettes de base peuvent être traitées.
● Plaquette SiC 6-pouces

Plaquette SiC 6-pouces
Les plaquettes de SiC sont traitées par la meule spéciale.
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