● Erhöhung der Verarbeitungsanzahl aufgrund der Massenproduktion
● Trennung von der Verarbeitung von Siliziumwafern und
Abschluß vom Wafereingang bis zum Auslieferung in einem
integrierten Prozess
● Kostenvorteil durch die Prozessverkürzung
● Beginn der Massenproduktion im März 2017
■ Die neue
Fabrik exklusiv füt zusammengesetzter Wafer
2.OG Reinigung/ Ausgangskontrolle
1.OG Polierraum
EG Schleifraum
■ Die
Stärke der neuen Fabrik
Erreichen einer hohen Qualität von „Ebenheit“,
„Oberflächenrauhigkeit“, „von Verarbeitung beeinflusste Schicht“
durch Verwendung einer Schleifmaschine mit hoher Steifigkeit
⇒プReduzierung der Prozesskosten
Reduktion der Verwölbung nach Rückschleifverdünnung.
⇒fähig zur Verarbeitung von Schleifen + Polieren in einem
integrierten Prozess
Hohe Sauberkeit durch Einführung exklusiver
Reinigungsgeräte für SiC
(Reduktion der Verunreinigung + Partikel)
Erwartung auf die Einführung einer Verarbeitung
der Knife-Edge Protektion für SiC, die für Silizium bereits
in Betrieb ist.
■ Verdünnungsprozess
eines strukturierten SiC-Wafers
Beispiel für die Verarbeitung von strukturierten
SiC-Wafern
Ergebnis der Dickenschwankungen von geschliffenen Wafer
(SiC 6-Zoll Wafer)
：um
※TV5: 1um≧ nach dem Schleifen
Ergebnis des Rauheitsvergleichs nach dem
Schleifen (SiC 6-Zoll Wafer)
Dickenschwankungen/
Oberflächenrauhigkeit verbessert durch den Einsatz einer Schleifmaschine
mit hoher Steifigkeit.
※Im Vergleich zu herkömmlichen Schleifmaschinen ist die
Oberflächenrauheit nach dem Schleifen verbessert worden.
■ Verarbeitung
der ultra-dünnen SiC-Wafer
Beispieldaten von SiC-Wafern, die mit Wafer-Unterstützung
verarbeitet wurden.
Ergebnis der Dickenschwankungen von geschliffenen Wafer（SiC
4-Zoll Wafer）
※Erreichen der Ultra-Verdünnung & Ultra-Flachung.
Backｇgrinding
4 inch SiC
TV5 (um)
Range
A
B
C
D
E
22.88
22.4
22.03
22.75
22.31
0.37
Rokko ist eines der wenigen Unternehmen, das einen integrierten
SiC-Wafer-Verarbeitungsservice (Waferschleifen, Polieren und RCA-Reinigung)
durch seine ausschließlich entwickelten Technologien anbietet.
Rokko hat Techniken entwickelt, um seine vorhandenen Halbleiterwerkzeuge
und Ausrüstungen für den Betrieb von SiC -Wafern zu nutzen. Im Vergleich
zu den herkömmlichen Ausrüstungen, die in der Saphirindustrie verfügbar
sind, hat das Rokko-Verfahren seine Vorteile in Bezug auf Durchsatz,
Wafer-Verwölbung, Rauheit und Flexibilität der Wafergröße.
■ Neues
Werkzeug:：
Ablagerungen, die alkalische Substanzen enthalten, führen nach dem
Polieren zu Polierspuren oder Partikelquellen. Das Entfernen solcher
Ablagerungen vor dem Beschichten mit natürlichen Oxidfilmen ist
eines der Schlüsseltechniken beim Polieren.
Bei unserem herkömmlichen Verfahren wurden die Wafer Stück für Stück
durch manuelles Schrubben gereinigt. Nun führte Rokko eine vollautomatische
Reinigungsmaschine ein, um menschliche Fehler und Qualitätsabweichungen
zu beseitigen, und dementsprechend eine einheitliche, stabile Qualität
zu erreichen.
■Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
■Dicke: Bis zu 100 μm
■Gemusterte Wafer, SOI Wafer & MEMS
Auch kompatibel mit Wafern mit Glasträger.
。
● Automatische Schrubbausrüstung
Hohe Reinigungsleistung.
● Automatische Schrubbausrüstung
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
Saphir- und SiC-Wafer können verarbeitet warden.
■
SiC-Wafer-Prozess
herkömmlicher Prozess
der Rokkos Prozess
Diamant-Läppen
Polieren, CMP (Stapel)
Schleifen
Polieren CMP
Laufende Kosten
Hoch
Metallräder + Diamanten
Gemäßigt
(Pads + Slurry)
Gemäßigt
(Diamant-Räder)
Gemäßigt
(Pads + Slurry)
erforderliches Niveau der Verfahrenstechnik
Hoch
Gemäßigt
Hoch
Hoch
Kosten der Ausrüstung
Hoch
Gemäßigt
Hoch
Hoch
Durchsatz
sehr gering
Gering
Gemäßigt
Gemäßigt
Bemerkung
"Wachsmontage
Schwierigkeiten bei der Einstellung des Läpptisches,
eine große Anzahl von Prozessen ist erforderlich."
"Wachsmontage
Schwierigkeiten bei der Einstellung des Läpptisches,
eine große Anzahl von Prozessen ist erforderlich."
"Vakuum-Spannsystem
Automatische Schleifmaschine für Saphir"
