„Kundenerwartungen erfüllen“
● Wie verhindern Sie, dass die Wafer nach
dem Verdünnungsprozess nicht zerbrochen werden? Solch Schäden
können sowohl von Menschen als auch von Geräten verursacht werden,
und das Ganze wirkt sich auf Ihre Prozessausbeute aus. Wie möchten
Sie dieses Problem lösen?
„Kundenbedürfnisse“
● Wie entfernt man Flecken auf der Oberfläche
von strukturierten oder gefilmten Wafern nach dem Verdünnungs-
und Polierprozess?
● Gibt es Wafer, die Sie aufgrund der Reinigungsfähigkeit Ihrer
Ausrüstung nicht in Ihren Prozess einbringen können?
※Im herkömmlichen Reinigungsprozess von polierten Rückseiten werden
organische oder DI-Wafer-basierte Techniken zur Reinigung von
Partikeln verwendet. Um Metallverunreinigung von den Oberflächen
zu entfernen, erfordert es eine RCA-Reinigung, aber diese Methode
kann nicht verwendet werden, da die RCA-Reinigung normalerweise
die Oberfläche von Mustern oder Filmen radiert und beschädigt.
Um solchen Kundenbedürfnissen im Halbleiter-Backend-Prozess zu
erfüllen, hat Rokko durch die Zusammenarbeit mit Geräteherstellern
den "Rokko-Premium-Prozess" entwickelt.
■ Prozess
herkömmlicher
Prozess
Schutzbänder
Rückseitenschleifen
Rückseitenpolieren
des einzelnen Wafer
Kontaktloses
Abziehen von Oberflächenbändern
Rokko-Premium-Prozess
Schutzbänder
Knife-Edge
Protektion
Rückseitenschleifen
Rückseitenpolieren
des einzelnen Wafe
Kontaktloses
Abziehen von Oberflächenbändern
RCA
Reinigungsprozess für gemusterte Wafer
■ Knife-Edge
Protektion
„Kundenbedürfnisse“
● Wie verhindern Sie, dass die Wafer nach dem Verdünnungsprozess
nicht zerbrochen werden? Solch Schäden können sowohl von Menschen
als auch von Geräten verursacht werden, und das Ganze wirkt sich
auf Ihre Prozessausbeute aus. Wie möchten Sie dieses Problem lösen?
→
Wir bieten Abschrägungsdienste und gehen dabei auf die vielfältigen
Bedürfnisse bezüglich der fertigen Dicke (z. B. 100μ, 50μ usw.)
ein.
Da die Abschrägung durch NC-Steuerung erfolgt, ist es möglich, Wafer
auf jede beliebige Dicke zu verarbeiten, ohne den Schleifstein auszutauschen.
Vor dem Rückenschleifen
Abschrägung
Nach dem Rückenschleifen
※Ohne Abschrägungsdienst
※Abschrägungsdienst
※Das Bilden einer messerscharfen Form
※Die Abschrägung ist kompatibel mit
verschiedenen Waferdicken, und kann so ein geeignetes Kantenprofil
bilden.
Klicken Sie hier, um ein Falltest-Video eines 6-Zoll-100μ-Wafers
mit / ohne Abschrägung zu sehen→
● Verarbeitungsmaschine zur Knife-Edge
protektion
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
● Verarbeitungsmaschine zur Knife-Edge
protektion
Durch das NC-Steuerungssystem können die Kantenformen entsprechend
ihrer Dicke angepasst werden.
■ Rückseitenschleifen
Rokko verfügt über mehr als 10 Jahre Erfahrung im Bereich der Waferverdünnung
mit verschiedenen Wafertypen, von SOI, GWSS, bis hin zur normalen
Massenproduktion (Dicke von 100-150um).
Wir bemühen uns kontinuierlich, die Ausbeute der von unseren Kunden
erhaltenen Wafer zu verbessern.
MEMS-Anwendungen: SOI, GWSS, Wafer mit Löchern, Hohlraumstrukturen,
Silizium-Durchkontaktierung, und nichtkreisformige Wafer.
● Rückseitenschleifer
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
● Rückseitenschleifer
Erzielung höherer Ausbeute durch tägliche Wartungsprüfungen.
■ Neue Funktionen： Beim herkömmlichen Verfahren wird die Waferdicke mit
einem In-Process-Messgerät gemessen.Rokko hat vor kurzem die Maschine
installiert, welches mit einem NCG (berührungsloses Messgerät) ausgestattet
ist. Diese Maschine kann die Waferdicke per Laser messen, ohne sie
zu berühren. Im diesem neu entwickelten Verfahren können alle Wafer
einschließlich MEMS, wie z.B. Hohlraum-strukturierte oder durchlöcherte
Wafer, gemessen werden. ■Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
■Dicke: 100–150 μm
■MEMS Waferverarbeitung
Wir führen eine integrierte Verarbeitung (vom Schleifen bis zum
Polieren) von Wafern mit den folgenden Eigenschaften durch: SOI,
GWSS, Löchern, Hohlraumstrukturen, Elektrodendurchschuss und Nicht-Kreisform.
■ Rückseitenpolieren
von einzelnen Wafern
Nach dem Schleifen entstehen kleine Unebenheiten auf der Waferoberfläche.
In diesem Prozess werden Wafer sorgfältig poliert um die Unebenheiten
zu beseitigen. Es wird präzise und schnell poliert, sodass keine
Verzerrungen oder Kratzer auf der Waferoberfläche entstehen.
■Vorteile des Einzelwaferprozesses:
●Es ist ein wachsfreies Verfahren welches einen höheren Reinheitsgrad
ermöglicht, da die Reinigungsanforderungen reduziert werden.
●Ein einzelnes Waferverarbeitungswerkzeug kann Wafer effizienter
polieren als der Bach-Typ und erfordert im Vergleich auch weniger
Entfernungen.
●Eine einzelne Waferverarbeitung sorgt für ein genaueres Polieren
und hilft auch dabei, mehr Ebenheit zu erzielen.
● Einzelwafer-Rückschleifmaschine
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
● Einzelwafer-Rückschleifmaschine
Diese Maschine kann ausgedünnte Wafer und MEMS-Wafer verarbeiten.
■ Neues
Werkzeug:：
Ablagerungen, die alkalische Substanzen enthalten, führen nach dem
Polieren zu Polierspuren oder Partikelquellen. Das Entfernen solcher
Ablagerungen vor dem Beschichten mit natürlichen Oxidfilmen ist
eines der Schlüsseltechniken beim Polieren.
Bei unserem herkömmlichen Verfahren wurden die Wafer Stück für Stück
durch manuelles Schrubben gereinigt. Nun führte Rokko eine vollautomatische
Reinigungsmaschine ein, um menschliche Fehler und Qualitätsabweichungen
zu beseitigen, und dementsprechend eine einheitliche, stabile Qualität
zu erreichen.
■Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
■Dicke: Bis zu 100 μm
■Gemusterte Wafer, SOI Wafer & MEMS
Auch kompatibel mit Wafern mit Glasträger.
。
● Automatische Schrubbausrüstung
Hohe Reinigungsleistung.
● Automatische Schrubbausrüstung
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
Saphir- und SiC-Wafer können verarbeitet warden.
■ Kontaktloses
Abziehen von Oberflächenbändern
Das Klebeband wird abgezogen, ohne die polierte Oberfläche zu berühren.
■Wafergröße: 5,6 Zoll
■Bandtyp: UV-Bänder
■Eigenschaften:
●Der Roboterarm vom Typ Bernoulli überträgt Wafer, ohne dass sie
berührt werden.
●Nachdem die Wafer aufgestellt werden für die UV Bestrahlung, wird
das Band automatisch abgezogen.
● Automatisches Waferdickenmessgerät
für spektrale Interferenzen
Wafergröße: 5,6 Zoll
● Automatisches Waferdickenmessgerät
für spektrale Interferenzen
Die Oberfläche nach dem Polieren ist sehr fragil und verursacht
Mikrokratzer, wenn sie mit Metallteilen in Kontakt kommt.
Diese Maschine kann jedoch Bänder automatisch ohne Kontakt
abziehen.
■ RCA
Reinigungsprozess für gemusterte Wafer
■Verfügbare Dienste
・RCA-Reinigung für Wafer mit metallischen Mustern (Partikel- und
Metallreinigung)
・RCA-Reinigung für Filmwafer (Partikel- und Metallreinigung)
・RCA-Reinigung der Waferrückseite für Trägerwafer oder gebundene
Wafer (Partikel- und Metallreinigung)
■Grundlegende Spezifikationen
・Kontaktlose automatische Übertragung der polierten Oberfläche (Kassette
zu Kassette)
・Gleichzeitige 2-Kammer-Schleudermethode (RCA-Reinigung ⇒ Reinwasserspülung
⇒ Trocknen)
・Reinigung von Metallverunreinigungen durch nur einen chemischen
Prozess.
・Kompatibel für 4, 5, 6, 8 Zoll mit einer Mindestdicke von 150 μm
(am Prozess für unter 150 μm wird zurzeit gearbeitet.)
・Trägerwafer können bei Rokko verarbeitet werden.
