Beim Prozess wird zunächst eine elektrische Schaltung auf der Waferoberfläche
gebildet. Danach wird ein Ausdünnungsschleifen auf der Rückseite
durchgeführt. Wafer mit solch Schaltungen sind extrem wertvoll für
Kunden und müssen sorgfältig behandelt werden. Durch die Verwendung
von speziellen Schutzbändern sorgen wir dafür, dass keine Beschädigungen
entstehen.
Ähnlich wie bei den Schleifdiensten für Powergeräte ist auch hier
ein spezielles Schleifrad erhältlich, welches das Wachstum der Gettering-Schichten
auf der Verarbeitungsoberfläche stimuliert.
Rokkos Stärke ist es, einen integrierten Verarbeitungsprozess liefern
zu können (vom Schleifen bis hin zum Polieren)
■ Werkzeuge
● Waferschutzbandapplikator
Nach einer eingehenden Überprüfung werden die Wafer mit einem
Drucksensor oder UV-Bändern versehen. Beklebte Wafer werden
während dieses Vorgangs auf Staubeintritte untersucht.
● Vollautomatische Schleifmaschine
Wafer zwischen 4 und 8 Zoll werden präzise geschliffen, ohne
das die Ebenheit beeinflusst wird.
● Sichtprüfung
Das Aussehen der Wafer wird im Prozess überprüft.
● Poliergeräte mit Einzelsystem
Wafer werden gemäß den Dickenanforderungen des Kunden poliert.
● Automatisches Waferdickenmessgerät
für spektrale Interferenzen
Band entfernen ohne die verarbeitete Oberfläche zu kontaktieren.
● Reinigungswerkzeug mit Ultraschall
Wafer werden nach der Bandentfernung mit Ultraschall gereinigt
● Endkontrolle
Wafer werden gemessen und darauf überprüft, ob sie mit den
Anforderungen der Kunden übereinstimmen.
● Automatisches Waferdickenmessgerät
für spektrale Interferenzen
Die Dicke kann gemessen werden für: Die Silikonschicht der
bandgebundenen Wafer, SOI, Wafer mit Trägerbasis, Harzmaterial
/ bandgebundenen Wafer (wenn 2 Silikonwafer befestigt sind,
kann die einseitige Silikonschicht gemessen werden).
● Automatisches Waferdickenmessgerät
für spektrale Interferenzen
Die Dicke kann entweder nur von der Silikonschicht mit Trägerbasis
gemessen werden, oder nur von der aktiven Silikonschicht.
Ansonsten kann man nur die gesamte Dicke der ausgedünnten
MEMS/Sensor-Wafer messen.
