背面减薄加工		背面拋光加工		裏面研削＆研摩加工
	■4-8英寸 ■帶Bump晶圓 ■感壓膜・UV膜 ■減薄後在晶圓框架上貼片		■4-8英寸 ■批量式・單片式拋光裝置 ■单・双抛面加工 ■RCA清洗		■4-8英寸 ■批量式・單片式拋光裝置 ■單・雙鏡面加工 ■ＧＷＳＳ
	再生加工（返拋）		MEMS晶圓加工
	■4-6英寸 ■除膜 ■RCA清洗 ■顆粒・金屬汙染・厚度・外觀檢查		■4-8英寸 ■減薄&拋光 ■SOI層厚度控制 ■GWSS晶圓 ■Cavity構造晶圓・ 矽穿孔晶圓 ■半切穿式切割

●　UV照射器機 UV膜剝離器（包括模切環）

●　全自動減薄機 可從一片晶圓開始處理。

●　2流體清洗機 8英吋以下的圓晶，用純水和空氣兩種流體進行清洗・漂洗・乾燥。

測試片的再生加工
這是一項再利用加工，將客戶在晶圓生產過程中使用過的測試片/檔片(Dummy Wafer)重新加工成跟新片同等質量的晶圓，並可多次使用。
對應晶圓尺寸 3英寸 4英寸 5英寸 6英寸		除膜
		選擇化學藥水
驗貨				拋光
厚度・薄膜類型的分類
出貨		檢查		清洗
		顆粒・金屬汙染・厚度和外觀		RCA清洗

●　除膜 對於各種膜，通過濕刻蝕進行去除膜。

●　批量式拋光機 進行批量式鏡面拋光。

●　單片式拋光機 進行單片式鏡面拋光。

●　RCA清洗裝置 根據客戶要求去除金屬污染・顆粒

●　I減薄・拋光的一條龍式加工 對傳感器和功率器件所需要的晶圓厚度和鏡面的加工，主要通過減薄→拋光一條龍式加工工程進行處理和管理。 可對應的晶圓尺寸為4～8英寸，拋光精加工厚度（試作-量產）為15-100μm～。 除了一條龍式加工以外，我們還會滿足其他不同的要求，例如只做減薄（＃8000〜）、只做拋光加工等等。 ●　測試片的再生處理 我們將對客戶的各個工序中所需要的測試片進行再生拋光。 並響應客戶的需求，在例如進行厚度管理・顆粒管理・金屬污染管理等。 可對應的晶圓尺寸為4～6英寸。 ●　MEMS加工 對各種各樣MEMS的特種減薄和拋光的試作加工，我們從一片開始承接，並且批量生產的案子也可以接單。 我們對SOI・GWSS晶圓、開孔・cavity構造・矽穿孔・非圓形等晶片有進行過減薄→拋光的一條龍式加工經驗。

在工廠車間內清潔的空間進行晶圓加工。 此外，我們取得了環境管理體系「ISO14001認證」和質量管理體系「ISO9001認證」並達到了國際標準。 ●　質量方針 本公司把質量保證放在第一位。為了提供最高質量的矽晶圓的厚度精度和拋光面的精度等，我們將對所有產品逐一進行嚴格地管理。

本公司不僅對矽，對藍寶石・SiC等難加工材也擁有迄今為止培育發展起來的減薄、拋光、清洗技術，近年還在不遺余力地為提供更新、更有效的加工方法而投入研究開發。
對於在這些過程中所完成的產品，我們認為，只有在獲得顧客滿意的評價時我們的工作才有價值。該評估是根據兩公司之間的指數而得出的，我們每天都在努力通過導入最新檢驗設備來提高客戶的滿意度。

●　自動光譜幹涉式厚度測量機 能對貼有膠膜的晶圓・SOI・貼有支撐基盤的晶圓・樹脂/膠膜鍵合片的矽的厚度（只對應要求測量兩片以上的情況）進行測量。

●　自動光譜幹涉式厚度測量機 今後在MEMS/傳感器晶片的薄片加工時，不對總厚度管理，而是單獨對支撐基盤的厚度和單獨對活性層的厚度進行管理。

●　電阻率・P/N・厚度分選儀 對應於4、5、6、8英寸

●　電阻率・P/N・厚度分選儀 電阻率測量範圍：1.0m～3.0MΩ・cm

●　Candela CS20晶圓表面檢查裝置 用於檢查諸如藍寶石和SiC之類的透明材料，可以檢測各種類型的有缺陷的基板傷痕、汙垢、外延層凹坑、陰影線和晶體裂紋等。		●　Candela CS20晶圓表面檢查裝置 測量對應英寸：３・４・５・６英寸 測量厚度：300-1400μm

●　靜電容量晶圓厚度測量機 這是一種從專用的晶片盒中取出矽晶圓片，對設定點的厚度進行測量的裝置。 通過靜電容量傳感器進行非接觸式晶圓厚度測量。

●　靜電容量晶圓厚度測量機 可對應的晶圓厚度為100μm〜1800μm。（取決於晶圓尺寸。） 測量點設置為中心一個點，並用條件配方對十字測量進行設定。

●　全反射熒光X射線表面分析儀 可以對晶圓表面的不純物12種元素（S, Cl, K, Ca, Ti, Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)進行分析。

●　微分幹涉顯微鏡 對晶圓表面的凹凸可以立體性觀察的顯微鏡。

●　晶圓表面的顆粒檢查裝置 使用0.07um最大檢測靈敏度（Si）Violet LD長壽命激光器。 測量對應英寸：４・５・６英寸 測量範圍：0.087μ～5.0μ

●　晶圓表面的顆粒檢查裝置 測量對應英寸：４・５・６英寸 測量範圍：0.208μ～1.0μ

●　晶圓表面的粉塵檢查裝置 測量對應英寸：５・６・８英寸 測量範圍：0.1μ～5.0μ

●　目視檢查 使用強光燈對拋光加工面的表面異常進行確認。

●薄化晶圓 晶圓直徑：φ200mm 晶圓厚度：32μm BG：＃2000精加工

●GWSS（矽和玻璃的鍵合片） 晶圓直徑：　φ200mm 晶圓厚度：　11μm BG：　＃2000精加工 玻璃：耐熱玻璃

●GWSS（矽和玻璃的鍵合片） 晶圓直徑：　φ200mm 晶圓厚度：　4.5μm 拋光精加工 玻璃：耐熱玻璃 ※當晶元片厚度為5μm以下時，透過熒光燈的顏色從紅色變為黃色。 背面減薄&拋光 8英寸矽 TV5 (um) 範圍 A B C D E 4.15 4.6 4.37 2.21 3.93 2.39

●Cavity構造晶圓 晶圓直徑：　φ150mm 晶圓厚度：　100μm BG：　＃2000精加工

●Cavity構造晶圓 上述晶圓拋光至5μm

BG之前	倒角加工	BG之後
	※無倒角加工	※形成刀刃
	※帶倒角加工	※可根據BG之後的厚度來形成倒角形狀。

倒角加工有・無的6英寸100μ晶圓的下落測試的視頻 請點擊這裏→

●　刀刃防止加工機 加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應

●　刀刃防止加工機 通過NC控制可對加工的成品厚度的形狀進行自由更改。

●　背面減薄機 加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應

●　背面減薄機 我們努力通過日常維護來提高產量。

進行SOI・GWSS晶圓以及開孔・cavity構造・矽穿孔・非圓形等的晶圓減薄→拋光等一條龍式加工。

●　單片式背面拋光 加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應

●　單片式背面拋光 薄型MEMS晶圓片也可以在薄化後進行拋光

●　8英寸用單片式拋光 加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應

●　8英寸用單片式拋光 最薄型量產實績:８英寸　８５μm

●　自動刷洗裝置 與手動操作相比，顆粒減少顯著。

●　自動刷洗裝置 加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應 即使對於矽以外的藍寶石·SiC也發揮效果。

●加工表面非接觸式膠膜剝離機 加工對象晶圓：5、6英寸對應

●　加工表面非接觸式膠膜剝離機 拋光後的表面與金屬接觸時會產生微刮，但本機可以自動剝離而無需接觸。

帶圖案的晶圓背面的RCA清洗視頻 請點擊這裏 →

●　帶圖案的晶圓RCA清洗 加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應

●　帶圖案的晶圓RCA清洗 可以進行RCA清洗⇒純水漂洗⇒乾燥，無需翻轉到圖案的正面。

●　全自動減薄機 可從一片晶圓開始處理。

●　單片式薄膜拋光機 高精度地拋光4～8英寸的晶圓，並且可進行拋光面非接觸式搬送。 ※由於該機器是本公司的研發機器，因此在進行加工測試・批量生產認證時不予展示，敬請諒解。

●　靜電容量晶圓厚度測量機 這是一種從專用的晶片盒中取出矽晶圓片，對設定點的厚度進行測量的裝置。 通過靜電容量傳感器進行非接觸式晶圓厚度測量。

●　靜電容量晶圓厚度測量機 可對應的晶圓厚度為100μm〜1800μm。（取決於晶圓尺寸。） 測量點設置為中心一個點，並用條件配方對十字測量進行設定。

●　自動光譜幹涉厚度測量機 能對貼有膠膜的晶圓・SOI・貼有支撐基盤的晶圓・樹脂/膠膜鍵合片的矽的厚度（只對應要求測量兩片以上的情況）進行測量。

●　自動光譜幹涉厚度測量機 今後在MEMS/傳感器晶片的薄型物加工時，不對總厚度管理，而是單獨對支撐基盤的厚度和單獨對活性層的厚度進行管理。

●　目視檢查 接受產品·貼膜後·減薄後對晶圓面狀態進行目視檢查。

●全自動減薄機 在不改變特性的狀態下以高精度和平坦度對4～8英寸的晶圓進行減薄。

●　單片式拋光機 根據客戶的要求和條件進行拋光。

●　批量粘貼 將晶圓平貼在平板上進行批量拋光。

●　批量拋光 將4～8英寸的晶圓抛光至鏡面。

●　批量剝離 從平板上剝離拋光後的晶圓。

●　RCA清洗 清洗晶圓，清除拋光後的顆粒・金屬汙染。

●　出貨前的檢查 在出貨之前將根據客戶的要求進行檢查後出貨。

『客戶的需求』
●　當薄型化的晶圓投入到下一個工序時，在設備內的處理和搬送過程中發生的輕微碰觸都會導致破片或崩邊，這會對晶圓本身和生產線的良率都造成影響。用什麼方法來解決呢？

『客戶的需求』
● 如果在下一個工序中對於在帶圖案/帶膜晶圓的已經薄化・拋光的面上進行某些處理時，會浮現出一些東西，能處理幹凈嗎？
● 因為背面清洗的潔凈度有限，所以有的工程被認為無法投入。

※迄今為止，對於背面（拋光面）的顆粒一直是依賴於有機洗凈・純水系的各種清洗，這對提高清潔度是有極限的。此外，去除金屬汙染所必需的RCA清洗，在這種情況下，由於表面圖案/膠膜會發生溶化而無法進行對應。


面對客戶的種種問題，我們在和機械制造商攜手合作下，構築了如下所述的『六甲經典的工序流程』。

迄今為止的流程 貼保護膜 背面減薄 單片式背面拋光 加工面非接觸式 膠膜剝離

六甲經典的工序流程 貼保護膜 防止刀刃加工 背面減薄 單片式背面拋光 加工面非接觸式 膠膜剝離 帶圖案的晶圓 RCA清洗

BG之前	倒角加工	BG之後
	※無倒角加工	※形成刀刃
	※帶倒角加工	※可根據BG之後的厚度來形成倒角形狀。

倒角加工有・無的6英寸100μ晶圓的下落測試的視頻 請點擊這裏→

●　刀刃防止加工機 加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應

●　刀刃防止加工機 通過NC控制可對加工的成品厚度的形狀進行自由更改。

●　背面減薄機 加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應

●　背面減薄機 我們努力通過日常維護來提高產量。

進行SOI・GWSS晶圓以及開孔・cavity構造・矽穿孔・非圓形等的晶圓減薄→拋光等一條龍式加工。

●　單片式背面拋光 加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應

●　單片式背面拋光 薄型MEMS晶圓片也可以在薄化後進行拋光

●　8英寸用單片式拋光 加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應

●　8英寸用單片式拋光 最薄型量產實績:８英寸　８５μm

●　自動刷洗裝置 與手動操作相比，顆粒減少顯著。

●　自動刷洗裝置 加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應 即使對於矽以外的藍寶石·SiC也發揮效果。

●加工表面非接觸式膠膜剝離機 加工對象晶圓：5、6英寸對應

●　加工表面非接觸式膠膜剝離機 拋光後的表面與金屬接觸時會產生微刮，但本機可以自動剝離而無需接觸。

帶圖案的晶圓背面的RCA清洗視頻 請點擊這裏 →

●　帶圖案的晶圓RCA清洗 加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應

●　帶圖案的晶圓RCA清洗 可以進行RCA清洗⇒純水漂洗⇒乾燥，無需翻轉到圖案的正面。

實施高精度減薄，避免厚度不均。根據產品的條件，從種類豐富的減薄機中選擇最適當的減薄機進行加工。 試作晶圓的厚度根據支撐方法/直徑尺寸而不同，可以減薄到15μm，量產晶圓雖然根據直徑不同而不同，但加工厚度可以達到100μm以下。

對減薄後在表面上有輕微凸凹的矽片進行拋光。 進行慎重且迅速的拋光，以避免影響表面性能。為了避免變形和刮擦，需要高精度加工。

對於開孔/cavity構造/矽穿孔/非圓形等晶圓、SOI、GWSS晶圓等，採用MEMS（微電子機械系統），可以使用減薄和拋光的一條龍式加工。

測試片的再生加工
這是一項再利用加工，將客戶在晶圓生產過程中使用過的測試片/檔片(Dummy Wafer)重新加工成跟新片同等質量的晶圓，並可多次使用。
對應晶圓尺寸 3英寸 4英寸 5英寸 6英寸		除膜
		選擇化學藥水
驗貨				拋光
厚度・薄膜類型的分類
出貨		檢查		清洗
		顆粒・金屬汙染・厚度和外觀		RCA清洗

●　测试片的再生加工 對應於4、5、6、8英寸

●　测试片的再生加工 電阻率測量範圍：1.0m～3.0MΩ・cm

●　膜品種分類 熟練工可一目了然地在多種多樣的膜品種中進行分選。

●　除膜 通過濕蝕刻去除各種制膜。

●　厚度分類 在除膜後把晶圓按照厚度分類。

●　批量粘貼 將晶圓平貼在平板上進行批量拋光。

●　批量式拋光機 進行批量式鏡面拋光。

●　批量式拋光機 從平板上剝離拋光後的晶圓。

●　RCA清洗裝置 金屬汙染・顆粒的清除。

●　顆粒計數器 對拋光的晶圓片上的顆粒進行檢查。

●　出貨前的檢查 在出貨之前將根據客戶的要求進行檢查後出貨。

●　全反射熒光X射線表面分析儀TREX610 可以對晶圓表面的不純物12種元素（S、Cl、K、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn）進行分析。

		3F 清洗・檢查室
		2F 拋光室
		1F 減薄室

■ 新工廠的優勢
		通過高剛性減薄機獲得高質量的「平坦度」「表面粗糙度」和「加工變質層」 ⇒降低工序流程和成本
		降低背面減薄後薄化時的翹曲。 ⇒減薄+拋光的一條龍式加工成為可能。
		通過導入藍寶石專用清洗裝置實現高清凈度 （減少金屬汚染留和顆粒）
		在矽晶圓上有量產實績的刀刃防止加工，將來也可以在藍寶石薄化晶圓上展開。

■ 關於帶圖案的SiC晶圓薄化加工

帶圖案的SiC晶圓的加工實績例 減薄後的晶圓厚度差異的實績（6英寸晶圓）

單位：um

※減薄後的TV5：1um　≧

經過減薄後的晶圓粗糙度的比較實績（SiC 6英寸晶圓）
		由於高剛性減薄機的導入，減薄後的厚度偏差和表面粗糙度得到了改善。
※與常規減薄機相比，減薄後的粗糙度得到改善。

●　全反射熒光X射線表面分析儀TREX610 可以對晶圓表面的不純物12種元素（S, Cl, K, Ca, Ti, Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)進行分析。

●　Candela CS20晶圓表面檢查裝置 測量對應英寸：３・４・５・６英寸 測量厚度：300-1400μm

●　自動刷洗裝置 與手動操作相比，顆粒減少顯著。

●　自動刷洗裝置 加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應 即使對於矽以外的藍寶石·SiC也發揮效果。

■　 藍寶石晶圓清洗後的顆粒測試結果
150mm 藍寶石晶圓在清洗後的顆粒測試結果
清洗前		刷洗後		清洗後
1.通過刷洗以清除粗顆粒。 2.RCA清潔後顆粒和汙垢也被去除。 3.10個≧0.3um

■　 藍寶石晶圓的清洗後的金屬污染
150mm藍寶石晶圓 清洗後的金屬汙染測試
		TXRF測試裝置
晶圓清洗後的TXRF測試結果 ＜5Ｘ1010atoms/ｃｍ2

另外，為了在傳感器用晶圓的背面進行玻璃/矽鍵合，要將背面加工成鏡面​，如果不保持粘合面的平坦度，將會影響其電氣特性（接觸的有無），因此所要求的是鏡面，而不是通常的應力釋放的拋光面。在此，我們六甲電子將通過長年累計的拋光技術，來提供滿足客戶需求的高精度產品。

我們的優勢就在於，可以提供減薄→拋光→RCA清洗的一條龍式加工技術。

●　貼膜機 經過產品驗貨後，將感壓膜・UV膜貼在晶圓上，檢查是否有垃圾混入。

●　全自動減薄機 在不改變特性的狀態下以高精度和平坦度對4～8英寸的晶圓進行減薄。

●　目視檢查 減薄後檢查產品是否有刮痕和崩邊，然後將產品送入下一步處理。

●　單片式拋光機 根據客戶的要求和條件進行拋光。

●　加工表面非接觸式膠膜剝離機 拋光後，在不接觸加工表面的情況下剝離各種膠膜。

●　超聲波清洗機 拋光後剝離膠膜，然後用超聲波清洗來清除顆粒。

●　出貨前的檢查 在出貨之前將根據客戶的要求進行檢查後出貨。

●　自動光譜幹涉式厚度測量機 能對貼有膠膜的晶圓・SOI・貼有支撐基盤的晶圓・樹脂/膠膜鍵合片的矽的厚度（只對應要求測量兩片以上的情況）進行測量。

●　自動光譜幹涉式厚度測量機 今後在MEMS/傳感器晶片的薄片加工時，不對總厚度管理，而是單獨對支撐基盤的厚度和單獨對活性層的厚度進行管理。

我們將公開每年的加工處理數量和其中的良品率。
以此證明我們在接受客戶委托進行產品加工的整個期間，我们的加工質量的可靠性。

背面減薄產品 我們的加工數量及良品率：

↓點擊畫面圖表放大顯示。 背面減薄產品 按厚度分類的良品率： ↓點擊畫面圖表放大顯示。

背面減薄+拋光產品 本公司的加工個數和良品率： ↓點擊畫面圖表放大顯示。

背面減薄+拋光產品 按厚度分類的良品率： ↓點擊畫面圖表放大顯示。

		3F 清洗・檢查室
		2F 拋光室
		1F 減薄室

■ 新工廠的優勢
		通過高剛性減薄機獲得高質量的「平坦度」「表面粗糙度」和「加工變質層」 ⇒降低工序流程和成本
		降低背面減薄後薄化時的翹曲。 ⇒減薄+拋光的一條龍式加工成為可能。
		通過導入SiC專用清洗裝置實現高清凈度 （減少金屬汚染留和顆粒）
		在矽晶圓上有量產實績的刀刃防止加工，將來也可以在SiC薄化晶圓上展開。

■ 關於帶圖案的SiC晶圓薄化加工

帶圖案的SiC晶圓的加工實績例 減薄後的晶圓厚度差異的實績（6英寸晶圓）

單位：um

※減薄後的TV5：1um　≧

經過減薄後的晶圓粗糙度的比較實績（SiC 6英寸晶圓）
		由於高剛性減薄機的導入，減薄後的厚度偏差和表面粗糙度得到了改善。
※與常規減薄機相比，減薄後的粗糙度得到改善。

■ SiC晶圓超薄化加工

GWSS晶圓加工實績 減薄後的晶圓厚度差異的實績（4英寸晶圓） ※實現了超薄化和超平坦化。

背面減薄&拋光 4英寸 SiC TV5 (um) 範圍 A B C D E 22.88 22.4 22.03 22.75 22.31 0.37

●　全反射熒光X射線表面分析儀TREX610 可以對晶圓表面的不純物12種元素（S, Cl, K, Ca, Ti, Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)進行分析。

●　Candela CS20晶圓表面檢查裝置 測量對應英寸：３・４・５・６英寸 測量厚度：300-1400μm

●　自動刷洗裝置 與手動操作相比，顆粒減少顯著。

●　自動刷洗裝置 加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應 即使對於矽以外的藍寶石·SiC也發揮效果。

■　 SiC晶圓片減薄加工面粗糙度
150mm SiC晶圓片的減薄 表面粗糙度

評價項目		精加工減薄	超精加工減薄
表面粗糙度	Ｒａ	12.4-14.6nm	2-5nm
翹曲	目視（比例）	0.5-0.8mm	0.2-0.4mm
※表非接觸表面形狀測試機 zygo

■　 SiC晶圓 拋光面的AFM測試結果（6英寸）
φ6英寸的Si面 拋光面的AMF測試結果（面內3點）
中央 Ra:0.711Å		中間 Ra:0.576Å		端 Ra:0.632Å
150mm SiC晶圓Si面 拋光面的粗糙度 Ra < 0.1nm

■　 SiC晶圓清洗後的顆粒測試結果
150mm SiC晶圓在清洗後的顆粒測試結果
清洗前		刷洗後		清洗後
1.通過刷洗以清除粗顆粒。 2.RCA清潔後顆粒和汙垢也被去除。 3.10個≧0.3um

■　 SiC晶圓的清洗後的金屬污染
150mmSiC晶圓 清洗後的金屬汙染測試
		TXRF測試裝置
晶圓清洗後的TXRF測試結果 ＜5Ｘ1010atoms/ｃｍ2

●　金剛石研磨裝置 3、4、5、6英寸對應。

●　金剛石研磨裝置 帶SiC膜的晶圓的再生膜處理是可能的。

●　藍寶石和SiC專用減薄機 目標是6英寸的藍寶石・SiC等難加工材料。

●　藍寶石和SiC專用減薄機 通過NC控制可進行自動加工處理。

●　藍寶石和SiC專用減薄機 可通過自動傳送方式進行全自動加工處理。

●　藍寶石和SiC專用減薄機 用真空吸附晶圓，不需要貼蠟。

●　藍寶石6英寸 帶圖案晶圓・裸片均可加工處理。

●　藍寶石6英寸 用專用的砂輪進行減薄。

●　藍寶石6英寸 帶圖案晶圓・裸片均可加工處理。

●　藍寶石6英寸 用專用的砂輪進行減薄。

首先，請允許我對一直以來所有理解和支持我們的各位表示由衷的感謝。 本公司是從1921年，當初代小林勝次郎還服役於海軍兵工廠的平面拋光機之時便邁出了第一步。 在那之後創建了特殊光學測試設備的制造公司「REX光學研究所」。 那正是日本的半導體產業誕生之時代，1963年公司改組為「有限公司 REX光學儀器制作所」，從此開始了半導體的拋光和加工。 1983年，隨著REX光學儀器制作所遷入福岡，成立了「六甲電子株式會社」並繼承該事業。 現在，各種半導體產品已經滲透到我們生活中的每個角落，並成為推動高度信息化社會的重要因素。 在這種情況下，我們開始致力於矽晶圓加工、正片（Prime wafer）的鏡面拋光加工、雙鏡面加工、背面減薄等加工，並於1994年展開了晶圓回收再利用事業。 以大型拋光機為首，安裝了減薄機、研磨機等各種機器，擴大了需要減薄+拋光組合加工和蝕刻處理的矽晶產品的加工和業務。 今後我們也將一如既往地繼續努力制作「更快、更廉價、更安全的產品」。 此外，我們將致力於積極吸取充滿創造性清新風氣的技術追求，旨在成為一家比以往任何時候都更能取得客戶的信賴和期待的企業，為此，我們全體員工將竭誠努力。 我們期待著您的繼續不斷的指導和鞭策。 代表取締役社長 小林秀守

六甲電子株式會社　經營理念

我們將懷著自豪的心情，為客戶提供能夠符合客戶需求和期望的服務。

此外，我們將根據客戶需求的增長和變化創造新的價值，並創造新的客戶。

我們全體員工和我們的家族，將通過由此努力而獲得的成果來追求我們的幸福。

公司名稱	六甲電子株式會社
所在地	郵編：663-8105兵庫縣西宮市中島町8-5
電話 傳真	81-798-65-4508 81-798-67-5038
成立日期	1983年9月
資本金	3,000萬日元
代表人	代表取締役社長　小林秀守
關聯公司	有限公司 REX光學儀器制造所
事業內容	矽晶圓的各種加工 再生處理 拋光加工 減薄加工 MEMS對應的超薄片的減薄和拋光加工 特殊加工 蝕刻加工

1921年3月	初代小林勝次郎在海軍工廠和德國技術人員一起邁出了平面拋光的第一步。之後轉入日本光學工業株式會社（現在的尼康）從事平面拋光加工。
1921年7月	在東京創立小林光器。 其主要的營業活動是從事光學測量儀器的制作和特殊拋光加工。.
1947年3月	戰後遷移到兵庫縣西宮市，作為特殊光學測試儀器的制造商改名為「REX光學研究所」。
1960年4月	開始半導體拋光加工
1963年6月	法人改組。公司更名為「有限公司 REX光學計器制作所」。
1983年9月	成立六甲電子株式會社。繼續REX光學的事業內容，將REX光學轉移到三菱電機福岡制作所內。
1994年7月	為全面開展晶圓再生事業而建造B樓。開始安裝了各種設備，包括工廠整備、大型拋光機、RCA清洗裝置等。
2001年5月	取得ISO 14001認證
2005年2月	導入MEMS對應、薄晶圓拋光設備
2005年3月	取得ISO 9001：2000認證
2012年11月	2012年獲得西宮市的優秀企業表彰獎
2017年1月	小林秀守就任代表取締役社長
2017年1月	SiC、藍寶石、LT等新材料專用的新工廠竣工。
2018年2月	取得ISO 9001：2015、14001：2015認證

制造現場總是伴隨著事故或災害的危險。
作為企業，不論是在制造現場、還是在上下班的途中或辦公室裏工作，確保每一位員工的安全是企業義不容辭的重要的社會責任，
為此，我們每月召集一次安全衛生委員會，努力確保員工的安全，對各部門提出的安全隱患，根據『PDCA』原則來制定改善措施和『風險評估』，並劃分優先順序，改善・安全管理者・衛生管理者定期在工廠內巡視，對指出的問題進行改進，持續不解地致力於安全的改善。

此外，根據中小企業廳制定的『BCP（緊急時企業存續計劃或事業維持計劃）』運用方針，六甲電子也在2011年9月作成，並由安全衛生委員會負責其運用和更新。

安全衛生委員會的實施		風險評估的制定討論
每個月召開一次安全衛生委員會。		確定風險評估的內容及其重要性的優先順序，制定對策方案

工廠內定期巡回檢查		確定重點項目
管理人員在工廠內定期進行巡回檢查，對5S・·驚嚇提案等進行確認。		確定被指則項目中的重點，日後對改進和糾正進行檢查。

資格持有者名單		事業持續計劃BCP
安全管理者：2名 第一種衛生管理者：4名		根據中小企業廳制定的『BCP（緊急時企業存續計劃或事業維持計劃）』運用方針，六甲電子也在2011年9月作成。

事故・緊急情況聯絡方式（內線）		事故緊急聯絡表
發生事故・緊急情況時首先去哪裏？ 每個現場都顯示有緊急情況時的內線電話號碼和行動步驟。		明確每個工程・現場的緊急情況時的負責人，在每個現場都會進行顯示。

緊急避難通道		洗眼器
為了明確火災、地震等緊急情況時的避難通道，在每個現場都有顯示，並以此為基準進行避難訓練。		作業時眼睛上配戴有防護用具，為了防止萬一藥水進入眼內的情況，在每個現場要備有洗眼器，裏面的洗眼水要定期檢查和更換。

醫院的一覽表		110和119對應表
每個現場都備有按照病癥分類的附近醫院的一覽表，以便在萬一的情況下冷靜迅速地采取行動。		在夜班發生事故的情況下，請求110・119的支援時可能會發生慌亂。為此現場準備有應急手冊，指導在這種時刻應該如何表達。

停電避難訓練		停電避難訓練
進行避難訓練，以便在萬一的情況下能夠沈著冷靜地采取行動。		在關斷各使用機器的電源後，按小組集合，由組長用手電筒引導。

停電避難訓練		停電避難訓練
換下無塵服後到停車場集合。		相對於10分鐘的目標時間，全體人員在7分46秒內集合完畢。

ISO9001、14001：2015 認證		作業程序手冊
我們在2005年3月取得了ISO9001認證，作為質量維護的工具加以運用，通過ISO管理方法的PDCA來促進各部門的目標管理，從而實現我們的企業經營戰略。		為了讓任何人能進行一定程度的作業，我們制作了作業程序手冊，通過程序的運用維持質量的安定。

產品流程圖		作業認定表
與作業程序手冊一樣，產品流程圖也讓任何人都看了不太會出錯，直觀且通俗易懂。		通過可視化每個部門成員的工作技能，使每個人能夠進行明確的目標設定。

工程檢查日誌		測量儀器的檢查表
列出機器啟動時需要確認的項目，填寫並檢查，以防在機器啟動時發生故障。		C測量儀器在使用過程中會發生誤差，因此要對其進行檢查和校準。

各機器的運行次數表		工程清洗內容的檢查
關於每台機器的消耗品，根據每台機器的運行次數進行檢查和更換。		在每項工程的部位，包括機械在內，都要明確指定清掃內容，定期進行清掃作業。

PH校準檢查表		小組活動會議紀要
對拋光機的堿性濃度PH進行檢查並校正。		在每個現場工程定期集中，對發現的問題點等進行商討，作為會議紀要進行記錄。

文件清單		確認溫度・濕度的記錄
對上述各數據等進行歸檔，對各工程進行整理整頓。		對機器來說，溫度・濕度是重要的管理參數。要不懈地進行記錄・管理・確認。

質量管理委員會1		質量管理委員會 2
每月召開一次各課的質量管理委員會。		根據客戶的需求，主動推進提高本公司產品質量的活動。

六甲電子株式會社在西宮市準工業區的中島町設立工廠，從事對日常生活起著重要作用的半導體材料的加工；但另一方面，伴隨著這些產品的加工，要大量使用能源、資源和化學物質，還要排放出大量的廢棄物。
對此，我們每一位成員都能自覺地認識到這些問題，維護和改善健全的環境，思考與地區社會的融合，積極地參與開展環境體系的管理活動。

2011西宮市環境報告書： 「綠色窗簾」活動得到西宮市的認可，並在市政府的環境報告中進行了介紹。

●　取得ISO認證 2001年5月取得ISO14001環境管理體系的認證。

●　資格持有者名單 參加ISO14001內部監察員培訓的成員有11名。

●　西宮市地域溫暖化防止活動的推進企業 被評選為西宮市地域溫暖化防止活動的推進企業。

●　電力需求監控裝置 為了響應關西電力公司的夏季節電要求，我們導入了電力需求監控裝置，設定上限予以合作。

●　綠色窗簾 用綠色窗簾的方法來響應關西電力公司的節電要求。

●　綠色窗簾 通過植物的蒸騰作用，可以防止陽光從窗戶進入，抑制室內溫度的升高，並為周圍的環境降溫。

●　苦瓜 收獲了500多個苦瓜，令員工們喜出望外。

●　苦瓜 還送給鄰居一起分享。

●　工業廢棄物的存放場所 有關工業廢棄物，我們設立了管理負責人，以便對數量和場所進行有效管理。

六甲電子株式會社關於質量的基本理念是，通過事業廣泛地為社會服務的同時，謀求事業的繁榮。 為此，本公司的事業在為提高社會福祉作出貢獻時，要把「質量・價格・交貨期・服務」各項均作為重要的要素，必須盡最大努力做到盡善盡美。 在此，本公司將特別關註質量，將其作為第一考量，在制造滿足客戶需求的產品的過程中，通過將產品提供給社會，為國家和社會做出貢獻的同時，謀求我們事業的繁榮。 那就是，「徹底貫徹客戶至上的精神」以及「以最好的產品、最高的質量為目標」。

作為六甲電子株式會社的事業活動，精密拋光・減薄加工的半導體材料在日常生活中發揮著重要的作用。特別是矽晶圓的再生事業，是為了回收再利用而進行的加工，對環境保護做出了貢獻。另一方面，在這些產品加工中大量使用能源、資源和化學物質，排放出大量的廢棄物。六甲電子株式會社為了維持和提高健全的環境，將全體員工共同參與、積極開展環境管理活動定位為最優先的課題。

1.基本方針： ・BCPの基本方針 2.BCP的運用體制 ： ・BCP的制定和運用體制 3.核心業務和復舊目標：有關核心業務的信息 ・與業務持續性相關的各種資源的替代信息 4.財務診斷和預防措施的規劃 ： ・復舊成本的計算和手頭資金 ・對預防措施的投資計劃（參照地區的防災地圖） 5.緊急狀態下的BCP啟動 (1)啟動流程 (2)避難：避難計劃表 (3)情報聯絡：主要機構的聯系方法【金融機構】 ・員工通訊錄 ・【基本信息整理用】→ 參照員工名單/緊急通訊錄 ・電話/傳真號碼表【公司內部用】 ・主要客戶信息 →請參照以交易公司為別的狀況清單 (4)資源 ・核心業務的瓶頸資源 ・【設備/機械/車輛等】→ 請參閱設備台帳 ・核心業務所需要的供應物料信息 ・主要供應商/貿易商信息【按供應物料分類】→ 請參照進貨臺賬。 ・災害對應用工具的確認清單

在六星電子，除了制定和運用BCP的目的之外，根據本公司的特點，我們還將以下項目作為在緊急情況下謀求業務持續運營的重要考量。 1. BCP的制定和運用目的： ①對客戶 減少對客戶生產計劃的負面影響。 ②對員工 保護員工及其家庭的安全和雇傭。 ③對地區 為地區的生活和經濟做貢獻。 ④其他 2. 緊急情況下業務連續性的要點： ①公司之間的互助 在災難發生時與相鄰的公司進行互相幫助。 ②商業道德 即使在緊急狀態下也不能拖欠送貨公司的付款。 ③對地區做貢獻 在災害發生時和鄰近地區的居民互相幫助，提供食物等支援。 ④利用公共支援系統 在災難發生時積極利用市政廳和商工會議所等設置的特別咨詢窗口。 ⑤其他 3. BCP以及災害計劃更新時間：每年9月（每年更新一次）

BCP基本方針的規劃 平常時 BCP循環連續運用系統的建立 根據新課題進行更新 ①對業務進行理解       ⑤對BCP實行檢測和維持更新   ②對BCP的準備和預防措施進行研究   ④讓BCP成為一種文化 ③創建BCP 緊急事態發生 緊急時復舊時 BCP的啟動

我們的經營理念是，『我們每個人都要懷著自豪的心情為客戶提供符合客戶的需求和期望的服務。此外，我們將根據客戶需求的增長和變化來創造新的價值和創造新的客戶。我們全體員工連同我們的家族，都將通過由此努力所獲得的成果來追求我們的幸福』。因此，我們将不局限於客戶，即使在對待員工、對待地區和社會的情況時，也同樣要提供符合要求的服務。服務和貢獻、成長和變化，即是本公司作為企業的社會責任CSR活動的理念。

1. 遵守法規 1）遵守法令和規定 2）公平的競爭和交易 3）防止利益沖突 4）禁止行賄受賄、禁止過度的招待和饋贈 5）防止機密情報泄露（信息安全） 6）安全保障貿易管理 2. 尊重人權 3. 健全的工作環境 1）安全的工作環境 2）對健康的重視 3）創造舒適的工作環境 4. 與社會的關系 1）客戶滿意度 2）社會貢獻 3）環境保護 4）對反社會勢力的態度

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