 |
|
|
|
|
如果對技術和加工問題需要諮詢，請隨時與我們聯繫。
聯系人：營業部
TEL: 81-798-65-4508
FAX: 81-798-67-5038
 |
|
 |
|
六甲電子株式會社
郵政編號: 663-8105
兵庫縣西宮市中島町8-5
|
|
|
|
|
|
|
開設專門從事新材料的新工廠
從2017年1月啟動
～新材料：SiC、藍寶石、LT等～
|
| ● 通過批量生產提高處理能力
● 與矽工藝完全分離，從承接到發貨進行連續性處理。
● 通過縮短流程來降低成本
● 量產開始：2017年3月
|
■ 化合物晶圓專用的新工廠
|
■ 關於帶圖案的SiC晶圓薄化加工
|
|
帶圖案的SiC晶圓的加工實績例
減薄後的晶圓厚度差異的實績（6英寸晶圓）
|
單位：um  |
| ※減薄後的TV5：1um ≧ |
|
經過減薄後的晶圓粗糙度的比較實績（SiC 6英寸晶圓）
|
 |
|
由於高剛性減薄機的導入，減薄後的厚度偏差和表面粗糙度得到了改善。 |
|
※與常規減薄機相比，減薄後的粗糙度得到改善。
|
|
■ SiC晶圓超薄化加工
|
|
GWSS晶圓加工實績
減薄後的晶圓厚度差異的實績（4英寸晶圓）
※實現了超薄化和超平坦化。
|
|
背面減薄&拋光
|
| 4英寸 SiC |
TV5 (um)
|
範圍 |
|
A
|
B
|
C
|
D
|
E
|
|
22.88
|
22.4
|
22.03
|
22.75
|
22.31
|
0.37 |
|
|
|
我們的優勢在於，我們可以通過我們獨特的方法對SiC晶圓進行一條龍式減薄→拋光→RCA清洗。
可對應高速・低翹曲・高粗糙度・大直徑，並且可對應一條龍式處理加工。
可以對晶圓表面的不純物12種元素（S, Cl, K, Ca, Ti, Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)進行分析。 |
|
測量對應英寸：３・４・５・６英寸
測量厚度：300-1400μm |
■ 新裝置：
拋光後會微少殘留一些堿性成分的拋光液等，在它們形成氧化膜之前，如果不能迅速清洗，將會成為汙點和顆粒的根源。
以前是由人工（按批量分批）使用表面活性劑一片一片地對晶圓進行刷洗。由於導入自動清洗裝置，消除了人工作業的差異，並且實現了均勻、高精度的顆粒清除。
■加工直徑:4、5、6、8英寸
■量產厚度對應： ～ 100μm
■SOI晶圓，例如帶圖案的晶圓·MEMS晶圓等
也對應GWSS晶圓。
與手動操作相比，顆粒減少顯著。
|
|
加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應
即使對於矽以外的藍寶石·SiC也發揮效果。 |
■
藍寶石晶圓的加工
| |
常規的藍寶石・ＳｉＣ加工 |
六甲電子的藍寶石・ＳｉＣ加工 |
| |
金剛石研磨 |
拋光CMP
（批量式） |
减薄 |
拋光CMP |
| 運行成本 |
高 （金屬定盤+鉆石）
|
中 （Pad+拋光液） |
中 （金剛石砂輪）
|
中 （Pad+拋光液）
|
| 加工經驗 |
高 |
中 |
高 |
高 |
| 設備成本 |
高 |
中 |
高 |
高 |
| 加工速度 |
極低 |
低 |
中 |
中 |
| 備註 |
蠟固定
定盤修正的難易度高
工序多 |
蠟固定
定盤修正的難易度高
工序多 |
真空吸附・藍寶石專用全自動減薄裝置
|
無蠟拋光 |
■
SiC晶圓片減薄加工面粗糙度
|
150mm SiC晶圓片的減薄 表面粗糙度
|
 |
|
 |
| 評價項目 |
精加工減薄 |
超精加工減薄 |
| 表面粗糙度 |
Ｒａ |
12.4-14.6nm |
2-5nm |
| 翹曲 |
目視（比例） |
0.5-0.8mm |
0.2-0.4mm |
※表非接觸表面形狀測試機 zygo
|
■
SiC晶圓 拋光面的AFM測試結果（6英寸）
|
φ6英寸的Si面 拋光面的AMF測試結果（面內3點）
|
 |
|
中央
Ra:0.711Å
|
|
中間
Ra:0.576Å
|
|
端
Ra:0.632Å
|
|
150mm SiC晶圓Si面
拋光面的粗糙度 Ra < 0.1nm
|
| ■
SiC晶圓清洗後的顆粒測試結果 |
|
150mm
SiC晶圓在清洗後的顆粒測試結果
|
清洗前  |
|
刷洗後  |
|
清洗後  |
 |
|
 |
|
 |
1.通過刷洗以清除粗顆粒。
2.RCA清潔後顆粒和汙垢也被去除。
3.10個≧0.3um |
| ■
SiC晶圓的清洗後的金屬污染 |
|
150mmSiC晶圓
清洗後的金屬汙染測試
|
 |
|
TXRF測試裝置 |
|
晶圓清洗後的TXRF測試結果
＜5Ｘ1010atoms/ｃｍ2
|
|
 |
|
|
