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如果對技術和加工問題需要諮詢，請隨時與我們聯繫。
聯系人：營業部
TEL: 81-798-65-4508
FAX: 81-798-67-5038
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六甲電子株式會社
郵政編號: 663-8105
兵庫縣西宮市中島町8-5
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『客戶的需求』
● 當薄型化的晶圓投入到下一個工序時，在設備內的處理和搬送過程中發生的輕微碰觸都會導致破片或崩邊，這會對晶圓本身和生產線的良率都造成影響。用什麼方法來解決呢？
『客戶的需求』
● 如果在下一個工序中對於在帶圖案/帶膜晶圓的已經薄化・拋光的面上進行某些處理時，會浮現出一些東西，能處理幹凈嗎？
● 因為背面清洗的潔凈度有限，所以有的工程被認為無法投入。
※迄今為止，對於背面（拋光面）的顆粒一直是依賴於有機洗凈・純水系的各種清洗，這對提高清潔度是有極限的。此外，去除金屬汙染所必需的RCA清洗，在這種情況下，由於表面圖案/膠膜會發生溶化而無法進行對應。
面對客戶的種種問題，我們在和機械制造商攜手合作下，構築了如下所述的『六甲經典的工序流程』。
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迄今為止的流程
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貼保護膜
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背面減薄
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單片式背面拋光
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加工面非接觸式
膠膜剝離
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六甲經典的工序流程
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貼保護膜
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防止刀刃加工
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背面減薄
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單片式背面拋光
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加工面非接觸式
膠膜剝離
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帶圖案的晶圓
RCA清洗
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『客戶的需求』
● 當薄型化的晶圓投入到下一個工序時，在設備內的處理和搬送過程中發生的輕微碰觸都會導致破片或崩邊，這會對晶圓本身和生產線的良率都造成影響。用什麼方法來解決呢？
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為了防止薄晶圓形成刀刃，本公司在進行背面減薄（被提供的初期厚度）之前，根據客戶要求的精加工厚度（例如100μ或50μ等）進行倒角加工。
由於是NC控制的倒角加工，無需更換砂輪就可以進行任何厚度的加工。
| 倒角加工有・無的6英寸100μ晶圓的下落測試的視頻 請點擊這裏→ |
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加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應 |
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通過NC控制可對加工的成品厚度的形狀進行自由更改。 |
我們在日常的批量生產合同處理方面擁有數十年的經驗，該工藝包括從SOI・GWSS等帶支撐基盤的晶圓的極薄加工，到一般量產薄型晶圓（100-150μ品）。
我們將竭盡全力提高受客戶委託的晶圓的良率。
MEMS對應：SOI・GWSS晶圓以及開孔・Cavity構造・矽穿孔・非圓形等晶圓
加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應 |
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我們努力通過日常維護來提高產量。 |
■ 新功能：
當前使用的所有設備，都是使用內徑規來測試晶圓的厚度，而新導入的設備使用NCG（非接觸規）來對應MEMS晶圓，例如cavity構造和開孔的晶圓，在加工過程中不直接接觸晶圓，而是用激光測試厚度，使其加工到指定的厚度。
■加工直徑：4、5、6、8 (12)英寸
■量產對應： 100～150μm
■MEMS晶圓對應示例
進行SOI・GWSS晶圓以及開孔・cavity構造・矽穿孔・非圓形等的晶圓減薄→拋光等一條龍式加工。
對減薄後在表面上有輕微凸凹的矽片進行拋光。
進行慎重且迅速的拋光，以避免影響表面性能。為了避免變形和刮擦，需要很高的精度。
■比較批量拋光的優勢：
●由於不需要蠟，所以減少了清洗工序的負荷，成為清潔度更高的產品。
●和批量式相比，由於沖孔的速度較快，因此需要較少的拋光量即。
●由於平面內的拋光量變得更均勻，因此可以得到高平坦度的產品。
加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應 |
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薄型MEMS晶圓片也可以在薄化後進行拋光 |
■ 新裝置: 8英寸用單片式拋光
■加工直徑: 4、5、6、8英寸
■最薄型量產實績:8英寸 ８５μm
加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應 |
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最薄型量產實績:８英寸 ８５μm |
■ 新裝置：
拋光後會微少殘留一些堿性成分的拋光液等，在它們形成氧化膜之前，如果不能迅速清洗，將會成為汙點和顆粒的根源。
以前是由人工（按批量分批）使用表面活性劑一片一片地對晶圓進行刷洗。由於導入自動清洗裝置，消除了人工作業的差異，並且實現了均勻、高精度的顆粒清除。
■加工直徑:4、5、6、8英寸
■量產厚度對應： ～ 100μm
■SOI晶圓，例如帶圖案的晶圓·MEMS晶圓等
也對應GWSS晶圓。
與手動操作相比，顆粒減少顯著。
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加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應
即使對於矽以外的藍寶石·SiC也發揮效果。 |
剝離背面的膠膜而不接觸拋光的加工面。
■加工直徑: 5･6英寸
■對應膠膜：UV膜
■特征：
●伯努利機械手臂在不接觸晶圓的情況下運送晶圓。
●將晶圓安置在平臺上照射紫外線後，將其外圍部分吸起自動剝離膠膜。
加工對象晶圓：5、6英寸對應 |
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拋光後的表面與金屬接觸時會產生微刮，但本機可以自動剝離而無需接觸。 |
■目標項目
・帶金屬圖案的晶圓背面的RCA清洗(除去顆粒・金屬汚染)
・貼膜晶圓的背面的RCA清洗(除去顆粒・金屬汚染)
・支撐基盤/鍵合片的背面的RCA清洗(除去顆粒・金屬汚染)
■基本規格
・拋光面非接觸式全自動搬送（晶片盒到晶片盒）
・2室同時自旋方式（RCA清洗⇒純水漂洗⇒乾燥）
・用一種液體清除顆粒和金属汚染
・對應4、5、6、8英寸最小厚度150μm（目前在向150μm以下調節中）
・可對應帶支撐基盤的晶圓
■清潔度（有圖案的晶圓背面）
顆粒：≧0.3μm，≦50個/wf
重金屬水平：≦5.0E10atoms/㎝-2
(Ka,Ca,Ti,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Al,Na)
加工對象晶圓：4、5、6、8英寸對應 |
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可以進行RCA清洗⇒純水漂洗⇒乾燥，無需翻轉到圖案的正面。 |
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